SMPS de mare putere cu IR2153 ?

[hpavictor]

Schema de mai sus este de la Yamaha EMX5000 .

[giongiu]

Nu-mi apare nimic de la Yamaha.REVIN: a aparut schema, a mai fost pe forum.Marian, uite un tabel cu alegere mos sau igbt@giongiu: un bipolar comandat in emitor este foarte rapid

Din cate stiu, tendinta actuala in sursele in comutatie, e cresterea frecventei, capitol la care IGBT-ul e deficitar. E drept ca n-am vazut sursa peste 3Kw, sa vad cu ce e facuta si la ce frecventa. Si pana la urma de ce nu s-ar preta mosfetii, la asemenea puteri, ca n-am inteles ?Despre care bipolar comandat in emitor, e vorba, ca nici asta n-am inteles?@Victor, am spus ca ma pot insela. Recunosc, m-am inselat.

[hpavictor]

MOS-urile nu au absolut nimic rău , sunt foarte bune .Dar ... Care tip de MOS ar funcționa fără modificări ( driver , totem pole etc ) doar cu IR2153 si sa permită o putere mai mare de 1000 W ?Nu sunt familiarizat cu SMPS-urile , mai am multe de învățat .

[Marian]

...Marian, uite un tabel cu alegere mos sau igbt...

Fara menajamente spun sincer ca putin imi pasa mie de ce scrie in acea imagine/tabel, habar n-am cine l-a facut si nici pe baza caror criterii, deci nimic nu poate sa-mi garanteze ca este unul de incredere. Eu stiu asa, un mosfet este net superior la capitolul viteza fata de un bipolar ( si igbt-ul tot un soi de bipolar e ), apoi asa cum am zis, pierderile in conductie la igbt pot fi mari fata de mosfet, si aici stiu ce zic, nu demult am facut o scurta documentare cautand ceva optiuni de igbt pentru un prieten de pe forum de aici si la multi am gasit un Vce-sat dezamagitor de mare. Asadar subscriu si eu la parerea lui @Giongiu:

De ce sa nu mearga mosfet la putere mare? si vin si eu cu una, de ce sa nu profit de avantajele pe care mosfetul mi le ofera?

 

PS: @Victor imi cer scuze pentru offtopik, alegerea evident ca iti apartine, stii deja cam ce doresti, la capitolul primar lucrurile ar trebui sa fie clare, daca accepti sugestia lui Giongiu si mergi pe 2153+2110 atunci poti cauta ceva tranzistori de putere care tie ti se par potriviti si vii cu propuneri in acest sens, apoi se poate trece la dezvoltarea schemei, ideea este ca tu sa te hotarasti, si cred ca ai cam tot ce-ti trebuie pentru a putea decide in cunostinta de cauza. Uite daca vrei vin eu maine cu o schema propunere pentru varianta de 1kW, una elementara care sa fie elaborata dupa preferintele tale, daca vrei aleg eu si mosfetii care eu cred ca ar fi ok.

[hpavictor]

Cunosc câteva soluții cu driver IR2110 sau chiar drivere opto pentru comanda de 8 A , dar prefer fără ...IR2153 are un etaj de ieșire cu care poate comanda direct MOS -uri , așa ca prefer varianta simpla .Singura problema rămâne capacitatea de poarta maxima pe care o poate controla etajul de ieșire din IR2153 , ca sa putem alege MOS-uri ce permit peste 1000W out .

[Marian]

Pai cam aici e baiul, 2153 are intr-adevar iesire totem poll mosfet dar varful maxim de curent admis e destul de mic, parca 0,2 sau 0,5A ( nu mai retin exact ), si asta iti limiteaza alegerile la mosfeti, care alegeri datorita puterii necesare, nu vor fi deloc usoare, mosfetii vor trebui sa fie de minim 400V, la un curent de drena considerabil ( probabil minim 15-20A ), Rds-on cat mai mic, dar mai ales Ciss mic, maxim 2-3n cred... si asta doar pentru vaianta de cca 1kW, exclus varianta fara driver la peste 2kW, sau cel putin eu nu vad ce mosfeti ai putea folosi cu capacitati suficient de mici si totusi capabili de un asemenea curent.

