despre MOS-FET !!!

[XAN77]

Ma ocup de destul de mult timp de elctronica si de vreo 4 ani numai de controlere si am ajuns destul de departe zic eu, dar spre rusinea mea nu am avut niciodata tangente cu acest tip de tranzistori MOS-FET -ii, cand mai folosesc si pentru comutatie tot vreun BD ceva pun. Am cautat ceva pe net nu prea insistent intradevar si prin carti nu prea am de TEC-uri, stiu ca sunt un fel de rezistoare comandate in tensiune ca le pot distruge cu incarcarea elctrostatica si cam atat. Aveti careva niste info sa invat si eu despre ele, ceva cu aplicatii tipice si clasice cu ei? vreun link ceva, mentionez ca ma intereseaza mai mult pentru comutatie, am observat ca se folosesc din ce in ce mai mult si am inceput sa ma simt "in plus" . Multumesc .

[bogdanm]

http://www.ibiblio.org/obp/electricCirc ... EMI_5.html

[XAN77]

ce sa zic, nu mam luminat indeajuns de acolo, termeni in engleza care daca nu iam prins nu prea am mai inteles, cateva intrebari :1. daca tensiunea G-S este = 0 rezistenta D-S este mica (ON) sau mare (OFF)2. ce tensiune este maxima pe G-S ca sa deschida/inchida la maxim canalul3. la IRF la ce foloseste dioda interna dintre D-S

[pavcostel]

Pe scurt:1 - teoretic da, la canal N - Off.2 - la fiecare tranzistor se dau RD-S(rezistenta drena-sursa) la doua paliere diferite ale Ug-s.. Deci te uiti in datasheet si pe graficul de acolo.3 - protectie in primul rand. In caz de sarcina inductiva se mai prevede inca o dioda de curent si viteza mai mare. Deasemenea protejeaza la tensiuni inverse.

[XAN77]

sa inteleg ca cu o rezistenta de 1 M si un potentiometru care sa dea tensiunea in grila, pot pune un IRF720 de exemplu direct la 220 si sa comand luminozitatea unui BEC de 40 W ? eventual cu puntea redresoare de rigoare binenteles. Pare o schema prea simpla ca sa nu o fi tinut minte de pe undeva. De ce nu se face asa si se face cu triac sau tiristori si e mai complicat un pic ?

[pavcostel]

Sunt dimmere si cu mos si cu triac. Inverterele sunt cu Mos/IGBT. Asa ca exista scheme, poate nu asa simpliste, dar relativ simple. Nu ma pune sa dau linkuri, nu m-a interesat sa le memorez.Notiunea de putere electrica se mentine deasemenea la mos-fet.Costel

[XAN77]

ok, am cautat dimmere cu mos si mam mai lamurit, o singura intrebare mai am : la ce fel de TEC nu conteaza daca in versez sursa cu drena? ca la TUJ se pare ca nu conteaza, la mosfet-urile cu canal N sau P conteaza banuiesc nu ? deci la ce tipuri curentul poate circula prion canal in ambele sensuri ? Si am mai inteles ca tensiunea pentru deschidere completa e undeva peste 5 Vcc pana in 10 depinde de model . Asta complica un pic situatia in cazuri de comutatie cu microcontrolere alimentate la 5vcc sau comandate de optocuploare care si la lipsa comanda au o "scurgere" :rolleyes: tinand mosul intr-o stare partial on ...

[pavcostel]

La canal N si canal P drena si sursa pot fi oarecum omoloage cu colector/emitor al bipolarelor. Asa ca ... inversarea intre ele...In general cu IGBT se comanda in pwm sarcini de 2kW fara probleme. Comandate de microcontrollere prin optocuplor. Cauta datasheet la IR2110 parca, asta e DRIVER pentru IGBT. Sau sunt anumite optocuploare care comanda poarta fara scurgeri. Trebuie doar sa impui circuite de limitare a tensiunii. Apoi, daca folosesti optocuplor, ideal ar fi sa ai alimentare simetrica, sa poti sa-i tragi poarta ferm "in jos". Dar cinstit, opto merge cand sunt implicate tensiuni/curenti relati mari. Daca vrei cumva sa "sufli si-n iaurt", vezi daca se justifica complicatia. Cam toata lumea comanda mos cu microcontroller, si nu le schimba "cu pumnul"...Bafta!Costel

[Liviu M]

la ce fel de TEC nu conteaza daca in versez sursa cu drena? ca la TUJ se pare ca nu conteaza, la mosfet-urile cu canal N sau P conteaza banuiesc nu ? deci la ce tipuri curentul poate circula prion canal in ambele sensuri ?

