Marian Postat August 16, 2015 Partajează Postat August 16, 2015 Nu este mult 1n, ci ar fi cam pe unde trebui, nu uita ca C-ul pus pe primar compenseaza pentru ambii mosfeti. Link spre comentariu
Mircea Crisan Postat August 16, 2015 Partajează Postat August 16, 2015 Nu uita nici tu ca in primar apar tensiuni de varf de peste 200V care cresc odata cu cresterea consumului. Si cum in calculul puterii rezistorului apare patratul tensiunii parca totusi ar fi cam mult. Nu tin sa am dreptate dar recomand o " subber-rirea" mai puternica in secundar. Chiar si 1W cat iti da tie pentru 200V , 50kHz si 1nF sunt greu de suportat pentru un rezistor de 5W din zilele noastre. Nu stiu daca tot ce se scrie pe forum este corect si aici ma includ si pe mine. Link spre comentariu
Marian Postat August 16, 2015 Partajează Postat August 16, 2015 Aici vorbesc din propria experienta atunci cand spun ca alegand valori conform cu sugestiile lui Smilex, de regula iese in ok, si acel 1n este estimat tocmai conform cu asta. Frecventa este undeva pe la 40khz, tensiunea la care se face off este cca 150V, C1n, deci disipatia pe R este de cca 0,9W, o rezistenta de 3W este suficienta. Este pretul platit folosirii unui mosfet cu capacitati mai mari, la IRF840 spre exemplu, ar fi fost probabil deajuns 330-470p ceea ce ar fi insemnat sub 0,5W disipatie pe R. Evident ca fiecare poate face asa cum crede el mai bine. Cel mai sigur este ajustarea asistata de osciloscop, numai ca din cate am inteles in cazul de fata nu se detine asa ceva. Link spre comentariu
UDAR Postat August 16, 2015 Partajează Postat August 16, 2015 (editat) Snubber-ul are în principal rolul de reducere a oscilațiilor de frecvență ridicată care apar la blocarea semiconductorului ( tranzistor sau diodă ) datorită capacităților și inductanțelor parazite din circuit. Această reducere se face prin adăugarea la circuit a unei rezistențe ca element disipativ ( celelalte fiind reactive ). Această rezistență nu se poate introduce în serie efectiv cu elementele reactive decât cu pierderi importante de putere activă , de aceea se folosește un artificiu. Se adaugă un condensator fizic în paralel cu condensatorul parazit și în serie cu acesta se introduce rezistența. Valoarea acestui condensator este un compromis. Cu cât este mai mare , cu atât el face neglijabil condensatorul parazit preluând deci controlul asupra oscilațiilor dar cu atât mai mult cresc pierderile în rezistență determinate de frecvența utilă ( de comutație ). O regulă empirică spune că să fie de 4-5 ori mai mare decât capacitățile parazite. Acestea sunt, de asemenea , greu de estimat. Data sheet-ul ne dă o valoare la o tensiune - la ce tensiune ar trebui luat ? Păi , după mine , la tensiunea de blocare căci atunci se produc oscilațiile. Avem în acest caz valori de ordinul a 100 pF ( grosso modo ) per tranzistor deci 200 pF pe ambii. Se mai adaugă câteva zeci de pF din alte surse , deci , cum spuneau colegii mai sus , 1nF pare a fi o valoare indicată. O dată condensatorul determinat se poate afla rezistența pentru amortizarea optimă din R = 1/2*sqrt ( Lp/Ctot) unde Lp este inductanța parazită - în principal inductanța de scăpări a transformatorului în cazul nostru iar Ctot este capacitatea după ce am introdus condensatorul fizic. Pentru o inductanță parazită de sute de nH avem zeci de ohmi la 1 nF. Sigur, cu un osciloscop putem determina frecvența oscilațiilor parazite cu și fără condensatorul fizic . Apoi determinăm inductanța parazită și apoi rezistența. Puterea disipată se determină la valori medii ale tensiunii primare (de ordinul a 160 Vpk la schema noastră) dar , desigur , se ia un coeficient de siguranță. O rezistență de 3W este mai mult decât acoperitoare ( la 1nF și 50 kHz ). În legătură cu snubber-ul din secundar. La aceast tip de convertor nu avem niciodată ambele ( sau toate patru ) diode blocate simultan. O tendință de ringing pe dioda blocată este amortizată de ramura în conducție. În plus , oscilația apare în amonte de bobina deci este atenuată mult spre ieșire. Bucla radiantă este normal extrem de mică - la o realizare cât de cât corectă - deci și pericolul de EMI este redus. Singura problema ar putea fi o oarecare creștere a tensiunii inverse pe dioda blocată , dar nu alegem niciodată la limită această diodă . EDIT Am introdus 1/2 în formula rezistenței pentru atenuarea critică ( DF = 1). Editat August 16, 2015 de UDAR Link spre comentariu
Mircea Crisan Postat August 16, 2015 Partajează Postat August 16, 2015 O regulă empirică spune că să fie de 4-5 ori mai mare decât capacitățile parazite. Eu asta contest. Nu are aplicabilitate practica. Link spre comentariu
Marian Postat August 16, 2015 Partajează Postat August 16, 2015 Si de ce ma rog? Link spre comentariu
