NMOS 500-Pareri pro si contra!

[Vizitator]

Pentru colegul Marian (sa nu se mai oboseasca cu simularea), si pentru sharky:

 

https://www.youtube.com/watch?v=I6w2hPF_8-o&feature=youtu.be

 

Daca se adauga o pereche de darlingtoane sau prefilnali+finali in loc de mosfeturi acestei scheme, avem un amplificator cvasicomplementar, evident si biasul va trebui recalibrat.

 

[hpavictor]

Fara cuvinte . 

[Mircea]

Claudiu, cine-i Paul Teodor? Nick-ul tau de Youtube?

[Marian]

Leco:

Colegu, cum poti sa spui cuiva ce teste sa faca daca nici tu nu le intelegi? Si spun asta deoarece clar nu intelegi schema ( si este una destul de cunoscuta ), nu ma intereseaza testul devreme ce eu inteleg principiul de functionare ( la fel si Dl Franzm ), lucru pe care din pacate inca nu il pot spune despre tine ( si jur ca nu e o ofensa, pe bune sunt dezamagit in sensul bun al cuvantului ), dar te conving eu ai sa vezi, important este sa renunti la incapatanarea cu care iti aperi convingerile deoarece un test este util doar atunci cand il si intelegi, cand intelegi principiile care au stat la baza rezultatelor acelui test, altfel il interpretezi pur mecanic si rezultatele vin pur intamplator...

 

 

Sa facem un zoom pe schema pusa de tine mai sus, ne intereseaza doar partea de jos a etajului final si VAS pentru ca ne intereseaza doar semialternanta negativa. Avem o sarcina conectata pe iesire, sa zicem 8 Ohm, sarcina evident este conectata intre iesire si masa, ok acuma la semialternanta negativa tranzistorul din VAS Q5 se deschide si trage catre -70Vcc baza Q8, in timp ce colectorul Q8 este dus inspre masa de chiar sarcina de pe iesire, asta face ca baza Q8 sa fie mai negativa decat colectorul si deci Q8 se deschide si simplist spus trage colectorul sau catre emitor, adica trage portile mosfetilor in sus catre iesire, si stim ca iesirea este dusa la masa de catre sarcina, ei bine stiind ca sursele MOS sunt permanent legate direct la -60Vcc ( si aici imi fac o erata, rezistentele de putere nu sunt catre minus Vcc asa cum ziceam mai sus ci catre iesire ), si poarta e dusa in sus de catre colectorul Q8 orice om cu scaun la cap intelege ca -70Vcc in VAS si/sau colectorul Q8 este complet inutil, la semialternanta negativa cand mosfetul de jos conduce, poarta sa se departeaza de cei -70Vcc in nici un caz nu se apropie ci este exact pe dos, dar nu se poate duce mai sus de masa si aceasta are o pozitie fixa la ambele tensiuni... e ceva elementar, e teorie de electronica elementara, n-ai voie sa nu o intelegi. Stii cum ar fi mers? daca emitorul Q8 ar fi mers la +10V peste iesire, atunci da, poarta nu mai este oprita de catre potentialul acesteia, ci este dusa in sus spre cei 10V, dar nu merge oricum ca ar pocni indata mosfetul, ci cu grija, si ceva de genul se intampla in schema postata de Dl Franzm, acolo poarta este dusa inspre plus peste iesire si deci nelimitata de masa.

 

O sa iti tot dau cu citatul asta in freza pana admiti ca te-ai inselat si ca ceea ce eu si Dl Franzm sustinem, este adevarat, la amarata aia de schema cu finali mosfet canal N, adica asta din poza decupata de mine, o tensiune mai mare pentru VAS la semialternanta negativa este fix pix, pur si simplu este complet INUTILA! Am explicat de ce, cand o sa lasi orgoliul si manipularile josnice la o parte si o sa admiti realitatea care te priveste fix in fata, atunci o sa iti raspund si eu obiectiv la intrebarile tale, pana atunci bucura-te de citat.

