Ce tranzistoare vintage detineti?

[ionbel1]

Companiile care produceau tranzistori pe germaniu in Franta erau SESCO si COSEM, si in fata puternicei concurente americane acestea au fuzionat(mai precis au fuzionat companiile lor mama,THOMSON respectiv CSF) si s-a format SESCOSEM,respectiv THOMSON-CSF..Eu am niste tranzistori 2N3055 care au sigla SES.

[feri.visky]

Erau mai multe firme franceze care au fost implicate in fabricarea tranzistorilor. LCT (Laboratoir Central de Telecomunication), CSF producea tranzistori cu codul TJN, respectiv CFTH (Companie Francais Thomson-Houston) asociat si cu General Electric (cred...) care faceau tranzistoarele 2N.... si nu in ultimul rand Radiotechnique care era in legatura cu Philips (transistorii din seria OC). Era o increngatura de firme, practic care lucrau in sistem cartel...

Asocierea la care va referiti, SES-COSEM, este mai tarzie si anume, in a doua parte a anilor '50... 

[kripton]

Va salut,Unele tranzistoare EFT 317 si EFT 319 din generatiile mai recente ( ne-vopsite ) si nu numai , sunt marcate cu litere dupa simbolul tranzistorului ( ex. EFT 319 E , EFT 319 Z sau EFT 317 F , etc. ) Cunoaste cineva semnificatia acestor litere ?

[Vizitator overseas]

Va salut,

 

Unele tranzistoare EFT 317 si EFT 319 din generatiile mai recente ( ne-vopsite ) si nu numai , sunt marcate cu litere dupa simbolul tranzistorului ( ex. EFT 319 E , EFT 319 Z sau EFT 317 F , etc. ) Cunoaste cineva semnificatia acestor litere ?

Este un pic mai complicat dar iti raspund.

Tranzistoarele de RF EFT317, EFT 319 sunt selectate nu numai dupa factorul β ci si dupa modulul admitantei de transfer (Y_21e) (echivalent cu panta S la tuburi).

Adica sunt tranzistoare de tipul EFT 319, EFT317 cu terminatia F care se preteaza foarte bine in etaje de amplificare RF, tranzistoare drift.

Apoi cele cu terminatia E in amplificatoare FI (455Khz) dar si mixere RF.

Cele cu terminatia Z au rezistenta de iesire R₂₂ de peste 300K in configuratia EC. Putem spune ca sunt bune in etaje de preamplificare in general unde se cere un zgomot mai redus in etaje sensibile de RF.

Este stiut faptul ca intr-un etaj FI nu conteaza atat de mult factorul β ci valoarea pantei S (Y_21e) este decisiva, deci β poate avea valori mici 25....35 mai cu seama daca vorbim de ultimul etaj .

O greseala care se face frecvent este ca se schimba fara sa se stie acest lucru ultimul tranzistor din FI cu unul cu amplificare mare cea ce duce la instabilitatea radioreceptorului  

Editat Iulie 10, 2014 de overseas

[ionbel1]

Apropo de tranzistoare vechi,pentru documentare,exista o lucrare scrisa de domnul Eugen Statnic pe la sfirsitul anilor 70 sau inceputul anilor 80 nu stiu sigur si anume Buletinul Tehnic nr.3 unde sint descrise familiile de tranzistoare cu germaniu si siliciu in fabricatie la vremea aceea in Romania.

