dece lauda lumea atat mosurile in defavoarea bipolarilor????

[DorinD]

NU am avut timp sa citesc toate posturile de aici, unele intrebari mi s-au parut super stupide (intrebarea care suna cam asa "unde ai auzit tu de factor de amplificare, poate factor de reactie vrei sa zici") :puke: Man, pune mana pe o carte de liceu de la specializarea de electronica analogica si uita-te in ea!!!! HUA!!! Cum sa nu auzi de beta mah (pentru npn)?In primul rand, lauda mos-urilor vine de la principiul lor de functionare, care este foarte foarte asemanator cu al LAMPILOR ( :yahoo: deja s-a aprins un beculet in mintea celor care stiu cum suna un amplif pe lampi) si anume se induce un canal (sursa-drena) a carui deschidere/inchidere este comandata de catre tensiunea aplicata la poarta.Dezavantajul mare al mos-urilor este fragilitatea lor fata de aparitia unor tensiuni accidentale pe poarta, ducand la distrugerea tranzistorului (prin tensiune accidentala ma refer la o tensiune mare de ordinul 10^2 volti), strapungandu-se canalul de metal-oxid (apropo, MOS vine de la metal-oxid-semiconductor)Avantajele mos-urilor sunt: - zgomot propriu redus- dependenta mica fata de temperaturaDaca o sa am timp o sa scanez partea de tranzistoare (si bipolare si cu efect de camp)Pentru comentarii dati pm, nush cand o sa mai intru pe la sectiunea asta...greu cu timpul

Esti cam obraznic baietzash, si ai o varza in cap pe care nu prea o realizezi! Nu te trimit la cartile de liceu fiindca ar fi degeaba. Cateva precizari pt. uzul dumitale inainte de a mai posta aici:- factorul de amplificare este definit doar la bipolare, si corect se numeste factor de multiplicare in curent, iar functie de modelul folosit este notat beta sau Hfe. Ca sa fim mai rigurosi, beta nu este acelasi lucru cu Hfe deoarece difera conditiile de masura.- in contextul nostru era vorba de tranzistorii MOS de putere iar acestia au alti parametri care sa-i descrie si nici unul nu se numeste "factor de amplificare". Cel mai apropiat de ideea unui factor de amplificare ar fi la MOS transconductanta, dar presupun ca vorbesc deja limbi straine pt. tine.- zgomotul propriu mic are doar MES-FET-ul care foloseste un principiu asemanator MOS-ului, dar asta de la multe sute de MHz in sus. Ceea ce iarasi nu e cazul in discutie. Dar MOS-ul in principiu este mediocru ca zgomot, mai ales daca-l raportezi la amplificarea pe etaj realizata.- fragilitatea de care spui la tensiunea de grila este de domeniul istoriei, acum doar la comanda iti mai face cineva un MOS fara diodele de protectie incluse.- intr-un singur loc ai dreptate dar fara sa vrei. Si anume la dependenta de temperatura. MOS-ul ESTE dependent de temperatura dar coeficientul e negativ iar in montajele de putere acesta este un avantaj in sensul ca nu duce la ambalare termica.Astept cu interes scanarile cu "partea de tranzistoare". Banuiesc ca de la cercul de brainstorming al Casei Pionierilor (pardon, Cercetasilor).

[csl1131]

Te rog fii mai putin acid si mai la subiect ... sorteh

 

l

eu cred ca era mai la obiect decat tine..acuma sanu te superi..dar cum ziceai..nu ai citit tot...

 

Cel mai apropiat de ideea unui factor de amplificare ar fi la MOS transconductanta, dar presupun ca vorbesc deja limbi straine pt. tine.

:smt029 :smt041 sa mor de ras cand am citit asta..lool..dar adevarat..

[Blind]

Eu am citi atent pana la postul respectiv si am vazut ca omul care a zis ca nu a auzit de asa ceva se referea la BIPOLARI nu la MOS-uri.Daca fragilitatea a disparut de mult, atunci cum se face ca la transportul mos-urilor tot este recomandata scurtcircuitarea pinilor?Ce te face sa fi atat de sigur pe tine cand zici ca am avut dreptate fara sa vreau cand am zis de temperatura? Da, bine ca le sti dumneata (iti zic dumneata pt ca nush ce varsta ai; nu te astepta sa vorbesti cu un om in varsa) pe toate iar altii nu au habar de asa ceva....b-( :pottytrain5:

[Vizitator Vasile]

Daca fragilitatea a disparut de mult, atunci cum se face ca la transportul mos-urilor tot este recomandata scurtcircuitarea pinilor?

