adaugare inca o pereche de tranzistori la kit fet200

[IoNuTx]

Dublind finalii, DA, dublezi puterea , dar cea disipata de finali ca,,, capabilitate.La +/- 63Vcc, nu obtii mai sus de 40-42v rms curati sinusoidal, chiar daca aparatul de masura iti arata 53V.

eu am spus 35 dupa urechea mea 35v pe 4R =8,75Ax35v=306w,nu?la nivelul meu de hoby nu se merita sa dau N milioane pe osciloscop

Emil,gresesti mult,inainte de a posta documenteazate despre clasa amplificatoarelor,vezi ce randament au,fidelitate,etc.Uite aici daca cunosti engleza:http://en.wikipedia.org/wiki/Amplifier

[Emil 1986]

dezbatem acum tipologia maselor de tantari,intrebare a fost daca la kitul meu fet200 supra alimentat la+-63vcc ce se intampla daca adaug o pereche de tranzistori,creste puterea?scad distorsiunile?rezultatul?ambele.inainte cu 2 perechi nu scoteau 53v la maxim si la 35v tremura voce in draci,acum nu se mai intampla (sa se auda rau inaltele si vocea)se aude la fel ca atunci cand erau doar 2 perechi si scoteau 30v 4R

[maxente]

Emil 1986 eu nu inteleg ce vrei sa faci cu atatea sute de wati, dar presupunand ca vei face acel amplificator sa iti dea acele sute de wati, poate ar trebui sa ne spui si ce sursa de alimentare folosesti pentru acel amplificator si cate canale vei alimenta din sursa

[Emil 1986]

uz personal sa zic.2 trafuri in paralel 1 de 561w si 1 de 1024wcel de 1024w aew sectiunea de 32cm iar cel de 551w este mai problematic de calculat dupa miezul cu tole in forma de L are 200w dupa consumul de la retea 2,55A la 220v are un consum de 561w

[Vizitator]

Pai te cam contrazici singurel...

 

am 2 astfel de kituri alimentate la +-60vcc si as vrea sa ii mai adaug cate o pereche de trz la fiecare kit,se poate? creste puterea?

 

 

Ne-ai spus mai devreme ca PASTRIND tensiunea de alimentare si nivelul de intrare, pe aceeasi sarcina de iesire, ai pus inca o pereche de finali la amplificator, si ca puterea de iesire ti-a crescut cu 100W...

 

am adaugat inca o pereche pe fiecare kit si puterea a crescut cu 100w fata de 200w acum am 300w la acelas nivel de volum

 

 

cert este ca a crescut putere,acelas traf aceias sursa de semnal acelas corector,poate ca si +-63vcc pt 4 R era mare pentru doar 2 perechi de irfp-uri,am vazut pe net kit-uri cu 3 perechi de irfp-uri alimentate la +-65vcc.

 

Sper ca vizionarea acestui filmulet, sa te aduca cu picioarele pe pamint, si sa intelegi EXACT, cum poti masura puterea de iesire a unui amplificator , pe o sarcina cunoscuta ca valoare, indiferent la ce tensiune alimentezi si citi finali ai pe ramura

 

http://www.youtube.com/watch?v=uUARDkNs ... e=youtu.be

[Emil 1986]

exact,daca ati vazut clipul ati vazut si tensiunea pe iesire,cu 2 perechi nu aveam o tensiune de 35v pe iesire un 33 maxim pe cand acum cu 3 perechi daca ati vazut clipul am si 53v lasand distorsiunile la o parte daca nu am cu ce sa le masor,deci cert este ca in 2 perechi aveam un maxim de 32-33v la volum maxim(mixerul da undeva la 1,6v) acum cu 3 perechi am la maxim53v,deci ca sa ajung la 35v nu mai dau mixerul la maxim,la maxim am 53v,nu stiu dc nu ma credeti daca am si pus video cu tensiunea pe iesire.am 2 finali de 100 si 200w.pe cel de 100w trebuie sa il dau la maxim sa am 100w pe cel de 200 trebuie sa il dau la jumatate ca sa am aceias putere,nu?din moment ce amplificatorul este mai puternic nu este normal ca la acelas nivel de volum cu unul mai mic ca putere sa debiteze o putere mai mare?