[Sharky]

Leco, nu stiu ce insisti cu intrebari inutile. Marian ti-a spus ca voltii in plus conteaza pe V+, iar pe V- sunt degeaba.

Am si un exemplu de comanda mai simplist gen puntea H.

Nu are rost sa bagi dume cu Rds on scoase din context. Se subintelege clar ca Rds on are valori normale gen maxim 0.5ohmi. Cele mai mari gen 5ohmi ti le lasam tie sa experimentezi practic cu ele. Noi stim deja la ce sa ne asteptam, iar daca ne batem putin capul iti putem spune si cam care ar fi pierderile.

 

Banuiesc ca esti de acord ca un amplif in general sta departe de clip, si in acest caz treaba cu saturatia e indiferenta, asa cum ai acceptat si tu. Oricum discutia e pe partea V-, care saturewaza si fara tensiune suplimentara asa cum e. Pe plus e alta poveste.

Nu vad de ce iti pierzi vremea cu uploadarea unor filmulete care demonstreaza ceea ce deja se stie.

Tu chiar credeai ca marian era de parere cum ca un amplif cu Vas la 50V poate duce finali alimentati la 100V? 

 

Asa ai dat-o si cu scanteile mele care sudeaza releul, doar ca orgoliul tau nu a putut sa accepte ca exista o chichita care te scapa de acea capcana. Pur si simplu nu accepti ca si altii pot avea idei care sunt diferite fata de manualu' de service crown.

[Marian]

Manualele de service pot fi o sursa importanta de inspiratie, dar numai in situatia in care nu iti scapa notiuni elementare de teorie, si cunosti cum functioneaza un tranzistor ( fie el mosfet sau bipolar ), si Leco arata probleme tocmai la capitolul functionare tranzistori, in postarile sale de aici, manualele de service sunt inutile daca ai astfel de probleme pentru ca de fapt nu le intelegi, vezi o solutie constructiva, ti se pare interesanta tie sau poate stii ca vine de la o firma de renume deci clar trebuie sa fie buna, o reproduci mecanic ca experienta practica ai, adica dai cu copy/paste ca-i simplu, dar de fapt n-ai inteles nici tu ce ai facut... Orice, dar absolut orice schema oricat de exotica sau complexa ar fi, este guvernata intotdeauna de vesnicul tranzistor si modurile sale de functionare, emitor comun, colector comun, baza comuna, intotdeauna una din modurile elementare de functionare ale unui tranzistor guverneaza strict orice solutie oricat de performanta sau exotica ar fi, pur si simplu nu se poate altfel. Asadar putin imi pasa mie ca o anumita schema vine de la Crown sau mai stiu eu ce firma, putin imi pasa mie ce ingineri au lucrat la faza de proiectare, eu stiu asa, mosfetul ala din poza decupata de mine este comandat numai si numai de catre -60Vcc, si stiu deci ca cei 10V in plus nu ajuta cu absolut nimic semialternanta negativa, ci doar pe cea pozitiva facilitand ridicarea portii peste drena, a explicat Dl Franzm deja fineturile acelei scheme, doar pentruca Leco este prea incapatanat sa accepte realitatea, nu inseamna ca aceasta realitate nu exista, ceva imi spune ca acum si Leco si-a dat seama de asta dar este prea orgolios ca sa isi permita sa spuna "m-am inselat eu", interesele sale nu-i permit asta, de aceea el manipuleaza orice discutie care incepe de la prostii debitate chiar de el, si cumva cumva se ajunge intotdeauna la vesnicele filme pe iutub si manipularea discutiei intr-acolo incat tot el sa aiba ultimul cuvant, adica simplist spus se incepe de la "tomatele rosii au culoarea rosie" si intr-un final se ajunge la discutarea despre "tomatele vinete, care sunt evident vinete"...

