Marian Postat Iulie 24, 2014 Partajează Postat Iulie 24, 2014 .................... Link spre comentariu
alexu_0687w Postat Iulie 25, 2014 Autor Partajează Postat Iulie 25, 2014 multumesc mult de explicatii, si intradevar trebuie sa mai studiez un pic topologiile amplificatoarelor, acuma sa nu par ipocrit dar o parte din informatii le stiu, asta sa nu par chiar batut in cap, ce am incercat eu cu schema asta era sa ii fac "ceva" sa functioneze, dupa cum am mai zis, am componentele, dar din cate vad, mai bine renunt la schema ca tot de kk o sa fie, dar totusi am sa incerc la nivel de testare si simulare sa o vad ca merge cat de cat in parametri, asta pt a intelege fenomenele mai bine, cred ca este cea mai buna cale.....o sa revin cu alte simulari dupa ce mai tai din schema. Link spre comentariu
franzm Postat Iulie 25, 2014 Partajează Postat Iulie 25, 2014 acuma sa nu par ipocrit dar o parte din informatii le stiu, Atunci ne dezvaluiti si noua rolul lui C8 din schemele de la postarea #80? Sau asta e din partea pe care nu o stiti? Link spre comentariu
Emil 1986 Postat Iulie 25, 2014 Partajează Postat Iulie 25, 2014 de ce te chinui cu scheme din acestea?i-a schema lui diy200 care il vindea sorteh,ii faci alt cablaj si poti sa ii mai adaugi inca o pereche de TR si mere alimentat la +-60vcc/4R Link spre comentariu
Marian Postat Iulie 25, 2014 Partajează Postat Iulie 25, 2014 .................. Link spre comentariu
alexu_0687w Postat Iulie 25, 2014 Autor Partajează Postat Iulie 25, 2014 In acea poziti C8 are rolul de a mentine o tensiune/curent cat mai constanta la bornele tranzistorului, pentru eventualele fluctuatii. Inca o curiozitate legat de aceasta schema si explicatiile lui Marian de mai sus: tinand cont ca un MOS functioneaza in zona activ daca Vgs>Vth si Vds>Vgs-Vth, asta inseamna ca e suficient pt a functiona doar , sa presupunem, 5V, iar tensiunea pe sarcina este tensiunea vazuta la bornele alimentarii, nu vad dc trebuie o tensiune macar egala cu cea a etajului final pentru VAS si etajul de intrare? Bine, datorita configuratiei el amplifica in "curent", cum sa explicat mai sus, iar tensiunea vazuta pe sarcina este tensiunea de atac-Vgs(hhmmmm dar totusi el are iesirea din sursa), nu vad legatura intre teorie si explicatia topologiei amplificatorului, ar trebui sa fie separat tensiunea de comanda Vgs(intre min 5V si max 20V). Dar totusi el, IRFP240, are o tensiune mazima admisa Vgs de +_20V, daca o sa incercam sa ii limitam teniunea de intare la 5V, cu zenner 5V, este suficient pentru ca el sa functioneza in regiunea activa, corect ? Deci eu in schema expusa am zennere de 12v si o tensiune de 44v dupa etajul inseriat pe alimentari, practic din ce am facut acolo mi am taiat creanga de sub picioare, considerand valabile explicatiile lui Marian, pentru ca oricum nu o sa am pe sarcina amplitudinea maxima, ceea ce am si vrut, ma interesa un circuit stabil, nu putere maxima. Iar pentru ca MOS ul este izolat prin SiO2 de body, iar el acolo formeaza capacitati parazite, asta nu inseamna ca trebuie sa ii dam un curent cat mai mare pentru incarcarea cat mai rapida a lor, atunci v or apare acele oscilatii alea semnalului dreptunghiular pe iesire, deci, toata incarcarea capacitatilor trebuie controlata, este un compromis, intre a avea un pic de pante sau oscilatii. In functie si de frecventa maxima la care este expus device ul, eu asa gandesc ca trebuie dimensionate rezistentele si timpul de incarcare a capacitatilor parazite. Iar pt faptul ca un MOS cu grila in aer si alimentat, Vds>Vgs-Vth, el o sa conduca, inseamna ca acele capacitati sunt inarcate, oarecum, deci in momentul cand se aplica comanda el nu se incarca de la 0. Link spre comentariu
Marian Postat Iulie 25, 2014 Partajează Postat Iulie 25, 2014 .................... Link spre comentariu
