Radio "sovietic" SELENA in benzi de radioamatori ?

[VAX]

Puterea semnalului RF care ajunge de la oscilator la mixerul cu diode Schottky trebuie sa fie mare (sute de mW), pentru ca diodele sa lucreze in regim de comutator (cu intermodulatii reduse - dinamica mare). Pentru un radio alimentat de la baterii nu este convenabil. Cei care au pe acasa diode rusesti de tipul D311A (Ge, comutatie, gold bonded) pot sa le foloseasca in locul diodelor D9 (punctiforme, proiectate pentru demodulare MA)). Diodele punctiforme obisnuite au rezistenta serie foarte mare si cu dispersie mare, este greu sa obtii patru diode cu parametrii apropiati.

Alta varianta ar fi sa se inlocuiasca mixerul cu diode cu unul echilibrat cu doua JFET-uri (imperecheate), dupa o schema preluata de la radiourile Sangean sau similare. Si in acest caz este necesar un amplificator de banda larga (cu 1-2 tranzistoare) pus intre oscilator si mixer.

[+_Florin_+]

Acum 5 ore, VAX a spus:

Puterea semnalului RF care ajunge de la oscilator la mixerul cu diode Schottky trebuie sa fie mare (sute de mW), pentru ca diodele sa lucreze in regim de comutator (cu intermodulatii reduse - dinamica mare). 

 

La prima vedere mă indoiesc că puterea ar trebui să fie atât de mare. Cu ce tensiune alternativă  de radiofrecvența  doriți să atacăm  mixerul (în valoare de vârf Uv) ca să funcționeze în regimul descris ? ... și cât estimați că  ar fi impedanța de intrare a mixerului, ca să putem calcula puterea pe care trebuie să o debiteze amplificatorul RF?

 

Spațiul disponibil în aparat e limitat și amplif-uri de sute de mW n-am unde să bag... , 

Tocmai tăiasem o plăcuță 3 × 1.5 cm și aceea abia încape, mă gândeam să fac un mic amplificator cu 1 ... 2 tranzistori. 

Dar nu-mi place să pierd timpul construind la plezneală/orbește, de aceea rog colegii care doresc, să se pronunțe asupra celor două aspecte: cu ce tensiune ar trebui atacat mixerul și cam ce impedanță ar fi la intrarea acestuia?

 

 

 

 

[VAX]

Cam asta este puterea necesara (sute de mW) pentru comutarea ferma a diodelor din mixer, daca vrei sa obtii dinamica maxima. Din acest motiv se prefera mixerele echilibrate cu JFET-uri - consuma mai putin.

Se poate lucra cu diode si la putere mai mica (zeci de mW), cu dinamica redusa.

 

https://www.robkalmeijer.nl/techniek/electronica/radiotechniek/hambladen/qst/1993/12/page32/

 

https://modernhamguy.com/mixers-in-rf-design/

 

Editat Mai 24, 2020 de VAX

[cirip]

Va salut @+_Florin_+,

 

Acum 14 ore, +_Florin_+ a spus:

La prima vedere mă indoiesc că puterea ar trebui să fie atât de mare.

Intuitia nu va inseala. Inspirat de intrebarile dvs., am rulat o simulare folosind dioda cu germaniu de tip 1N34A. Alegerea a fost dictata in principal de disponibilitatea modelului spice.

 

In scopul analizei, am pictat un mixer dublu echilibrat si unul simplu echilibrat. Am marit progresiv tensiunea BFOului de la 10mV la 500mV amplitudine in pasi de 10mV. Am capturat diverse masuratori in timpul simularii, inclusiv puterea aplicata la intrare si impedanta "vazuta" de BFO. Semnalul de la intrarea de FI a fost constant cu o amplitudine de 10mV.

 

Dupa cum se observa in grafice,  tensiunea semnalului audio de la iesire nu mai creste semnificativ incepand cu o putere de -10dBm (0.1mW) aplicati la intrarea BFO a mixerului. Prin urmare, marirea puterii de la BFO peste -10dBm nu se justifica, cel putin dpdv al nivelului semnalului de iesire.

 

Nu am facut si o simulare a linearitatii (produse IMD) ptr. ca e mai laborioasa, dar nu e imposibil. Pe de alta parte, lucrand pe FI, adica pe banda ingusta, IMDurile nu sunt o problema asa de mare.

 

Iata schemele simulate

 

 

Rezultatele obtinute ... Pe grafic se pot vedea tensiunile la iesirile af si af2 (axa Y din stanga), dar si impedanta vazuta de BFO catre mixer (axa Y din dreapta). Pe axa X se gaseste puterea injectata in intrarea BFO, calculata ca fiind produsul dintre valorile eficace (RMS) ale tensiunii si curentului in intrarea mixerului. Nu e super precisa masuratoarea, dar ofera un ordin de marime. La -10dBm in intrarea BFO (cam 1Vvv), impedanta estimata este de 343 Ohmi. Cum era de asteptat, impedanta de intrare variaza cu nivelul de la BFO.

 

 

Si excelul zipat, in caz ca cineva e interesat de detaliile numerice.

elforum_mix_Ge.zip

 

Si ... acuma, ca sa trag spuza pe turta mea, eu as demodula cu un dsPIC cum am facut aici

Codul imi apartine si pot oferi hexul in caz ca exista interes. Pot chiar sa-l recompilez ptr un cipan cu o capsula mai prietenoasa, dar trebuie sa aiba ADC si DAC interne.

 

Cirip

 

 

 

 

Editat Mai 25, 2020 de cirip

[franzm]

Acum 22 ore, VAX a spus:

Puterea semnalului RF care ajunge de la oscilator la mixerul cu diode Schottky trebuie sa fie mare (sute de mW), pentru ca diodele sa lucreze in regim de comutator (cu intermodulatii reduse - dinamica mare).

În mod normal, producatorii indica puterea LO necesara mixerelor cu diode Schottky (de ex. +7 dBm, +13 dBm, etc). Pentru mixerele lor level 7 si level 13, Mini Circuits admit un nivel RF de max. 50 mW. Cum porturile RF si LO sunt aproape echivalente (difera prin conexiunile de masa si layout), se poate concluziona, zic eu, ca nivelul LO maxim acceptat de aceste mixere este tot de 50 mW. Pentru VAY-1+, un mixer level 27 (puterea LO +27 dBm), se indica o putere RF de max. 500 mW iar pentru ZMY-1+ (level 23) se admit 350 mW. Pentru mixerul din Selena, cu siguranta nu sunt necesari mai mult de +7 dBm.

[VAX]

 

http://mwl.diet.uniroma1.it/people/pisa/SISTEMI_RF/MATERIALE INTEGRATIVO/Kikkert_RF_Electronics_Course/07-RF_Electronics_Kikkert_Ch5_Mixers.pdf