 

Am zis aici asa:

http://www.elforum.info/topic/99827-nmos-500-pareri-pro-si-contra/?p=1116710

 

Si citez:

 

Ce spui tu este valabil numai la etaje finale complementare cu ambele surse conectate la iesire, sau la configuratia postata de Dl Franzm

Am bolduit si marit putin fontul ca nu cumva orgoliul sa faca invizibila fraza, deci da Leco, la etaje finale complementare ( adica mai pe intelesul tau cu P-mos jos in loc de N-mos ) unde ambele ramuri au iesirea in sursele mosfetilor este normal ca artificiul sa fie eficace pe ambele semialternante, in ambele situatii portile sunt ridicate peste drene foarte usor, adica cei cativa V in plus de la VAS compenseaza ce? Pai compenseaza Vgs-ul necesar mosfetilor care la o alimentare comuna final+VAS se opreste din tensiunea livrata sarcinii, adica la nivel maxim sarcina primeste mai putin decat ar putea primi ( probabil 4-5Vv sau chiar mai mult la fiecare semialternanta ), deci la nivel maxim de volum ( dar numai si numai acolo ) artificiul cu alimentarea mai mare a VAS isi arata avantajul, la nivel de volum mai redus este irelevant. Este cat se poate de normal ca nu alimentezi un amplificator cu finali mosfet cu tensiune mai mica la VAS fata de finali, e o chestie elementara.

 

PS: Interventiile mele nu au ca scop desfiintarea legendelor tesute de Leco in jurul modulelor sale, ci intervin tocmai pentru ca are astfel de realizari ( de altfel foarte frumoase, poate printre cele mai frumoase de pe forum ), incepatorii cu siguranta acorda atentie autorului unor astfel de realizari, este normal sa fie asa, devreme ce ei inca nu au suficienta experienta ca sa discearna pleava de grau, se iau dupa spusele cuiva care arata astfel de realizari, problema mea este ca se lanseaza mituri care n-au nici o legatura cu realitatea, si omul de rand ramane in minte cu niste idei gresite care ii pot cauza esecuri in anumite situatii, asta incerc eu sa previn prin corecturile mele la adresa lui Leco, altfel putin mi-ar pasa mie ce face el si ce stie sau nu stie.

[Vizitator]

Cineva nu a inteles o chestie, si anume:

 

 

Am mai spus ca schema nu are NICIUN fel de protectii...

 

Se pot pune zennere de 12V intre G si S la mos-uri, desi la aceasta configuratie sint USELESS, fara limitare SOA care sa blocheze dupa VAS sau inainte.

 

In fine, o sa intervina sharky sa zica ca zennere de 6,2V vor face nus ce limitare, etc.

 

Ca sa storci maximul din acei finali, etajul VAS trebuie alimentat cu 10Vcc mai sus decit finalii, astfel incit mosurile sa fie deschise corect, altfel nu va fi decit un calorifer, disipatia pe finali fiind inutila daca atunci cind este nevoie de ea, nu obtinem R D-S on cit mai mica.

 

Iata originalul asa cum a fost facut de autor:

 

Nu comentez insa de BC din fata care sint oficial la 45Vce.

 

Sint genul de om care imi place sa storc ultimul watt posibil din o schema, cit mai mult din +/- Vcc sa apara la iesire sub forma de semnal sinusoidal.

 

Asta inseamna ca finalii sa fie condusi corect, fie mosfet, fie bipolari.

 

Ajung zilele astea pe Maica Domnului, sa cumpar o placa de test mai mare si niste N-mos-uri.

 

Voi face schema pusa de mine cu valorile STRICT sin schema (despre care ziceam ca este originala), si o voi alimenta simplu la +/- 50-60Vcc, am un traf ce ma poate ajuta.

 

Voi pune 4 ohm sarcina dummy, voi pleca cu radiatorul de la temperatura camerei, si voi deschide pina la max out rms la prag clipping, voi nota valorile obtinute dupa un test de 1-2 minute, filmat.

 

Apoi voi alimenta exact ca in schema, etajul vas cu 10V mai sus, EXACT cum am spus in Quote cu rosu, asta insemnind ori pe rail sus(+) cu inca 10V fata de +Vcc sau pe ambele ramuri (si pe -Vcc cu inca -10V adunati peste cei -60), mai pe scurt +/- 60Vcc pe forta si vas +70 cu -60, sau vas +70 cu -70 deci cu 20V mai sus fata de forta.

