Sari la conținut
ELFORUM - Forumul electronistilor

NMOS 500-Pareri pro si contra!


Postări Recomandate

Victor esti glumet :rade: dar cred ca stii la ce m-am referit, nu e deajuns sa fie functional si simplu, mai trebuie sa si arate cat de cat ok, probabil sa incerce sa inghesuie vertical o rezistenta in spatiu dintre drenele mosfetilor, e posibil sa fie loc totusi.

 

Gab19 eu as zice ca schema aia pusa de mine ar trebui sa fie in regula, principiul teoretic este unul valabil, dar confirmarea nu o poate face decat testul practic, s-a facut observatia necesitatii limitarii curentului prin Q3, insasi modul de functionare al schemei ar trebui sa faca asta, adica de cum se atinge un curent de 6,5mA prin Q3, se deschide automat Q2 si pune in miscare un mecanism care blocheaza finalii, asta presupune si blocarea Q3 ca singurul lucru care tine Q3 activ este doar curentul de sarcina prin finali, care daca dispare Q3 se blocheaza... generatoarele de curent din diferentiale au acelasi mod de functionare, nu au o rezistenta de ;limitare a curentului de sarcina prin tranzistor, ci un shunt care la un anumit curent provoaca o anumita actiune... in fine toata treaba asta transforma amplificatorul intr-un generator de curent constant de cca 25A.

 

Emil, schema asta functioneaza atat la scurtcircuit cat si la suprasarcina, insa in prima situatie este mai eficace deoarece disipatia pe etajul final in zona limitarii impuse de catre schema, este foarte mare, chiar si cu supradimensionare radiatoare totusi exista riscul distrugerii finalilor, un scurt pe iesire presupune un timp de obicei foarte scurt in care etajul final functioneaza in regimul asta, prea scurt ca sa il afecteze, in schimb suprasarcina desi este limitata si ea de catre schema de fata, totusi ea presupune un timp cu siguranta mai lung in functionare la punctul impus de limitare, supravietuirea e la noroc. In atare situatie cele mai eficace configuratii sunt cele cu stop si reset necesar, acelea dupa un anumit timp ales vor opri complet conditiile existentei curentului mare prin finali taind fie alimentarea, fie shuntand superdioda, fie facand mute pe intrare, sau mai stiu eu ce alta metoda de actionare se prefera, o combinatie dintre cele 2 te asigura ca esti bine protejat in ambele situatii dar complica putin schema. Ai si schemele pentru acele amplifuri? parca stiam ca au deja protectie, ma insel eu?

Link spre comentariu

Daca va referiti la schema propusa de mine nu sunt sigur la ce constante de timp faceti amintire, ca nu exista condensatori inclusi in bucla. In alta ordine de idei, de acord punem o rezistenta in emitorul sau in colectorul Q3 dar cum propuneti sa o calculam? Si vreau date precise daca se poate.

Link spre comentariu

schema la diy200 o am,trebuie scanata,la fet200 nu am,dar am luat de la cineva de pe forum un osciloscop romanesc cu cablu de alimentare ca la pc si lipise impamantarea la gnd, modulele fiind in punte am pus sonda la o iesire si gnd la cealalta iesire si nu stiam de ce se aude distursionat,masurand cu multimetru am vazut ca desi nu erau conectate decat la priza si statia si osciloscopul aveau masa comuna,diy200 nu stiu daca are protectie

Link spre comentariu

DIY200 1.1 Black.pdf

 

Am gasit eu schema la diy200, din cate stiu o pusesei si tu mai demult pe la nu mai stiu ce topic unde ziceai ca ai ceva probleme la reglajul biasului... in fine, nu e protejata la scurt, si avand in vedere configuratia complementara a etajului final e chiar mai simplu de implementat ceva decat la N-mos, reproduci partea de sus de la semialternanta pozitiva din schema sugerata de mine pentru N-mos, cu ceva ajustari ale divizorului, si pentru semialternanta negativa o pui in oglinda cu un PNP, si te legi cu cate o dioda de portile mosfetilor din etajul final. In caz ca nu ai inteles redesenez schema si-ti arat.

 

Fet200 are protectie din cate vad...

http://s6.postimg.org/nvfvag9lt/FET200.jpg

Link spre comentariu

Daca va referiti la schema propusa de mine nu sunt sigur la ce constante de timp faceti amintire, ca nu exista condensatori inclusi in bucla. In alta ordine de idei, de acord punem o rezistenta in emitorul sau in colectorul Q3 dar cum propuneti sa o calculam? Si vreau date precise daca se poate.

