NMOS 500-Pareri pro si contra!

[gab19]

Salutare dragi colegi!

M-am hotarat sa fac un amplificator audio de putere dar de data aceasta am ales sa folosesc o schema bazata pe mos-feti ... Cu ajutorul googalitului am reusit sa gasesc schema amplificatorului NMOS 500. Acum ma adresez dumneavoastra prin a va da cu parerea fiabilitatii schemei si tot o data cu functionalitatea in conditii normale...Deci pe scurt vreau sa-mi spuneti daca am facut o alegere buna sa daca nu am facut o alegere buna!aceasta este schema  http://2.bp.blogspot.com/-Ar5kyL_zv8s/TflTa8Ud9lI/AAAAAAAAAc8/dLmq3oabosA/s1600/Nnmos350-500schematic.png      si acesta e cablajul http://4.bp.blogspot.com/-3vcTKSCjCYo/TflcmDp-LvI/AAAAAAAAAdE/eVdNxD-Yohc/s1600/nmos350-500layout%2526tracks-3%25264.png

 

 

 

VA MULTUMESC ANTICIPAT!!!!

[Vizitator]

Cu 2 mici modificari, aceasta schema este OK,

 

Prima este la semireglabilul de bias, a doua la alimentarea etajelor diferential si VAS cu o tensiune mai mare cu 10v pe ramura fata de finali.

 

Atentie, schema NU are protectie de nici un fel!

[franzm]

"Cu 2 mici modificari, aceasta schema este OK,

Prima este la semireglabilul de bias"  Adica se realizeaza o conexiune suplimentara între cursor si capatul dinspre R13.

"a doua la alimentarea etajelor diferential si VAS cu o tensiune mai mare cu 10v pe ramura fata de finali." Inutila la schema de fata, chiar periculoasa în lipsa unei protectii la supratensiuni sursa-poarta la finalii de pe ramura minus.

[Vizitator]

Am mai spus ca schema nu are NICIUN fel de protectii...

 

Se pot pune zennere de 12V intre G si S la mos-uri, desi la aceasta configuratie sint USELESS, fara limitare SOA care sa blocheze dupa VAS sau inainte.

 

In fine, o sa intervina sharky sa zica ca zennere de 6,2V vor face nus ce limitare, etc.

 

Ca sa storci maximul din acei finali, etajul VAS trebuie alimentat cu 10Vcc mai sus decit finalii, astfel incit mosurile sa fie deschise corect, altfel nu va fi decit un calorifer, disipatia pe finali fiind inutila daca atunci cind este nevoie de ea, nu obtinem R D-S on cit mai mica.

 

Iata originalul asa cum a fost facut de autor:

 

Nu comentez insa de BC din fata care sint oficial la 45Vce.

[franzm]

Nu merge pe ramura minus pt ca sunt tranzistoare NMOS care pentru o "comanda ferma" necesita tensiune pozitiva pe poarta în raport cu sursa. Cei -70V nu ajuta cu nimic la "comanda ferma" iar daca la pornire apar înaintea celor -60V se poate strapunge stratul de oxid al portii.

Asa ca ramânem cu cei +70V care pot duce la o asimetrie puternica la semnal mare, aproape de limitare (clipping asimetric).

Cei +70V au sens numai la scheme de tipul Actrk. 

Sau BUZamp (Siemens).

Editat Ianuarie 28, 2015 de franzm

[Vizitator]

Tensiunea intre G si S , chiar si pe railul negativ devine mai mare cu -10V fata de cei +/- 60Vcc, conteaza polaritatea, tensiunile se insumeaza, poti incerca!

 

Am facut mai demult aceasta schema, in montaj pe placa de test, si a functionat OK, doar ca atunci foloseam IRFP260N, mosuri foarte robuste dar cu o capacitate prea mare, sa fie comandati fara buffer tottem pole sau driver specializat.

 

Raspunsul in dreptunghiular la 20kHz era urit, de sunat la ureche suna frumos.

 

Comportamentul la clipping era simetric.