 

 

Daca cu etajul VAS alimentat mai sus decit forta, doar pe ramura pozitiva (10V in plus general la VAS) sau pe ambele ramuri (20V in plus la VAS) obtin citiva volti RMS in plus pina in clipping fata de vas si final la acelasi potential (practic repet experimentul ce acum ceva ani), veti mai avea ceva DE COMENTAT?

 

1 volt sau 2 volti sau 3 volti, oricit dar MAI mult decit clasic Vas=forta.

[Marian]

Colegu, cum poti sa spui cuiva ce teste sa faca daca nici tu nu le intelegi? Si spun asta deoarece clar nu intelegi schema ( si este una destul de cunoscuta ), nu ma intereseaza testul devreme ce eu inteleg principiul de functionare ( la fel si Dl Franzm ), lucru pe care din pacate inca nu il pot spune despre tine ( si jur ca nu e o ofensa, pe bune sunt dezamagit in sensul bun al cuvantului ), dar te conving eu ai sa vezi, important este sa renunti la incapatanarea cu care iti aperi convingerile deoarece un test este util doar atunci cand il si intelegi, cand intelegi principiile care au stat la baza rezultatelor acelui test, altfel il interpretezi pur mecanic si rezultatele vin pur intamplator...

 

 

Sa facem un zoom pe schema pusa de tine mai sus, ne intereseaza doar partea de jos a etajului final si VAS pentru ca ne intereseaza doar semialternanta negativa. Avem o sarcina conectata pe iesire, sa zicem 8 Ohm, sarcina evident este conectata intre iesire si masa, ok acuma la semialternanta negativa tranzistorul din VAS Q5 se deschide si trage catre -70Vcc baza Q8, in timp ce colectorul Q8 este dus inspre masa de chiar sarcina de pe iesire, asta face ca baza Q8 sa fie mai negativa decat colectorul si deci Q8 se deschide si simplist spus trage colectorul sau catre emitor, adica trage portile mosfetilor in sus catre iesire, si stim ca iesirea este dusa la masa de catre sarcina, ei bine stiind ca sursele MOS sunt permanent legate direct la -60Vcc ( si aici imi fac o erata, rezistentele de putere nu sunt catre minus Vcc asa cum ziceam mai sus ci catre iesire ), si poarta e dusa in sus de catre colectorul Q8 orice om cu scaun la cap intelege ca -70Vcc in VAS si/sau colectorul Q8 este complet inutil, la semialternanta negativa cand mosfetul de jos conduce, poarta sa se departeaza de cei -70Vcc in nici un caz nu se apropie ci este exact pe dos, dar nu se poate duce mai sus de masa si aceasta are o pozitie fixa la ambele tensiuni... e ceva elementar, e teorie de electronica elementara, n-ai voie sa nu o intelegi. Stii cum ar fi mers? daca emitorul Q8 ar fi mers la +10V peste iesire, atunci da, poarta nu mai este oprita de catre potentialul acesteia, ci este dusa in sus spre cei 10V, dar nu merge oricum ca ar pocni indata mosfetul, ci cu grija, si ceva de genul se intampla in schema postata de Dl Franzm, acolo poarta este dusa inspre plus peste iesire si deci nelimitata de masa.

 

Atata orgoliu si incapatanare ca la tine Leco nu cred ca am mai vazut la nimeni altcineva pe forum... ce dracu ma omule te doare inima sa zici "da ma, citatul asta este corect, da ma, la semialternanta negativa asa cum este poza aia decupata o tensiune in plus la VAS este inutila"? Sau ai impresia ca nu mai vinzi module daca admiti o data pe lumea asta ca poti si tu gresii? da ce men tu crezi ca exista electronistul perfect pe undeva pe planeta asta? Zau asa, ceva imi spune ca si tu esti de acord cu corectia din citat dar esti muuuuuult prea orgolios sa admiti, ca altfel daca intr-adevar in sinea ta nu esti de acord atunci iarta-ma dar lasa-le incolo de module, apuca-te de altceva, daca un principiu atat de elementar nu esti capabil sa il intelegi, n-ai ce sa cauti in electronica de nici un fel ( nu doar audio ), da sunt dur, si de data asta chiar admit asta, si nu-mi cer scuze pentru asta pentruca meriti asta, esti mult prea incapatanat...

