SiC jfet Silicon carbide jfet

[cavit]

Carbura de siliciu este un semiconductor cu banda interzisa lata, wide bandgap, care poate functiona la temperaturi inalte 300 grade.

Aceste j fet-uri au comportamentul unui jfet obisnuit, au fost dezvoltate si optimizate pentru comutatie, au rezitsente Rd-s mici de ordinul miliohmilor, pierderi la comutare cam de 10 ori mai mici ca igbt-urile viteza mare si sunt foarte rezistente caci suporta temperaturi inalte.

j-fet-ul e un dispozitiv normal on uneori e bun asa, cat am cautat asa ceva, acum este, pentru a functiona normal off se pune in cascoda cu un vmos de tensiune mica.

se gasesesc ceva modele la1200v cateva zeci de amperi.

pentru controllere si invertoare sunt foarte bune, pentru controller caracteristica normal on ajuta, caci poate incarca bateria descarcata fara sa necesite vreo alimentare pe comanda, deci circuitul nu va consuma nimic din baterie cand e goala, poate fi folosit si pe post de siguranta automata.

exista de asemenea si diode shottky cu carbura de siliciu tin peste 160v si au trr sub 20 ns.

exemplu: IJW120R100T1 SiC jfet.

[Mondan]

Carbura de siliciu este un semiconductor cu banda interzisa lata,

Bai, nu zici rau. Daca exista astfel de componente si au pret accesibil - de ce nu ?

 

Tu zici banda interzisa lata. Adica asta e intre banda de de conductie si banda de valenta.

Dar cum vor functiona la temperatura camerei ?

 

Am vazut undeva ca si carbonul sub forma de diamant il foosec la device-uri electrice.

[cavit]

tensiunea directa pe o astfel de jonctioune e o idee peste 2v functioneaza foarte bine la temperatura camerei precum fuctioneaza si ledurile GaP-As care au banda interzisa si mai lata de descchid la peste 3v. deviece-urile astea sut cu purtatori majoritari nu le incurca functionarea, dar permit functionare la temperaturi mai mari.

e o intrega valva cu utilizarea lor la invertoare solare caci permit un randament mai bun si frecvente mai mari deci gabarit mai mic, in plus sut mult mai sigure in functionare caci trebuie mult mai multa elnergie sa aduci semiconductorul dela 100 grade la cat ar functiona normat la perte 500 greade la cat se strapunge, fata de cele cu siliciu care se strapung la mai putin de 300 grade, deci sunt mult mai sigure si mult mai rapide.

din repertoriul de componente fac parte, SiC jfet, diode shotthy de inalta tensiune sute de v sub 10 ns SiC shottky barrier.

am mai auzit de SiC mosfet dar nu stiu daca e vorba de un mosfet structural sau de deja cunoscuta cascoda SiC jfet mosfet mai este cunoscuta si sub denumirea de Baliga pair.

am pus si pe tehnium azi sunt oameni care au folosit asa ceva si au fost incantati.

 ce e drept sunt de 10 ori mai scumpe decat siliciu la accesi parametri, dar raportat la costul intregului invertor nu este exagerat.

mai nou am vazul si ceva celule fotovoltaice speciale cu carbura de siliciu

[Mondan]

< ce e drept sunt de 10 ori mai scumpe decat siliciu la accesi parametri>

 

pai atunci nu merita acum. Doar sa speram intr-un viitor frumos cand se vor ieftini.