Cam tarziu, da'...La MOS-urile de joasa putere, daca substratul nu e conectat intern la vreun pin ci are pin propriu, atunci sursa si drena sunt interschimbabile intre el. Daca substratul e legat intern la un alt pin, atunci pinul ala e "transformat" in sursa.La MOS-urile de putere e putin diferit si mai complicat, da' cel putin pentru o parte (cei simetrici) se poate aplica enuntul de mai sus.PS Ce-am zis eu e valabil sigur la mosfetii integrati, da' cred ca si cei discreti sunt cam la fel.

[XAN77]

oricum parca imi vine "peste mana" cu mosfetii astia, tot un BD235 ceva imi vine sa pun daca comand un cooler de PC de exemplu cu un controler..., ce avantaj as avea in exemplu asta daca as folosi un mosfet si ce model mi-ar folosi si cum las conecta ?

[Vizitator maximus]

MOS-urile sunt tranzistoare muuult mai bune in unele circuite....trebuie sa ti cont ca e cam la fel cu un bipolar doar ca MOS se deschide mult mai "repede" la un Ugs mult mai mic decat Ube....si fi atent la polarizari, exact ca la bipolare de altfel...in rest sa ti cont in proiectari ca Rds_on creste cu temperatura mediului si al tranzistorului.....recomand MOS la surse in comutatie, finali audio etc....si pentru ca zgomotul creat de miscarea electronilor este muuuult mai mic ca la bipolare....succes

[XAN77]

MOS se deschide mult mai "repede" la un Ugs mult mai mic decat Ube....

pai acuma chiar ca nu mai intelg, tensiunea baza emitor este de 0,65-0.7 volti, la 1 volt bipolaru espe deschis, si la 2 sau la 5 iar mosfetu am vazut prin datele lor de catalog ca au nevoie de 10V sau chiar mai mult pentru a avea Rds minima, doar un IRLZ24 am gasit care are Ugs de saturare de 5v dar si asta mult peste bipolari, eu intelesesem ca tocmai asta e unul dintre dezavantajele feturilor, tensiunile mai mari de comanda si cea ce spui tu ma baga'n ceata :smt003

[masterpic77]

Diferenta majora intre MOS si bipolare este ca : MOS-urile se comanda in tensiune ( tipic 10-15V) si 'nu sug' curent , iar bipolarele se comanda in curent si 'sug' curent .

[masterpic77]

Diferenta majora intre MOS si bipolare este ca : MOS-urile se comanda in tensiune ( tipic 10-15V) si 'nu sug' curent , iar bipolarele se comanda in curent si 'sug' curent .

[Vizitator maximus]

MOS se deschide mult mai "repede" la un Ugs mult mai mic decat Ube....

pai acuma chiar ca nu mai intelg, tensiunea baza emitor este de 0,65-0.7 volti, la 1 volt bipolaru espe deschis, si la 2 sau la 5 iar mosfetu am vazut prin datele lor de catalog ca au nevoie de 10V sau chiar mai mult pentru a avea Rds minima, doar un IRLZ24 am gasit care are Ugs de saturare de 5v dar si asta mult peste bipolari, eu intelesesem ca tocmai asta e unul dintre dezavantajele feturilor, tensiunile mai mari de comanda si cea ce spui tu ma baga'n ceata :smt003

depinde de care MOS...aia cu 5-10V ptr Ugs sunt mai de putere....aia intre 0.3-3V sunt mai mici si ca marime si ca putere.....numai ca aici e vorba de tensiune...la bipolari de curent (acolo conteaza curentul injectat in baza), aici tensiunea cum scria cineva de mai sus.