[gab19]

Baieti va rog eu  mult nu va certati pt o banala schema ..Va rog eu..Leco am inteles ce am de facut ....Deci bc alea o sa le inlocuiesc cu 2n5551 si tot o data o sa am in calcul si sa mai adaug spire la traf pt a face ce ai spus tu mai devreme dar asta o voi face numai pe ramura pozitiva sa vad ce si cum...O sa il pun si pe osciloscop sa vad diferentele  si de temperatura si de putere ....dar va rog eu  mult sa nu ne mai certam intre noi ca nu rezolvam nimic eu am deschis acest topic intocmai pentru a stii ce adaug la schema si tot odata si la cablaj nu l-am deschis ca sa ivesc discutii intre voi!!!!

[Vizitator]

Ultima mea interventie pe acest topic.

 

Marian, hai sa iti spun o chestie, doua.

 

Daca dau gres dau gres nu gresi.

 

Men este pluralul de la man, adica "omule" in engleza (man).

 

In fine.

 

Am pus pe pagina anterioara un test, la care nu te-ai catadicsit sa raspunzi, desi ERAI logat si ai citit postarea, nu ai raspuns, nu ai raspuns pentru ca habar nu ai de ce cu etajul vas alimentat mai jos, tensiunea RMS la iesire este mai mica, si DACA era mai mica, mai mare sau identica.

 

Eu ce ce m-as sinchisi sa-ti raspund?

 

Testul era acesta:

 

Luam de exemplu etaj final tip Leach, full simetric cap coada, sau un modul de-al meu, ca tot simetric cap coada este.

 

Situatia 1:

 

Alimentez general cu +/- 100Vcc.

 

Injectez la intrare semnal sinusoidal de 1kHz,, ridic nivelul pina obtin circa 70-73Vrms/8 ohm la iesire pina in clipping, etajul vas si diferential (deci toata partea din fata) fiind alimentata din cei +/- 100Vcc.

 

Situatia 2:

 

Pastrez cei +/-100V pentru finali+prefinali (partea de forta), pastrez acelasi nivel de intrare anterior, dar scad VAS si diferentiale la +/- 70Vcc.

 

 

Voi avea la iesire tot acei 70-73Vrms pe aceeasi 8 ohm sarcina?

 

Voi avea MAI MULT?

 

Voi avea MAI PUTIN?

 

 

Daca stii de ce, spune-o aici, sa vada toti, daca vrei eu spun deja pe un alt forum, si confruntam apoi raspunsurile, confruntind si timpul in care am postat, sa nu crezi ca te copiez.

 

Aceeasi chestie este valabila si pentru sharky, care a dat raspunsul evident dupa ce a vazut filmul, daca stie de ce tensiunea este mai mica in testul 2, este invitat si el sa ne spuna.

 

Tu nu aveai cum sa stii asta, pentru ca NU ai avut timp sa pui repede schema in simulator si sa te joci, sa vezi ce se intimpla, ca sa poti posta.

 

Recunoaste ca fara simulare, electronica ta tinde spre o cifra mica sub 2 digiti, primul fiind 1, iar ce stii se cam reduce la pdf-urile anumitor circuite electronice care se gasesc pe net si pot fi puse usor in simulator, cit si diverse scheme care deja au fost experimentate de altii, inainte.

 

Inafara de acele surse din semnatura, facute dupa pdf-ul de test al circuitului in mare parte, si amplificatorul MP100, alte realizari IMPORTANTE, nu prea vad, dar NU asta conteaza.

 

Diferenta dintre ceea ce realizez eu fata de tine ca, complexitate, performante, putere, este cam mare, deci ceva distanta de kilometrii intre noi, asta ca tot ai spus ca EU nu am ce cauta in electronica, nici macar in audio...