[Emil 1986]

acum sa ma uit la clip

[Marian]

Nu pot sa cred... nu pot sa cred ca desi clipul lui @Leco este cat se poate de elocvent pentru oricine cat de cat initiat in electronica audio, tu tot nu pricepi nimic...

[Emil 1986]

domnul marian am priceput,am 600w pe ampemetru dar in realitate nu am,intrebarea mea a fost alta>daca adaug inca o pereche de tranzistori la aceste kit-uri ce se intampla?raspunsuri !nimic.creste puterea cu 10w,practic a crescut cu 100wsi am inteles fara osciloscop nu pot citi puterea reala,dar traiesc macar cu impresia ca este mai mare si nu mai stau cu frica ca este supra alimentate kit-urile

[Marian]

domnul marian am priceput,am 600w pe ampemetru dar in realitate nu am,intrebarea mea a fost alta>daca adaug inca o pereche de tranzistori la aceste kit-uri ce se intampla?raspunsuri !nimic.creste puterea cu 10w,practic a crescut cu 100w

E singura reactie de care sunt acum capabil....

[Emil 1986]

ma bucur ca v-am bine dispus

[Marian]

Fara suparare dar tu nu vrei sa intelegi notiunile elementare in electronica audio, nu e nici o problema ca cineva nu stie un lucru, zilnic pe privat sau pe mail am discutii lungi cu colegi cum ar fi @maxente, @gabryeludrea, @Vlad Mihai, si altii, colegi carora le ofer cu placere o mana de ajutor atunci cand tine de mine, dar in nici un caz nu ma lovesc de ziduri de nepatruns asa cum este cazul cu tine, ei chiar sunt atenti la ceea ce citesc si studiaza si evolueaza evident si progresiv, nici eu nu sunt nici pe departe veteran in electronica... da de unde, dar tu faci totul imposibil de greu sa ti se explice deoarece tu refuzi orice sfat contravine/contrazice convingerile tale limitate, n-ai nici o sansa sa evoluez asa, fii mai flexibil si mai umil altfel vei fi luat constant la misto pentru ca esti mult prea incapatanat.

 

PS: As prefera sa ma tutuiesti, nu detin nici o functie importanta si nici n-am imbatranit

[Emil 1986]

domnul maria nu este nici o suparare,facem alt fel.desfac ampliful scot perechea adaugata de mine reglez biasul si fac iar video sa vedeti tensiunea la maxim si cum se aude in 2 perechi,si pe urma sa ziceti daca a fost degeaba adaugata sau daca am avut ceva de castigat nu stiu daca va-ti uitat la cel postat deja

[Marian]

Numele meu este Marian, nu mi-l poci.

 

Acuma hai sa iti explic cateva chestii mai detaliat ( daca colegii considera ca gresesc undeva ii rog sa ma corecteze ) si insist sa citesti foarte atent tot cap-coada chiar daca mesajul va parea lung, si sa ignori tot ce ai experimentat tu pana acum.

 

Inainte de toate, atunci cand folosim expresia Semnal Audio ne referim la o sinusoida, muzica este de fapt o amestecatura de semnale cu frecvente si amplitudini diferite dar pentru simplitatea intelegerii si calculelor, muzica/semnalul audio poate fi interpretat de o simpla unda sinusoidala, adica asta:

 

Unda sinusoidala are urmatoarele valori

-Semisinusoida Pozitiva;

-Semisinusoida negativa;

-Perioada;

-Frecventa;

-Vp;

-Vpp;

-Vrms;

 

Acuma luandu-le pe rand avem:

-Semisinusoida pozitiva este jumatatea pozitiva a formei de unda, adica partea de deasupra liniei, tensiunea pozitiva fata de circuitul de masa ( referinta de 0V ), partea marcata de sagetile rosii din imagine

 

-Semisinusoida negativa este jumatatea negativa a undei, partea de sub linie ( linia este referinta de 0V-masa ), tensiunea negativa fata de masa, in imaginea imediat urmatoare este marcata de sagetile negre