Mircea Crisan Postat August 16, 2015 Partajează Postat August 16, 2015 Am testat si va lua foc rezistenta serie. Link spre comentariu
UDAR Postat August 16, 2015 Partajează Postat August 16, 2015 Sigur , o regulă empirică poate fi contestată . Experimentele unei persoane ( dacă nu sunt însoțite de detalii ) , cu atât mai mult . Link spre comentariu
Marian Postat August 16, 2015 Partajează Postat August 16, 2015 Nu ia foc R daca este dimensionata corect, pentru situatia de fata una de 3W este in regula, ca se incalzeste este normal, dar nu ia foc. Nu poti reduce C oricat mai ales in lipsa osciloscopului, doar de dragul disipatiei mici pe R, castigi ceva si pierzi altceva, adica efectul snubber-ului va fi cu atat mai mic cu cat C este mai mic decat ar trebui. Link spre comentariu
Mircea Crisan Postat August 16, 2015 Partajează Postat August 16, 2015 Sigur , o regulă empirică poate fi contestată . Experimentele unei persoane ( dacă nu sunt însoțite de detalii ) , cu atât mai mult . Foarte corecta afirmatia. Daca aveti realizari sau ceva note de aplicatii referitor la subiectul discutat v-as fi recunoscator. Spor, Mircea. Link spre comentariu
UDAR Postat August 16, 2015 Partajează Postat August 16, 2015 Mulțumesc pentru aprecierea afirmației . Continuarea este însă ușor incorectă . Eu am făcut afirmațiile contestate bazat pe o anumită lectură ( studii generale și articole particulare pe subiect ) - pot să fac trimiteri bibilografice după o anumită căutare , n-am stat cu biblioteca în față când am postat - și pe o anumită experiență ( nu foarte mare , nu fac nici producție de serie , nici service ). Dumneata însă faci referire la una sau mai multe experiențe concrete , personale. Ar fi deci fair play să ne descrii dumneata primul cazurile respective indicând schema ( sau mă rog, porțiunea de schemă , dacă e confidențial proiectul ) , valorile/tipurile componentelor folosite , frecvența , minime detalii despre realizarea practică - poate erau capacități sau inductanțe excesive din cauza montajului , etc. Am putea astfel să reluăm și noi experimentul. Link spre comentariu
maxente Postat August 16, 2015 Partajează Postat August 16, 2015 (editat) Pai da, eu cand am zis sa puna 47R+2,2nF, am spus-o din experienta mea Intr-adevar , eu n-am luat in calcul ce frecventa are @Yuly acolo si nici nu stiu ce forma de semnal o avea el la comutatie daca o avea oscilatii si alte minuni Sursa mea cu acest IR si cate doua trafuri ATX cu primarele in paralel merge la 30khz, iar eu in snubber merg cu acele valori, rezistenta aia de 47R/3w are o temperatura la atingere undeva la 50 de grade si nu mi-am mai batut capul Editat August 16, 2015 de maxente Link spre comentariu
Mircea Crisan Postat August 16, 2015 Partajează Postat August 16, 2015 Proiectul domnului Tvicol cu 1nF in primar ia foc rezistenta serie in sarcina. Link spre comentariu
UDAR Postat August 16, 2015 Partajează Postat August 16, 2015 (editat) Fac o corectură la postul meu #2269 . În formula pentru determinarea rezistenței avem Cs nu Ctot . Se presupune că Cs are reactanța neglijabilă față de Rs . Se putea calcula și cu Ctot dar atunci coeficientul din față era altul . Și încă o remarcă - am editat introducând 1/2 pentru atenuare critică . Uneori o atenuare sub critică ( d = 0.5 ) este suficientă și atunci rămâne 1 cum era inițial . În toate cazurile ordinul de mărime a lui Cs este același . https://www.google.ro/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=1&cad=rja&uact=8&ved=0CCkQFjAAahUKEwjoz9us0K3HAhXH1xoKHVDOBzo&url=http%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Fww%2Fen%2Fanalog%2Fpower_management%2Fsnubber_circuit_design.html&ei=RYXQVaiZO8eva9Ccn9AD&usg=AFQjCNEcdo6zOCB0VX2K1dzRWHF-jHX4lA&sig2=dLMY3VXmcpWW7ZwfeGYSuQ&bvm=bv.99804247,d.d2s EDIT Este totuși posibil să se obțină o atenuare decentă și cu capacități mai mici ( probabil de 2-3 ori mai mari decât Cp ) . Depinde ce urmărim - dacă vrem doar să protejăm semiconductorul și ne pasă mai puțin de EMI ( sau am luat alte măsuri împotiva lor) este suficient un condensator mai mic . Dacă vrem reducerea maximă - amortizarea critică reală C va fi desigur mai mare . Editat August 16, 2015 de UDAR Link spre comentariu
Marian Postat August 16, 2015 Partajează Postat August 16, 2015 Proiectul domnului Tvicol cu 1nF in primar ia foc rezistenta serie in sarcina. Cu ce mosfeti? Link spre comentariu
Postări Recomandate
Creează un cont sau autentifică-te pentru a adăuga comentariu
Trebuie să fi un membru pentru a putea lăsa un comentariu.
Creează un cont
Înregistrează-te pentru un nou cont în comunitatea nostră. Este simplu!
Înregistrează un nou contAutentificare
Ai deja un cont? Autentifică-te aici.
Autentifică-te acum