 

Si nu cred ca incerci sa-l copiezi pe Victor (in ironii si postari flegmatice), care este deja in lista mea de ignore, primul, si sper si ultimul de pe acest forum.

 

Tu esti un baiat mult mai OK decit el, imi pare rau sa zic asta (denigrindu-l involuntar pe el), insa postarile lui rautacioase din ultima perioada nu numai catre mine, in general vorbesc, ma determina sa cred ca l-am considerat GRESIT ca prieten...

 

Acum il inteleg pe Viobio, de ce nu a fost binevenit la intilnirile lamparilor, si inclin sa-i dau dreptate...

 

Ca atare este acolo unde ii este locul, conform motto-ului sau.

 

Dar sa revin:

 

Daca citeai atent postul meu, mai scriu inca o data,

 

Am mai spus ca schema nu are NICIUN fel de protectii...

 

Se pot pune zennere de 12V intre G si S la mos-uri, desi la aceasta configuratie sint USELESS, fara limitare SOA care sa blocheze dupa VAS sau inainte.

 

In fine, o sa intervina sharky sa zica ca zennere de 6,2V vor face nus ce limitare, etc.

 

Ca sa storci maximul din acei finali, etajul VAS trebuie alimentat cu 10Vcc mai sus decit finalii, astfel incit mosurile sa fie deschise corect, altfel nu va fi decit un calorifer, disipatia pe finali fiind inutila daca atunci cind este nevoie de ea, nu obtinem R D-S on cit mai mica.

 

Iata originalul asa cum a fost facut de autor:

 

Nu comentez insa de BC din fata care sint oficial la 45Vce.

 

intelegeai ca m-am referit la schema GENERALA, nu pe sectiuni, desi am postat inaintea primei tale postari pe topic si versiunea de schema cu 10V in plus la VAS doar pe railul pozitiv, pe care a pus-o si colegul franzm.

 

Schema respectiva (cea pusa de mine) a fost testata si fumata demult, dupa modificarile facute de mine, si in principiu NU este o schema rea, dar se imbunatateste foarte usor de la versiunea initiala, cea postata pe prima pagina.

 

 

 

Acum daca vrei sa continuam orice discutie, astept sa dai un raspuns aici, ACUM , la asta:

 

Voi face schema pusa de mine cu valorile STRICT din schema (despre care ziceam ca este originala), si o voi alimenta simplu la +/- 55-60Vcc, aceeasi tensiune si pentru finali si pentru VAS si diferential, am un traf ce ma poate ajuta pentru acest test.

 

Voi pune 4 ohm sarcina dummy, voi pleca cu radiatorul de la temperatura camerei, si voi deschide pina la max out rms la prag clipping, voi nota valorile obtinute dupa un test de 1-2 minute, filmat.

 

Iau DOAR ca exemplu ca s-ar obtine o tensiune de circa 27Vrms la prag de clipping, pe sarcina de 4 ohm.

 

Apoi voi alimenta exact ca in schema, etajul vas cu 10V mai sus, EXACT cum am spus in Quote cu rosu, asta insemnind ori pe rail sus(+) cu inca 10V fata de +Vcc si apoi pe ambele ramuri (si pe -Vcc cu inca -10V adunati peste cei -55-60), mai pe scurt +/- 55-60Vcc pe forta si vas cu 10V (doar +rail) mai sus, apoi cu 20V mai sus (cite 10V pe ambele rail-uri).

 

Intrebarea etse simpla si este pentru toata lumea:

 

Pastrind partea de forta egala in ambele cazuri si alimentind VAS si diferential cu 10volti, respectiv 20volti(si pe -Vcc rail) MAI MULT decit forta, voi obtine tot acei circa 27Vrms ca in primul test, sau tensiunea rms la iesire va mai creste un pic, cu 1-2V fata de testulk initial?

 

Eu spun de pe acum ca la testul 2 in care VAS este alimentat mai sus decit final forta, cu 10 sau 20Vcc, iesirea va avea nivel mai mare cu pina la 2V pina in prag de clipping, si nu identic sau mai mic decit in testul initial in care VAS si diferential au alimentarea exact cit partea de forta.