 

-Perioada este timpul cat dureaza un ciclu complet al undei, adica ambele semisinusoide, marcajul albastru din imaginea imediat urmatoare ilustreaza perioada

 

-Frecventa este numarul de asemenea cicluri ( perioade ) pe secunda si se calculeaza dupa

 

-Vp =>Voltage-Peak, este tensiunea ( amplitudinea ) de varf a sinusoidei fata de masa ( referinta de 0V ), o imagine care sa ilustreze asta

 

-Vpp =>Voltage-Peak to peak, este tensiunea ( amplitudinea ) varf la varf, adica cea masurata intre varfurile semisinusoidelor dintr-o perioada, ca in imaginea urmareata

 

-Vrms =>Voltage-Root Means Square, mai este cunoscuta si ca tensiunea efectiva a sinusoidei ( Vef ), aceasta este calculata din cea de varf astfel

 

Acum putem spune ca stim cam tot ce este strict necesar despre natura semnalului audio, sau macar forma sa elementara, putem trece la calcule mai precise pentru etajul final al amplificatorului audio, sa presupunem un amplificator audio prevazut cu etaj final complementar MOSFET cu o singura pereche de IRFP240/IRFP9240, tensiuni de alimentare de +/-50Vcc si o sarcina de 4 Ohm, ne vom lega strict de mosfetul de sus, IRFP240, el va conduce semisinusoida pozitiva pe care am ilustrat-o mai sus, celalalt nu face decat sa completeze ciclul deci il putem ignora pentru simplitatea calculelor si a intelegerii lor, vom lua deasemenea in calcul doar tensiunea pozitiva ( ramura pozitiva +50Vcc ) deoarece sarcina are un capat conectat permanent la masa si celalalt capat pus alternativ la ramura pozitiva/negativa de etajul final, deci putem sa ignoram tensiunea negativa, deasemenea tot pentru simplitatea calculelor, si deci 50V poti considera ca fiind Vp ce l-am descris mai sus.

 

Considerant situatia ideeala in care finalul este capabil sa puna intreaga tensiune de alimentare pe sarcina ( deci pierderi zero ) avem deci o semisinusoida cu Vp de 50V, valoarea care se ia in calcul pentru stabilirea puterii pe sarcina este insa Vrms pe care deasemenea l-am descris mai sus, si deci acesta este 50/1,41=35V, si deci puterea maxima in situatia ideeala de pierderi zero pe finali este . Acuma, curentul de varf este simplu de aflat prin legea lui Ohm ; valoarea rms a curentului este , acesta fiind si curentul mediu pe care mosfetul trebuie sa-l suporte.

 

Bun, am stabilit conditiile de lucru in situatia ideeala in care pierderile sunt inexistente, in realitate asa ceva nu exista, indiferent de configuratie pierderile niciodata nu pot fi zero, si hai sa analizam cativa parametrii mai importanti ai mosfetului in discutie pentru a putea intelege mai bine natura pierderilor din etajul final, deci IRFP240 are urmatorii parametrii mai importanti:

 

-Vds este tensiunea maxim admisa intre drena si sursa ( n-are legatura cu circuitul de masa, se masoara exact intre acei pini ), la el Vds este 200V;

-Id este curentul maxim admis pe canalul de conductie Drena-Sursa, in cazul de fata 20A;

-Rds-on este rezistenta echivalenta a canalului de conductie DS atunci cand acesta este activ, in cazul de fata 0,180 Ohm, valabil doar in regim de saturatie ( un detaliu foarte important );

-Pd este puterea disipabila pe mosfet maxim admisa, deci n-are treaba cu puterea pe sarcina, in cazul de fata este 150W;

-Deriva termica a Pd, este influenta directa a temperaturii capsulei asupra puterii disipabile maxim admise ( "Pd" de mai sus );

-SOA este zona de siguranta pentru tranzistor, adica curentul maxim admis prin tranzistor la un Vds dat, factor decisiv pentru Pd;

-VGSth este pragul minim de tensiune de la care mosfetul se deschide, tensiunea aplicata in poarta, si a carui valoare influenteaza direct curentul pe care mosfetul il va conduce;