Vizitator Postat Iulie 25, 2014 Partajează Postat Iulie 25, 2014 Iata acuma ce se intampla cand reduce R1 la 47 Ohm: Semnalul de pe sarcina este practic o copie suprapusa si fidela a semialternantei pozitive de la comanda, asa si trebuie sa arate o comanda corecta pentru un tranzistor mosfet, si in acest scop in comutatie de multe ori tocmai detaliul asta ( comanda corecta ) pune cele mai mari probleme, se cauta o comanda cat mai buna pentru pierderi in comutatie cat mai mici, asta poate face necesare asa cum spuneam pe la alta postare, si drivere de 10A, poate si mai mult uneori, depinde de situatie... Acum semisinusoida de pe sarcina este practic o copie fidela ca si forma, a semuialternantei pozitive de la comanda, singura diferenta fiind amplitudinea. Iata acum ilustrata si imp[ortanta alimentarii partii de comanda cu cel putin aceeasi tensiune ca si etajul final ( preferabil la scheme mai "dichisite" este o tensiune cu cativa V mai mare la comanda ): Abea la o amplitudine de 25Vpp a comenzii, pe sarcina apare clipping-ul specific intrarii finalilor in zona de "complet deschis", deci simplist vorbind, alimentarea partii de comanda cu o tensiune mai mica decat etajul final presupune pur si simplu irosirea catorva V buni din alimentarea etajului final care nu contribuie decat cu disipatie suplimentara pe capsule si deci pe radiator. Oare degeaba intervin eu, ocazional la mos-fet in AUDIO ca final stage? Multumesc @marian de simulare. Apropos de asta si de ideea de "limitare de curent in caz de scurt pe iesire" cu zenner mai mic de 10V, (preferabil 12V cu dioda 1N4148 clasic, sau zenner identic) intra poarta si sursa, marian a fost cit se poare de "diplomat"... Link spre comentariu
Vizitator Postat Iulie 25, 2014 Partajează Postat Iulie 25, 2014 Nu trebuie sa ne dam batuti, nu trebuie cedat, trebuie mers pina in pinzele albe adica la MAXIM. Desi la SOA sint mai robusti decit bipolarii, la aceeasi tensiune Vce sau Vds, realitatea creeaza probleme la diferentele de structuri N-mos vs P-mos. Tocmai de aia am si pus schema de mai sus, total cu Nmos alias cvasicomplementar la bipolari, ca userul ce va face acea schema, sa aibe o baza solida de plecare. Succes! Printre singurii care au facut etaje finale de buna calitate cu complementari 240 si 9240, au fost ECLER, si culmea, la ei nu gasesti intre poarta si sursa, zennere mai mici de 12V chiar daca mos-ul este deschis complet la 10Vgs. Link spre comentariu
alexu_0687w Postat Iulie 25, 2014 Autor Partajează Postat Iulie 25, 2014 Marian nu trebuie sa te declari dezamagit, nu observasem cateva idei, si poate ca nici tu nu ti ai dat seama unde sa insisti in explicatie: 1. ma asteptam ca MOS ul sa aibe si el o amplificare a semnalului aplicat in grila, nu doar oglinda fata de semnalul aplicat-Vth 2. nu consideram ca trebuie dus catre Vgs maxim pt a avea un Id maxim si atunci MOS ul va fi deschis complet Cred ca s-a mai facut lumina....in mintea mea Link spre comentariu
Marian Postat Iulie 25, 2014 Partajează Postat Iulie 25, 2014 ......................... Link spre comentariu
Marian Postat Iulie 26, 2014 Partajează Postat Iulie 26, 2014 ...................... Link spre comentariu
Vizitator Postat Iulie 26, 2014 Partajează Postat Iulie 26, 2014 O mica corectare la superdioda in caz de semireglabil mai prost calitativ, al carui cursor ar putea avea contact slab: Link spre comentariu
Postări Recomandate
Creează un cont sau autentifică-te pentru a adăuga comentariu
Trebuie să fi un membru pentru a putea lăsa un comentariu.
Creează un cont
Înregistrează-te pentru un nou cont în comunitatea nostră. Este simplu!
Înregistrează un nou contAutentificare
Ai deja un cont? Autentifică-te aici.
Autentifică-te acum