 

Ma poti contrazice?

 

Daca da, fa-o.

 

Eu am experimentat acel amplificator si stiu ce poate, in ambele versiuni ale alimentarii VAS si diferential mai mare sau egal cu partea de forta.

 

Tu nu l-ai experimentat, si n-ai de unde sa stii cum se comporta decit daca il faci sau evident simularea scrie pe el.

 

Chiar mi-as dori sa pui schema in simulator si sa testezi in ambele variante sa vedem ce rezultate obtii si apoi sa confruntam cu realitatea.

 

Ca sa fie concludent, voi folosi 2N5551 atit pe intrare si in GCC, MJE340-350 mai departe, si IRFP360 pe post de finali, toate celelalte componente for respecta schema, ca aranjament cit si ca valori, mai putin bobina de la iesire care va avea 1,4uH nu 14.

 

Aceasta este schema pentru care iti solicit raspunsul la testul de mai sus, si pe care o voi executa, sper saptamina viitoare, sa fac rost de o placa de test.

 

Gasesti spice pentru toate cele enumerate mai sus.

[hpavictor]

Copile , lasa-ne / lasa-te .

[Marian]

Leco 'men', tu ai impresia ca am timp sau chef sa citesc toate elucubratiile pe care le postezi? am vazut aseara ce ai intrebat dar n-am avut chef sa-ti raspund, nu pentru ca nu as fi pus in simulator ( daca tu ai impresia ca prostiile debitate de tine ma afecteaza, te inseli ), ti-am mai zis de atatea ori, spre deosebire de tine eu chiar stiu cum functioneaza un tranzistor si pentru o chestie atat de banala nici un electronist care se respecta nu are dreptul sa ceara parerea unui simulator si nici macar a unui test practic, pur si simplu nu ai voie sa te numesti electronist daca nu intelegi o chestie atat de banala, te poti numi doar incepator. Ti-am explicat in postarea anterioara de ce se obtine tensiune mai mare, dar ori nu ai citit atent deci nu ai retinut, ori nu intelegi sau nu vrei sa intelegi, situatie in care iarta-ma dar nu ai ce cauta la o sectiune profi, locul tau in atare situatie ar fi numai la sectiunea incepatorilor. Oricine poate reproduce mecanic scheme si solutii constructive gandite de altii, nu e mare filosofie, tu arati ca in ciuda atator experimente facuite de fapt habar n-ai de ce obtii rezultatele alea.

 

Si cu asta promit sa incetez offtopic-ul, si cer scuze autorului subiectului, in caz ca mai am ceva de spus la obiect o sa revin, daca nu, ii doresc spor la lucru lui @Gab19.

[Vizitator]

Marian, de unde aduce bipolarul +8v pt porti daca are emitorul la drenele mos iar acestia trebuie sa fie saturati pt o excursie maxima la iesire?

[Marian]

Am explicat deja in citatul ala, a mai explicat si Franzm, mai multe nu vad ce as putea spune, adica nu sunt sigur ca inteleg intrebarea Dvs.

[Vizitator]

Am vrut sa editez dar am intarziat prea mult. Ce am vrut sa scriu:

 

REVIN: acum am inteles ca la postarea lui Franzm era de fapt o adresa, eu copiasem numai pdf-ul postat de Leco unde emitorul are acel potential pozitiv necesar deschiderii complete a mos-urilor.

Discutia a fost asa infierbantata incat am crezut ca discutati de schema propusa de initiatorul topicului.

Puterea de concentrare a scazut asa de mult incat evit sa mai postez iar cand am crezut ca pot fi util am realizat ca trebuie sa trec pe tusa.

Felicitari pt nivelul la care ai ajuns, este bine ca cineva tanar lupta pt mentinerea unui nivel rezonabil al "electronicii" analogice pe forum chiar daca in circuite relativ simple ca amplificatoarele audio si sursele de alimentare.

 

O sa raman cu postari la vanzari, cumparari si bodega.