 

Daca alimentam ampliful din sursa comuna pentru finali, pierderile pe finali erau mult mai mari decit dupa modificarea cu +/- 10Vcc mai sus, VAS si restul.

 

Aveam si schema pusa de tine mai sus, insa dupa cum am mai spus, in audio, NU ma incinta mos-urile la puteri mari.

 

Eu ma opresc aici, nu doresc polemici, initiatorul topicului, face precum doreste el.

 

Recomand in fata si la generatorul de curent constant, niste tranzistori cu Vce de min 100Vcc gen 2SC1845, 2SC2240, sau 2N5551etc.

[Sharky]

De ce nu un etaj driver. Nu e mare lucru de implementat, iar in aceasta schema se poate pune pe buna dreptate un totem pole.

Nu de alta, dar am vazut sugestie de totem pole pt etaje complementare, lucru inutil in opinia mea. Un repetor pe emitor ofera curenti mari fara probleme.

 

Cu zenerele bine ai scris-o, ele nu trebuie sa lipseasca!

Daca tot e sa te apuci de ceva greu, mai bine alege alta schema.

[Marian]

Leco nu te supara dar Dl Franzm are dreptate intrutotul, cei 70V chiar nu te ajuta la absolut nimic ( poate doar disipatie suplimentara pe VAS ), zau asa e simplu, un mosfet canal N are nevoie ca poarta sa fie mai pozitiva decat sursa cu un anumit numar de volti ca astfel incat canalul DS sa inceapa sa conduca curent, ei bine sursa mosfetului de jos chiar in schema pusa de tine mai sus este dusa de catre rezistenta de putere la -60Vcc, poarta este dusa de catre Q8 in sus catre iesire, adica portile mosfetilor de jos sunt inseriate cu insasi sarcina atunci cand semilaternanta negativa este redata, deci cei 70V de dinainte nu ajuta cu absolut nimic deoarece mosfetii sunt comandati numai si numai de catre cei 60V. Ce spui tu este valabil numai la etaje finale complementare cu ambele surse conectate la iesire, sau la configuratia postata de Dl Franzm, dar Nmos-urile astea ( ma refer la configuratia schemelor cunoscute sub numele de N-Mos ) pur si simplu n-au ce sa faca cu acei 10V in plus, uita-te mai atent si o sa intelegi, ca daca nu atunci elaborez si ai sa intelegi.

 

LE: Si mai gresesti undeva, dar intai sa te lamuresc de chestia asta si apoi mai vedem, si-o sa-mi fac o misiune din a te lamuri.

[Vizitator]

Fa montajul experimental, alimenteaza-l din aceeasi tensiune diff+vas+final, de ex +/- 60Vcc.

 

Calibreaza cit de cit offset, apoi bias, si re-verifica offset.

 

Cind ai ajuns la offset cit mai mic, recalibreaza bias la 90mA (30 per final), cu radiatorul la cca 25 grade

 

Pune sarcina dummy de 4 ohm, pune osciloscop la iesire, si unalt osciloscop (sa fi separat galvanic) intre G si S la mosfetul de sus, sa zicem.

 

Injecteaza semnal de 1000Hz sinusoidal si vezi ce excursie de tensiune ai la iesire pe o sarcina rezistiva de 4 ohmi pina in clipping,  vezi ce tensiune arata osciloscopul intre G si S la mosfet masoara temperatura radiatorului dupa 2-3 minute, noteaza valorile.

 

Pastreaza intreg setup-ul si alimenteaza partea de VAS+ diferential cu +/- 10V mai mult decit finalii.

 

Recalibreaza offset si bias si repeta identic testele.

 

Vei avea o surpriza dubla, ceva Vrms in plus pina in clipping si radiatorul finalilor mai rece decit in primul test.

 

De ce oare?

 

Te las sa faci montajul pe placa de test, si apoi revii, succes.

 

Discutam dupa.

