UDAR Postat Decembrie 15, 2014 Partajează Postat Decembrie 15, 2014 (editat) BUZ11 e facut pentru comanda de 10V , la 5V se incalzeste daca se vrea un curent cat de cat mare . Mosfet-ul are rezistenta de conductie , nu tensiune DS 1. Păi 2-3A nu e un curent prea mare pentru el. Dar sunt de acord că e făcut pentru 10V . Arătam doar ceea ce cred eu despre exemplul dat de @one mai sus. EDIT E drept că exprimarea mea ”nu se încălzește” e foarte imprecisă . Voiam să spun că nu se încălzește exagerat , se poate folosi cu un radiator minimal - poate chiar fără. 2. Nu înțeleg propoziția a doua - MOSFET-ul are și rezistență de conducție și tensiune DS . Editat Decembrie 15, 2014 de UDAR Link spre comentariu
Depanatoru Postat Decembrie 15, 2014 Partajează Postat Decembrie 15, 2014 (editat) Rezistenta ON creste drastic la 5V , e de nefolosit si la cativa amperi fara un radiator mare , fata de unul facut sa se deschida la 5V care nu se incalzeste aproape deloc in aceleasi conditii - verificat in sursa in comutatie . Tine cont ca daca incepe sa se incalzeasca rezistenta interna creste si se incalzeste si mai tare - ambalarea termica Pentru ce ne intereseaza aici mosfetul are rezistenta ON , numai bipolarul are tensiune de saturatie . Dar si dupa legea lui ohm nu stiu de unde ai scos 100mV care ar fi 2,5A la 40miliohm -deci in cele mai bune conditii , cand la un tranzistor de generatie veche facut sa se deschida complet la 10V GS nici nu e data rezistenta la 5V - pentru ca nu merge folosit , e mult mult mai mare Editat Decembrie 15, 2014 de Depanatoru Link spre comentariu
UDAR Postat Decembrie 15, 2014 Partajează Postat Decembrie 15, 2014 (editat) 1.Într-o sursă în comutație avem două aspecte - creșterea Rds_on dar și a timpilor de comutație . Ambele contribuie la încălzire . Aici era vorba de comanda unei sarcini la frecvență extrem de mică deci pierderile în comutație nu mai reprezentau cine știe ce . 2.Eu nu am vorbit de tensiune de saturație ... 3.N-am calculat nimic , am citit de pe o diagramă din DS - cam înghesuită la curenți mici , e posibil să fie mai mult de 100mV. EDIT .Da, par a fi chiar vreo 200mV . Oricum asta nu schimbă fundamental datele problemei . @one afirmă că a folosit BUZ11 și eu am apreciat că acest lucru este posibil . Nu era nicidecum o recomandare de a folosi așa ceva . Editat Decembrie 15, 2014 de UDAR Link spre comentariu
Depanatoru Postat Decembrie 15, 2014 Partajează Postat Decembrie 15, 2014 (editat) Nu e corect pentru comutatie ce ai citit tu , trebuie sa fie specificata rezistenta interna la 5V GS , ceea ce nu se da ca sa nu se vada ce proasta e Undeva pe net unul zice ca a masurat la BUZ11 0,1 ohm la 5V , nu stiu daca e corect , pare tot prea mica , oricum e valabil la rece probabil 25 grade pana nu apuca sa se incalzeasca , deci fara radiator o sa creasca mult Editat Decembrie 15, 2014 de Depanatoru Link spre comentariu
UDAR Postat Decembrie 15, 2014 Partajează Postat Decembrie 15, 2014 Bați la o poartă deschisă.. Citește posturile mele #15 și #22 și o să vezi că și eu spun același lucru . Dincoace am făcut doar o analiză punctuală pe un caz concret . Nu am spus că ar trebui folosit la 5V. În rest că nu e corect ce am citit , nu ai dreptate. Diagrama aia reprezintă caracteristica ID = f(UDS ) cu UGS ca parametru . Panta în origine a respectivelor curbe este rDS cu UGS parametru. Această mărime este aceeași , indiferent că eu folosesc MOSFET-ul într-o sursă în comutație sau ca să aprind un bec. Dar , din nou cu partea a doua sunt de acord . Dacă nu se specifică rDS la 5V înseamnă că producătorul nu recomandă utilizarea în acest regim . Link spre comentariu
