Despre SKA GB150D

[Sharky]

sa dai cu ceva epoxy/hot glue pe bobina aia, sa nu tiuie in functionare.

[sk24bpo]

Mai bine ar scoate nenorocirea aia de rezistenta din bobina.

[maxente]

As putea sa o scot si sa o montez in paralel cu bobina dar lipita pe partea cu traseePai si cu tiuitul bobinei care e treaba ca nu inteleg, banuiesc ca asta ar putea fi la frecvente inalte, nu ?Sincer nu am mai intalnit asta pana acum la alte amplificatoare sau cel putin nu am observant eu ceva in sensul asta

[alex mm]

..... sau pune peste un tub de plastic care la temperatura se contracta , sunt si diametre mari ......Altii pun miez de plastic , lemn , dar mie personal nu-mi place . Asteptam impresii despre cum suna , .....

[zal]

...Pai si cu tiuitul bobinei care e treaba ca nu inteleg, banuiesc ca asta ar putea fi la frecvente inalte, nu ?Sincer nu am mai intalnit asta pana acum la alte amplificatoare sau cel putin nu am observant eu ceva in sensul asta

N-ai observat ptr simplul fapt că nu există problema asta. Sînt milioane de amplifuri cu bobinele lăsate libere, sau cel mult date cu răşină să nu se strîmbe de la şocuri mecanice şi să atingă alte piese.

[Sharky]

e un detaliu de finete. DAca dai pe rezistori cu semnal dreptunghiular vei auzi tiuitul. Plus cum a spus zal, pentru pastrarea formei.

[alex mm]

Am modificat PCB-ul facut de Alin , pt. tranzistorii din schema initiala .........

[sk24bpo]

As putea sa o scot si sa o montez in paralel cu bobina dar lipita pe partea cu trasee

Asa am lipit-o si eu la SARA. Am incercat ambele variante si la masuratori varianta cu rezistenta prin bobina cresteau distorsiunile la 20khz de cateva ori,in functie de puterea de iesire, lucru total inacceptabil. Acum depinde de rezistenta, or fi poate unele nemagnetice, nu pot sa extrapolez la orice model, dar totusi daca se poate evita problema atat de usor, sau macar atenua, e pacat sa nu o aplici.

[vlasin_alin]

Am avansat si eu putin la constructia modulelor.

 

http://i1012.photobucket.com/albums/af2 ... 353ecb.jpg

http://i1012.photobucket.com/albums/af2 ... 3a7a6c.jpg

http://i1012.photobucket.com/albums/af2 ... da8a7d.jpg

http://i1012.photobucket.com/albums/af2 ... 5e9c07.jpg

http://i1012.photobucket.com/albums/af2 ... 290690.jpg

[vlasin_alin]

sigurantele de pe pcb ar trebui sa fie cu intarziere sau cu ardere rapida?

[maxente]

Autorul zice ca trebuie sigurante cu intarziere, e mentionata asta si pe shema din pdfEu inca nu am reusit sa probez modulele ca am fost ocupat cu o sursa in comutatie

[laur_77]

Care din semireglabili modifica simetria si care biasul? La mine amindoi semireglabili modifica in acelasi timp si curentul in gol si tensiunea pe iesire...

[Vizitator]

De ce nu vor marea majoritate dintre voi, sa INTELEAGA, ca, pentru a functiona CORECT, un etaj final cu mos-fet ca tranzistori finali, fie complementari sau cvasicomplementar ca structura, necesita ca alimentarea ce contine inclusiv etajul VAS, sa fie cu 10-15Volti mai mare decit a etajului de putere, astfel incit amplificatorul sa poate functiona CORECT?

 

Va pierdeti timpul cu toate CIURUCURIULE de scheme, schema aia este GRESITA, de aia ambele semireglabile ajusteaza acelasi lucru, ele fiind IN PARALEL...

 

Credeti ca toit ce este afara pe forumuri este si bun si corect?

 

Incercati mai bine schema de mai jos, veti fi uimiti ce ok functioneaza, in ciuda simplitatii ei.

 

Recomand inserierea bratului de rezistente de 22 ohm din portile mos-urilor cu inca o rezistenta de 50-100 ohm urmata de o dioda zenner de 12V pina in sursa mosurilor, cum am facut in modificare, si pe cit posibil tranzistorii de comanda cu radiatoare, preferabil a se incerca adaptarea in pofida COB mai mare, a tranzistorilor MJF15030-MJF15031.

 

Atentie schema NU are protectie la scurt pe iesire!

 

De remarcat in desenul original ca biasul se refera la 100 miliamperi per TOTI TREI FINALII, nu pe fiecare separat, cum marea majoritate gresesc pe aici.

 

Tranzistorii finali, in paralel impart atit curentul de lucru in sarcina cit si biasul!

[franzm]

De ce nu vor marea majoritate dintre voi, sa INTELEAGA, ca, pentru a functiona CORECT, un etaj final cu mos-fet ca tranzistori finali, fie complementari sau cvasicomplementar ca structura, necesita ca alimentarea ce contine inclusiv etajul VAS, sa fie cu 10-15Volti mai mare decit a etajului de putere, astfel incit amplificatorul sa poate functiona CORECT?

Pentru ca depinde de schema. Cele doua scheme cvasi NMOS nu au neaparat nevoie de -70V (sunt suficienti cei -60V) pentru a functiona corect, doar de +70V.

[Vizitator]

De ce nu vor marea majoritate dintre voi, sa INTELEAGA, ca, pentru a functiona CORECT, un etaj final cu mos-fet ca tranzistori finali, fie complementari sau cvasicomplementar ca structura, necesita ca alimentarea ce contine inclusiv etajul VAS, sa fie cu 10-15Volti mai mare decit a etajului de putere, astfel incit amplificatorul sa poate functiona CORECT?

Pentru ca depinde de schema.

Tu crezi ca polarizarea, sau mai bine spus comanda a 6 mos fet paralel cu capacitatea interna de 2,2Nf, printr-o rezistenta de 10 kohm este corecta?

 

Sa simuleze cineva aceasta schema sa vedem ce slew rate are (nu are mai bine zis)!

 

In regim de standby, tranzistorul T12, este deschis atit cit sa tina valoarea de bias a etajului final, in regimd e lucru, rezistenta E-C a lui creste astfel incit se permite marirea tensiiunii G-S a finalilor IRFP250, prin ce?

 

Prin rezistenta de 10 Kohm, R 27.

 

Stiu o sa-mi spuui ca acolo mai esista si condensatorul C8 de 22uF...

 

Comanda la P-mos este cortecta, desi lipseste zennerul de 10-12V care are rolul lui bine stabilit astfel incit V G-S sa nu depaseasca valoarea de 10V-12V (deschidere completa), chiar daca tranzistorul suporta +/- 20V G-S.

 

Imi pare rau sa te dezamagesc, insa si schema ta este slabuta.