Condensatoare nu-s; doar capacitati (EDIT: si sarcina stocata) si, ca la orice circuit cu reactie negativa, se impune analiza stabilitatii.

Dupa cum am mentionat la momentul respectiv, s-ar putea sa nu existe o valoare satisfacatoare pt un rezistor inclus în circuitul de colector al lui Q3.

În emitor se poate: Se considera Q3 plus rezistorul din emitorul sau ca fiind o sursa de curent comandata de caderea de tensiune de pe rezistorul din sursa finalului. Adica, peste un anume prag dat de UBE, curentul de colector al lui Q3 este o masura a curentului prin final. Dar cum fiecare avantaj aduce cu sine cel putin doua dezavantaje; iata-le:

1. Creste tensiunea minima din colectorul Q3 datorita caderii pe rezistorul din emitorul sau, cu toate consecintele ce decurg din acest lucru, în special functionarea corecta la excursii mari pe semialternanta negativa (depinde de caracteristicile finalilor, adica tensiunea dintre poarta si V- necesara pt un anumit curent prin ei). Situatia este însa mult mai favorabila decât în cazul înserierii unui rezistor în colectorul lui Q3.

2. Se obtine o alta dependenta de temperatura a pragului de detectie a curentului fata de situatia fara rezistor în emitor. (Si pragul de pe ramura pozitiva variaza cu tenperatura; scade odata cu încalzira lui T1, ceea ce-i mai bine decât dac-ar creste.)

Editat de franzm
Link spre comentariu

Aveti dreptate si mi-e ciuda ca nu m-am prins de asta inainte sa postez elucubratiile din citatul postat de Dvs...

 

Referitor la influentele temperaturii, cu siguranta ar exista o asimetrie intre cele 2 semialternante in ceea ce priveste pragul limitarii, dar nu cred ca ar trebui sa fie atat de mare incat sa conteze in mod negativ, ( cand spuneti "T1" banuiesc ca va referiti de fapt la Q1 din schema mea?  ). Referitor la celalalt dezavantaj, primul prezentat de Dvs, conform PDF-ului IRFP240 ar avea nevoie de undeva spre 5,5V intre poarta si sursa pentru 5A curent de drena ( pragul ala ales de mine anterior ), la acestia se adauga 1,65V care pica pe 0R33 la acest curent si am ajunge pe la 7V necesari intre poarta si V- pentru pragul de limitare de 5A, intre poarta si iesire exista MJE-ul si o rezistenta in emitorul sau, adica diferenta de potential intre iesire si V- pentru pragul ala de 5A ar trebui sa fie si mai mare, probabil undeva aproape de 10V, si este valabil la ambele semialternante, dar ne intereseaza asta doar in eventualitatea unui scurt pe iesire, doar atunci ne intereseaza interventia Q3, si cred ca ar avea rezerve destule ca sa intervina eficace chiar daca potentialul colectorului sau este usor ridicat ( probabil cateva zecimi de volt ). Sau cel putin asa vad eu lucrurile, un regim normal de functionare nu ar trebui sa fie afectat de Q3 pentru ca in acel moment Q3 se presupune ca este blocat. Daca gresesc va rog sa ma corectati.

Link spre comentariu

Daca tranzistoarele din protectie se monteaza lipite de finalii respectivi, atunci dependenta pragurilor de temperatura se poate exploata cu folos. Cu cât e mai fierbinte finalul (suprasarcina, racire defectuoasa), cu atât scade curentul la care incepe limitarea. Daca apar probleme din cauza capacitatii dintre final si tranzistorul din protectie, între cele doua se plaseaza o bucatica de tabla conectata la masa (radiator) sau se foloseste o saiba mare la fixarea finalului peste care se pune tranzistorul.

Link spre comentariu

Creează un cont sau autentifică-te pentru a adăuga comentariu

Trebuie să fi un membru pentru a putea lăsa un comentariu.

Creează un cont

Înregistrează-te pentru un nou cont în comunitatea nostră. Este simplu!

Înregistrează un nou cont

Autentificare

Ai deja un cont? Autentifică-te aici.

Autentifică-te acum
×
×
  • Creează nouă...

Informații Importante

Am plasat cookie-uri pe dispozitivul tău pentru a îmbunătății navigarea pe acest site. Poți modifica setările cookie, altfel considerăm că ești de acord să continui.Termeni de Utilizare si Ghidări