[Marian]

Colegu, cum poti sa spui cuiva ce teste sa faca daca nici tu nu le intelegi? Si spun asta deoarece clar nu intelegi schema ( si este una destul de cunoscuta ), nu ma intereseaza testul devreme ce eu inteleg principiul de functionare ( la fel si Dl Franzm ), lucru pe care din pacate inca nu il pot spune despre tine ( si jur ca nu e o ofensa, pe bune sunt dezamagit in sensul bun al cuvantului ), dar te conving eu ai sa vezi, important este sa renunti la incapatanarea cu care iti aperi convingerile deoarece un test este util doar atunci cand il si intelegi, cand intelegi principiile care au stat la baza rezultatelor acelui test, altfel il interpretezi pur mecanic si rezultatele vin pur intamplator...

 

 

Sa facem un zoom pe schema pusa de tine mai sus, ne intereseaza doar partea de jos a etajului final si VAS pentru ca ne intereseaza doar semialternanta negativa. Avem o sarcina conectata pe iesire, sa zicem 8 Ohm, sarcina evident este conectata intre iesire si masa, ok acuma la semialternanta negativa tranzistorul din VAS Q5 se deschide si trage catre -70Vcc baza Q8, in timp ce colectorul Q8 este dus inspre masa de chiar sarcina de pe iesire, asta face ca baza Q8 sa fie mai negativa decat colectorul si deci Q8 se deschide si simplist spus trage colectorul sau catre emitor, adica trage portile mosfetilor in sus catre iesire, si stim ca iesirea este dusa la masa de catre sarcina, ei bine stiind ca sursele MOS sunt permanent legate direct la -60Vcc ( si aici imi fac o erata, rezistentele de putere nu sunt catre minus Vcc asa cum ziceam mai sus ci catre iesire ), si poarta e dusa in sus de catre colectorul Q8 orice om cu scaun la cap intelege ca -70Vcc in VAS si/sau colectorul Q8 este complet inutil, la semialternanta negativa cand mosfetul de jos conduce, poarta sa se departeaza de cei -70Vcc in nici un caz nu se apropie ci este exact pe dos, dar nu se poate duce mai sus de masa si aceasta are o pozitie fixa la ambele tensiuni... e ceva elementar, e teorie de electronica elementara, n-ai voie sa nu o intelegi. Stii cum ar fi mers? daca emitorul Q8 ar fi mers la +10V peste iesire, atunci da, poarta nu mai este oprita de catre potentialul acesteia, ci este dusa in sus spre cei 10V, dar nu merge oricum ca ar pocni indata mosfetul, ci cu grija, si ceva de genul se intampla in schema postata de Dl Franzm, acolo poarta este dusa inspre plus peste iesire si deci nelimitata de masa.

[Vizitator]

Ok, e ca tine, eu ma abtin in continuare de la orice alt comentariu pe aceasta schema.

 

Doar ca am vorbit prin prisma montajului EXPERIMENTAT, de MINE, deci cu tranzistorii pe placa si pe radiator.

 

Nu uita ca acum citiva ani cind m-am logat pentru intiia oara pe acest forum, aveam sute de amplificatoare facute la viata mea, depasisem demult mia de wati, iar tu intrebai de o banala schema de 100W.

 

Ai deprins multe intre timp, jos palaria, insa ai drum lung pina sa ma ajungi.

 

Fara sa te superi sau cu iz de jignire.

 

Am spus clar, nu stiu teorie multa decit baza, nu le am cu calculele mai mult decit imi este necesar, insa piesele puse de mine pe o placa, odata ce au fost puse, LUCREAZA, culmea cam ireprosabil, si cam daca nu chiar cele mai mari puteri de pe forum, cel putin pina astazi.

 

Cred totusi ca experienta mea in domeniul amplificatoare audio de putere MARE, are ceva greutate in rucsac.

 

Voi, niciunul de pe forum NU ati facut pina acum, teste LA SINGE, sa stoarceti ultimul watt dintr-o schema, asa cum le fac eu.

 

Va mai mirati de ce banalele mele module pot debita dupa cum ati vazut in filmari, puteri de peste 1000W rms curati, sustinuti, cu niste radiatoare mici, cu doar 6 finali/brat, etc.