 

Acum putem stabili parametrii exacti la care tranzistorul va lucra, avem tensiune de 50V si curent de 4A, intai ne asiguram ca nu depasim pragul SOA, in pdf-ul IRF240 putem gasi graficul acesta

 

Este exact ceea ce ne intereseaza, si acolo se specifica atat o valoare pentru DC cat si pentru diferite frecvente/timpi de CA, fiind vorba de semnal sinus luam in calcul CA, respectiv cea mai dezavantajoasa dintre situatiile ilustrate in grafic care in situatia de fata este linia intrerupta de 10mS, urmarind traseul de intersectie putem observa ca limita SOA pentru 50V este cam 7A, deci ne inscriem in calcul pana aici. De acum incep limitarile, cei 7A admisi de SOA la 50Vds sunt la o temperatura a capsulei de 25*C, in realitate nu se poate intampla asta la volum maxim deci ne uitam la graficul derivei termice pentru o temperatura de lucru maxim estimata, graficul este asta

 

Sa zicem ca nu vom permite ca temperatura radiatorului sa treaca de 70*C, deci din grafic observam ca la aceasta temperatura mai putem disipa pe mosfet cam 70% din maximul de 150 admis, undeva pe la 100W maxim disipabili la aceasta temperatura, in realitate nu trebuie nici macar sa ne apropiem de valoarea asta. Mergand mai departe factorul decisiv in materie de pierderi este in primul rand VGSth in pdf-ul mosfetului avem graficul asta

 

Acolo putem observa ca pentru curentul mediu de 4A in poarta avem nevoie de cam 5V, avand in vedere configuratia etajului final ( iesire in sursa ) tensiunea asta va constitui pierdere substrasa din cei 50V; un alt factor care influenteaza pierderile este rds-on, luand in calcul regimul ideeal de saturatie al mosfet avem graficu asta

 

El ne spune ca la 4A rds este de cam 130m Ohm, dar asta iarasi doar in situatia unei temperaturi joase a capsulei, daca luam in calcul cei 70*C estimati mai sus atunci avem Rds-on cam asa

 

Acum avem cam 1,3 Ohm la aceasta temperatura, si luand in calcul cei 4A pe rds-on vor pica in conductie directa 1,3*4=5,2V, si cumuland cu ceilalti 5V de mai sus avem un total de 10,2V cadere pe mosfet si o putere disipata pe el de 10,2*4=40,8W.

 

Acuma putem recalcula puterea utila pe care o vom avea pe sarcina, mai sus am spus ca situatia ideeala ar presupune ca varful sinusoidei ar fi 50V, de data aceasta varful trebuie coborat cu acei 10V care constituie pierderile si deci un varf ajustat la 40V, si un Vrms de 28V, puterea deci scade la 196W, aceasta este puterea utila pe care sarcina o poate primi in conditiile de mai sus.

 

Ce se intampla in cazul adaugarii inca unei perechi de mosfeti? cel mai important este injumatatirea curentului prin fiecare mosfet ceea ce reduce pierderile, pe rds-on vor mai pica de data asta doar 2,6V, iat VGSth scade si el cam pe la 4,5V deci un total de aproximativ 7V cadere pe mosfeti, deci 50-7=43, 43/1,41=30, 30^2/4=225W, deci practic exista o oarecare crestere a puterii datorata micsorarii pierderilor mai ales pe rds-on dar in nici un caz nu se poate ajunge la o diferenta de 100W, in realitate cresterea nu este decat de cativa W si de obicei insignifianta, ceea ce conteaza la adaugarea de finali in plus este regimul de lucru per ansamblu mai bun al finalilor, deci o robustete sporita a amplificatorului.

 

PS: Inchei repetand si eu ce a zis @Leco: Tensiunea utila pe sarcina nu poate fi observata/masurata decat cu osciloscopul, renunta la ideea ca ai masurat tu cu aparatul valori exacte, frizezi penibilul insistand astfel.

[Emil 1986]

scuze domnul maria(n)am gresit nu m-am uitat cand am scris