[kripton]

Va salut,Multumiri pentru raspunsuri.@overseas,Din cate stiu, toate tranzistoarele EFT 317 si 319 sunt tranzistoare drift , prin insusi procesul de fabricatie.Ori, prin analogie cu alte tranzistoare fabricate in perioadele respective, literele adaugate dupa simbol, semnifica valori limita ale unor parametrii, intotdeauna inferiori modelului de baza ( cel fara litere adaugate) care poate acoperi performantele tuturor celor marcate si cu litere. Notatiile se pot gasi atat pe tranzistoarele negre cat si pe cele din generatii mai recente ( tipurile nevopsite) .Revenind la subiect , iata "ceva" primit ca tranzistor :http://i57.tinypic.com/v5uzx1.jpgBaza este zona metalica centrala, de fapt o capsula imbinata prin cositorire, colectorul si emitorul sunt conectati la doua bare cu ф cca, 1,5 - 2 mm izolate cu sticla . Verificat ohmetric, indicatiile sunt corecte si specifice unui tranzistor cu Ge iar multimetrul indica beta 120 . Nu se disting urme de inscriptie care sa indice tipul.@ionbel1,Da, asa este; din nefericire, nu ( mai ) am lucrarile mentionate.

[nelu F]

Posibil sa fie un tranzistor sovietic din seria Π1 sau Π2 (tranzistoare de joasa frecventa).

[cristian_draghiescu]

Este vorba de un tranzistor din seria П3 (П3А, П3Б sau П3В,având curenţii de colector de 150 mA, 250 mA, respectiv 450 mA).Pentru toate aceste modele tensiunea de colector este de 50 V,puterea disipată de 3,5 W şi temperatura joncţiunii de 50 gradeCelsius (valori maxime admisibile).Coeficientul "β" este modest, valorile tipice fiind între 17... 25.

[gauss]

.......

 

P3 e un pic diferit ...

Editat Iulie 13, 2014 de gauss

[cristian_draghiescu]

Aveţi dreptate, seria П3 are în plus acel radiator ataşat capsulei.Confuzia mea a fost alimentată şi de faptul că uitasem complet deexistenţa unei alte serii (П2) având capsula identică cu cea prezentată.Aşadar, în topic e vorba de un tranzistor din seria П1 sau П2.Poze edificatoare aici:http://vintage-technics.ru/First_transistors_ussr/Untitled-Scanned-09.jpghttp://vintage-technics.ru/First_transistors_ussr/Untitled-Scanned-07.jpghttp://vintage-technics.ru/First_transistors_ussr/P1012197_transistors.JPG

[gauss]

Desigur ... nu - i problema . Acum ffff . multi ani am " lucrat " cu asa ceva , poate de aceea memoria mi - a semnalat ca n - ar fi chiar P3 . Oricum e o chestiune din paleoistoria electronicii , iar fosta URSS a avut multe semiconductoare cu capsule mai exotice . Lucru valabil la mai toate componentele produse de ei , plus ca au avut un adevarat " cult " pentru semiconductorii cu germaniu , pe care i - au perfectionat continuu , adaptand chiar si stilul de proiectare dupa aceste componente pe care le aveau la discretie la indemana . Am vazut produse ce contineau integral germaniu fabricate chiar si dupa anii ' 90 , si nu erau deloc jucarii ...

[kripton]

Va salut,Multumesc pentru raspunsuri si colaborare.Printre "ciudateniile" sovietice ar mai fi aceste finale complementare,ГТ404Б - NPNГТ402Б - PNPIn stanga , "etalonul" pentru comparatie:http://i61.tinypic.com/29zbkzt.jpgMai sunt si altele in acelasi tip de capsula.

[Vizitator overseas]

Un tranzistor cu cod japonez 2SB89:

Hitachi PNP germanium alloy transistor intended as AF low power amplifier / driver.
Echivalent cu AC128.

[puriu]

Tranzistoarele cu germaniu au fost produse in multe tehnologii: cu contacte punctiforme, aliate (EFT 35x), microaliate (EFT30x), aliat-difuzate zise si "drift" (EFT317,9), difuzate, MESA, MESA II, planare, etc. Cele bipolare cu siliciu se produc aproape exclusiv in tehnologia epitaxial-planara.

[nationalistu]

MP114 an fabricatie 1968.

 

2SC281,2SC282 fabricatie HITACHI.

 

2SA548 fabricatie HITACHI.

 

OC467

 

2SB279 fabricatie MATSUSHITA.

 

OC450