 

 

Sa va spuna Raimond, cind la prima intilnire a lamparilor am pus acel amplificator sa lucreze pe 1 OHM, da 1 OHM, si lucra RECE, nici macar nu au ajuns ventilatoarele la 60-70%, dupa minute de 1 ohm la p-max aproape, basca scurturi pe iesire.

 

Voi v-ati bazat intotdeauna pe simulari, simulari si iar simulari.

 

Simulati fratilor in continuare, in loc sa testati la singe, ramineti la acel stadiu, nu va obliga nimeni la mai mult!

 

Daca vrei discutam NUMAI dupa ce faci montajul cu minutele tale si experimentezi  cu cele 2 versiuni de alimentare, comuna, sau cu VAS si diff cu 10V mai mult.

 

Noroc.

[Marian]

Uite Leco vezi cum esti tu? te incapatanezi sa sustii niste mituri care n-au legatura cu realitatea, devii agresiv si o tii una si buna cu testele. Intelege o data ca n-am nevoie nici de simulator si nici de test practic ca sa imi dau seama ca pentru semialternanta negativa 10V in plus la schema pusa chiar de tine sunt complet si eminamente inutili. E cat se poate de simplu de inteles pentru oricine stie cum functioneaza un bipolar PNP asa cum este Q8 acolo ( tu arati ca nu stii cum functioneaza ), si totodata lesne de inteles pentru cine intelege cum functioneaza la modul complet elementar un mosfet canal N ( si iarasi tu insuti dovedesti ca nu stii cum ). Nu te supara ca zic astea dar nu fac decat sa folosesc stilul tau ca vad ca doar la asa ceva esti receptiv, frustrant este ca nimeni altcineva nu se implica saturati fiind de polemicile cu tine, si miturile tale paralele de realitate devin legi nescrise pentru cei mai putin dotati, si asa se propaga prostia cat priveste electronica.

 

Cer scuze pentru offtopic si ma opresc aici.

[Sharky]

Am si eu o intrebare simpla. Daca eu las mosfetul ala din poza lui marian si in drena ii pun sarcina, sa zicem 4ohmi, iar grila o pun la masa.

Sursa ramane ca in poza la V-. Ce se intampla cu mosfetul oare?

Se satureaza la 0V sau raman 5-10V pe el?

 

Comenzile de motoare din punte H de la o masinuta cu telecomanda facuta in timpul facultatii asa erau comandate. Vreau sa stiu daca le-am facut corect sau nu. Indiferent ce am masurat cu voltmetrul. Poate n-am masurat bine, mai stii?

Vorba aia, practica, nu simulari!

 

Ce zice Leco se aplica doar pe alternanta +. Pe - nu e nevoie din motive evidente.

[Vizitator]

Marian, daca pentru tine, citiva volti rms in plus, 2-3 cit sint acolo, din aceeasi alimentare, si radiator mai rece (mosurile deschise FERM catre minim rezistenta intre drena si sursa) nu conteaza, eu imi bat capul degeaba, si crede-ma am altele de facut.

 

Puna mina si fa experimentul cu mina ta, testeaza si apoi discutam, vei vedea cu 1,8 pina la 3,3Vrms MAI MULT in varianta cu +10V in vas si diferential,(alimentarea de forta fiind fixa) depinzind de ce fel mosuri folosesti.

 

Retine, IRFP-urile toate sint mosuri uz industrial care sint deschise FERM catre 10Vds, evident conductia incepe mai jos, dar minim rds-on este asigurat la 10V in catalog.

 

Rezistenta interna mai mica=pierderi mai mici, sper ca,,, cu asta esti de acord.

 

Daca schema folosea mosuri dedicate audio, gen 2SJ, 2SK, care la 4-5 volti sint deschise aproape complet (min r-ds on), era altceva, insa ma spun o data, IRFP 450-460-260-740, si cele cu care am vazut acest tip de schema ca fiind echipata, sint industriali, nu audio.