[hpavictor]

Pai exact de aia am propus si eu folosirea unui driver totem pole cu tranzistori BD care sa permită folosirea unor IGBT-uri ( dar se pare ca sunt probleme legate de timpul de comutatie ) sau MOS .Va rog sa revedere a doua schema din acest subiect ...Etajul totem pole cu tranzistori este extrem de simplu si ieftin , ocupa puțin spațiu pe PCB , pentru variantele de mică putere poate fi ocolit ușor , pe când IR2110 are alte dezavantaje sau avantaje .

[Marian]

Da sunt poate mai simplu de folosit BD-uri ca si drivere, dar nici la IR2110 nu vad nimic complicat si nici dezavantaje, poate ca tine si de preferintele fiecaruia. Pai atunci schema aia are mai tot ce-ti trebuie, de fapt mie nu-mi place redresarea la ramura negativa, mult mai corect ar fi folosirea unei diode duble cu anod comun. Si ar mai ramane sa implementezi o limitare, la audio preferabil este cea de tip SCC si nu stop, tu stii cum vrei sa o faci.

[Dr.L]

IGBT-urile se folosesc la puteri si tensiuni mari.MOS-FETii de tensiune mare au rezistenta mare si pierderi de conductie mari, comparabile cu IGBTurile.Iar la tensiuni + puteri mari, IGBTurile sunt mai ieftine, pt aceleasi specificatii.Frecventa de 300kHz, intr-o sursa rezonanta, nu-i problema pt IGBTuri (alea ultrararpide).De exemplu, intr-o locomotiva (5MW), n-o sa gasesti mos-feti (pe partea de motoare), dar o sa gasesti IGBTuri.Dupa cunostiintele mele, tabelul postat de miticamy e corect!

[Vizitator]

@giongiu: tranzistorul de forta din igbt este bipolar

Uite un mic document cu comanda in emitor

http://iie.fing.edu.uy/~gcp/00152828gcpfs.pdf

[giongiu]

Multumesc de lamurire! Recunosc ca habar nu aveam ca IGBT, se pot comanda astfel. Eu ma refeream ca o microsecunda e putin, pentru comanda clasica.

[Vizitator]

Cred ca merit un picior undeva si un dus rece.Am vrut sa fac pe cunoscatorul dar m-am grabit.Bipolarul din IGBT nu are baza disponibila si nu are cum sa se evacueze rapid sarcina stocata ca in pdf-ul atasat.Asa ca poate un test cu schema modificata ca driver direct la acelasi tip de IGBT ar spune ce imbunatatiri a adus montarea mos-urilor in emitoare.Scuze pt stres.

[hpavictor]

Revin cu o varianta industriala deja clasica  :

Interesanta si varianta lui Apex , oarecum coincide cu viziunea lui @Marian ; din pacate nu am schema lui Apex si mi-e lene sa o extrag de pe cablaj ... daca cumva o aveti , va rog sa o postati !

 

 

[hpavictor]

Continui seria SMPS-ului meu cu o varianta diferita de protectie  :

 

[Marian]

Si de ce sa fie nevoie de o complicatie nejustificata? Adica de ce sa complicam inutil lucrurile cand se poate acelasi beneficiu cu o solutie constructiva mult mai simpla? Probabil solutia aia este buna de scos ochii naivilor, zicand ca uite ce complexa este si deci sigur este performanta... numai ca face fix acelasi lucru cu un banal mosfet pus intre pinul 3 si masa, si poarta comandata de un traf de curent pus intre mosfeti si traf, cat se poate de simplu si la fel de eficient, as zice eu mult mai eficient de fapt.