Depanatoru Postat Decembrie 15, 2014 Partajează Postat Decembrie 15, 2014 (editat) Daca e caracteristica cu factor de umpere maxim 0,5% ! ma indoiesc ca are vreo relevanta in realitate , fie in comutatie sau cand aprinzi un bec in curent continuu Editat Decembrie 15, 2014 de Depanatoru 1 Link spre comentariu
UDAR Postat Decembrie 15, 2014 Partajează Postat Decembrie 15, 2014 Din nou m-ai pierdut . Mai devreme mi-ai aruncat ceva cu tensiunea de saturație , acum îmi spui de factorul de umplere al unei caracteristici (?) . Oricum , am poluat destul pe aici și oricum , în mare , suntem de acord - nu se folosesc tranzistoare de 10V cu comandă de 5V. În concluzie mă retrag de pe acest subiect . Link spre comentariu
one Postat Decembrie 16, 2014 Partajează Postat Decembrie 16, 2014 (editat) Eu va multumesc pentru aceasta dezbatere totusi constructiva din care a reiesit ca am facut o eroare importanta. Datorita lui Udar care a pomenit de tabela, am inteles ca IRF1404, pentru Vgs de 4.5V ar merge pentru cativa amperi, chiar daca nu optimal, ceea ce explica relativa functionare, dar si afirmatia lui Depanatorul ca nu se folosesc tranzistoare de 10V la 5V mi se pare corecta. Acum reiese ca si BS170 care am folosit o carca pentru aprinderea de led-uri si alte maruntisuri ar fi tot de 10V dar eu l-am comandat cu 5... Am o punga de IRF1404 si una de BS170, acum voi cumpara o punga de altceva (IRL1404 probabil). Bine ca pentru curenti mari am preferat folosirea de driveri (mi s-a mai intamplat sa aleg solutiile elegante si sa se demonstreze apoi ca am evitat o problema, fara sa imi dau seama). Pentru divertisment voi masura rezistenta Rdson la IRF1404 cu 5V Vgs, daca voi recupera si un BUZ11 voi face si cu acesta acelasi lucru. Editat Decembrie 16, 2014 de one Link spre comentariu
UDAR Postat Decembrie 16, 2014 Partajează Postat Decembrie 16, 2014 @one Uită-te în DS de mai jos . Există un grafic cu rDS funcție de tensiunea pe poartă și curent ( Fig. 2) - din păcate nu toate DS au acest grafic. Acolo o să vezi că la curenți mici se poate folosi un MOSFET și la tensiuni de poartă mai mici decât cele standard. De exemplu la 0,4A BS170 are 1Ω la 10V și 1,6Ω la 5V . Nu e chiar atât de rău , nu ? În concluzie , la acești curenți poți să-l folosești liniștit . https://www.fairchildsemi.com/datasheets/BS/BS170.pdf PS dacă nu fugi de SMD , există o groază de IRLMLxxxx în capsulă SOT23 cu o gamă destul de largă de tensiuni și curenți . Unele se pot comanda și cu 2,8V - dacă lucrezi cu µC la 3,3V, de pildă. Link spre comentariu
Depanatoru Postat Decembrie 16, 2014 Partajează Postat Decembrie 16, 2014 (editat) Ce am scris e valabil pentru mosfetii de putere , in surse sau PWM la curent mare , care se incalzesc. Un BS170 poti sa-l folosesti aproape oricum De exemplu intr-o sursa de curent in comutatie coboratoare pentru leduri de 1A cu comanda de numai 4,5V ... un tranzistor IRL merge putin caldut fara radiator , iar un tranzistor de generatie veche IRF540 se incinge ca incepe sa se topeasca cositorul si nici nu mai functioneaza normal sursa atata tensiune cade pe el Editat Decembrie 16, 2014 de Depanatoru Link spre comentariu
Vizitator Postat Decembrie 16, 2014 Partajează Postat Decembrie 16, 2014 (editat) ifloarea13, ai mai facut ceva cu sistemul de pre-incalzire cu bujii ? as vrea si eu detalii in urma experimentelor.. Editat Decembrie 16, 2014 de Vizitator Link spre comentariu
Postări Recomandate
Creează un cont sau autentifică-te pentru a adăuga comentariu
Trebuie să fi un membru pentru a putea lăsa un comentariu.
Creează un cont
Înregistrează-te pentru un nou cont în comunitatea nostră. Este simplu!
Înregistrează un nou contAutentificare
Ai deja un cont? Autentifică-te aici.
Autentifică-te acum