 

Culmea, am scheme de amplificatoare de casa, de la sony, care folosesc mosuri 2SJ,2SK, unde tot asa, etajul vas si restul sint alimentate la tensiune mai mare decit finalul.

 

Nu ma face sa rascolesc in arhiva de cd-uri, sa iti pun o schema de acolo.

 

Oare si aia sint dobitoci?

 

Cind ai sa intelegi asta, si vei experimenta o schema clasica de exemplu cum este asta, cu n-mos, cu 2 tiputi de finali, unii cu destinatie audio si ceilalti cu uz industrial, si vei intelege, si observa anumite diferente intre ele, vei spune, ba, avea dreptate boul ala de Leco...

 

A experimentat fira-r el al naibii, si cu d-aia, si cu d-ailalti, si stie, de aia ii merg finalele alea ca la carte.

 

Electronica se face cu letconul si piese, nu numai cu simulari, si interpretari de scheme, realitatea difera de simulare, de multe ori in bine, de cele mai multe ori in prost.

 

Este ca si cu motocicleta, inveti urcindu-te pe ea, nu scriind pe forumuri de motociclism...

 

Acum inteleg cum stoarce ultimul watt SAFE din niste finali.

 

Succes!

 

Ma intorc la lipituri, am se stors iarasi peste 1000W din 6 finali.

[franzm]

La schema de la #4, la curenti de drena mari, caderea de tensiune de pe rezistoarele din drenele finalilor de pe ramura minus reduce tensiunea drena-sursa a acestora (cu ca. 2,5V la ID=5A) ceea ce reduce puterea disipata (cu ca 7,5W pe tranzistor la ID=5A) si permite coborârea potentialului drenelor sub cel al portii. Tensiunea de -70V permite un curent mai mare prin rezistorul din colectorul lui Q8 si ajuta la închiderea mai rapida a finalilor de pe minus prin descarcarea capacitatilor portii catre o tensiune mai negativa decât sursa, dar nu ajuta la deschiderea puternica a finalilor.

Pe ramura plus, tensiunea de +70V permite de asemenea un potential al portilor peste cel al drenelor (+60V). Prin alegerea corespunzatoare a tensiunilor de alimentare si a valorilor rezistoarelor din sursele si respectiv drenele finalilor, se pot obtine conditii de functionare identice/simetrice pentru finalii de pe cele doua ramuri. Pentru valori egale ale rezistoarelor din sursa si drena se poate obtine excursie simetrica la iesire.

La schema de la începutul topicului, excursia simetrica se obtine prin alegerea corespunzatoare a valorii lui R21. Puterea disipata de catre finali este mai mare la acest amplificator decât la cel de la #4. O tensiune de alimentare negativa a VAS mai mare (în valoare absoluta) decât a finalului nu are, în lipsa rezistoarelor din drenele T12,14,16, decât un efect redus asupra puterii disipate de catre acestea (si numai a frecvente mari).

La schema Actrk (cea de la #6), în semialternanta negativa, T7permite o tensiune pe surse mai mare decât pe drene, adica o conductie mai "puternica" a finalilor de pe ramura minus (cadere de tensiune pe ele mai mica). Prin acest artificiu se obtine o rezerva de tensiune suficienta pentru "comanda ferma" a finalilor de pe ramura minus. Divizorul de tensiune din baza lui T7 nu este necesar pentru acest lucru, amplificatorul ar functiona la fel de bine cu baza lui T7 legata la masa. Pentru ramura plus, pentru a obtine acelasi lucru, este necesara o tensiune de alimentare VAS mai mare decât a finalilor.

Rolul divizorului (R20,21) este de a asigura tensiuni CE apropiate pentru tranzistoarele din cel de-al doilea etaj diferential (T6,8), tensiunea din baza lui T7 urmarind tensiunea de iesire într-un mod asemanator cu tensiunea din colectorul lui T8.

Edit: Îmi cer scuze daca expunerea mea se suprapune peste cele de mai sus.

Editat Ianuarie 28, 2015 de franzm