Unde ai citit prostia asta ? Eu cumpar mosuri direct de la producatori si infara ca sunt impachetati corespunzator(ca de altfel orice piese) nu au absolut nici o protectie in plus si pana acuma din mii care am luat niciunul nu a fost defect.

[DorinD]

...Ce te face sa fi atat de sigur pe tine cand zici ca am avut dreptate fara sa vreau cand am zis de temperatura?...

Ai spus despre MOS-uri ca au "dependenta mica fata de temperatura", ceea ce nu este adevarat. MOS-urile au o dependenta cel putin de acelasi ordin de marime a parametrilor fata de temperatura ca si bipolarii. Doar ca din fericire semnul acestei dependente este pe dos pt. curentul de drena: in montajele clasice de polarizare la cresterea temperaturii curentul de drena scade in loc sa creasca. Deci ai avut dreptate prin efect dar nu prin cauza.

... Da, bine ca le sti dumneata (iti zic dumneata pt ca nush ce varsta ai; nu te astepta sa vorbesti cu un om in varsa) pe toate iar altii nu au habar de asa ceva...

Sint departe de a le sti pe toate. Totusi, la 40 de ani sint destul de sigur ca am reusit sa uit mai multe decat ai reusit tu sa inveti pana acum si nu permit oricui obraznicii. Daca permit unui amic sa ma faca prost (asta inseamna de fapt "stupid") si chiar sa ma trimita sa mai pun mana pe carte, nu acelasi lucru pot spune despre un necunoscut, fie el şarmant sau scaparator de inteligent.Sa vad in continuare ce contributie aduci pe forum (informatii utile pt. ceilalti) si apoi vei avea dreptul la pozitii contra corentului sau chiar iti voi permite sa ma faci prost.

[Blind]

Si cu toate astea nu imi dau seama unde ti s-a parut ca "te-am facut prost" dar in fine... nu mai conteaza....

[Vizitator]

''Totusi, la 40 de ani sint destul de sigur ca am reusit sa uit mai multe decat ai reusit tu sa inveti pana acum si nu permit oricui obraznicii.''cu tot respectul domnule DorinD chiar nu ne intereseaza varsta dumneavoastra nici gradul de cunostinte acumulat,aici nu e ''stii si castigi''am si io in casa un specimen ca dumneavoastra DL INGINER SEF DE TURA....mare electronist...nici priza defecta nu o repara...din cate am inteles io nu acceptati nici o sfidare decat de la prieteni...si aia facuta cu perdea,parerea mea e ca tre sa faceti o vizita pe la balamuc ca sunteti prea mandru si sigur pe sine,un fel de zeu al forumului :toimonster: io zic sa va aruncati de pe un pod mai bine ca si asa faceti umbra pamantului degeabaconcluzie:LOL LOL LOL SUPERLOL :axe: :axe: :axe: :axe:

[DorinD]

Da Buci, cum de-ai ghicit? Sint chiar zeul zeilor de pe forum si-i fac sa fuga pe cei mai speriosi din fire!Dar am sa-ti urmez sfatul ca sa nu adancesc prapastia dintre generatii...Later edit: Ca sa revin in topic am extras dintr-o carte de Ben Duncan post-ata de un binevoitor pe alt forum cateva pagini ce cuprind comparatia MOS cu bipolari (modificati extensia din .pdf in .doc).Douglas Self e mai conservator.

[Vizitator grati]

numai mosurile laterale au coeficient de temperatura negativ, dar sunt mai scumpe

[Vizitator Vasile]

Cu tot respectul Buci Buci esti un mare dobitoc daca nu-ti ceri scuze.

Nu mai poate pentru ca a primit ban dupa ultimul sau mesaj(care l-as si sters) in care a incercat sa jicneasca tot forumul nu numai partenerii de discutie.

[peshte]

Un motiv simplu pentru care mosurile sunt mai bune decat bipolarii este ca mosurile sunt comandate in tensiune. Adica direct dintr-un integrat CMOS pot sa comand un tranzistor de 1000W fara sa pun alti tranzistori inainte prin care sa amplific curentul.Iar la un bipolar saturat se pierde cca. 0,5 V pe C-E, asta la tensiuni si curenti mari, se transforma in zeci de W pierderi prin caldura, pe cand la un MOS saturat pierderea este pe o rezistenta de cativa mOhm, deci disipare de caldura mai mica.Totusi imi aduc aminte cum am facut un amplificator cu 2n3055 (tranzistori recuperati dintr-o statie de prin '87), si fiind in faza de test, nu le-am pus radiatoare. Cel de pe minus suporta f bine, ramanea rece si la maxim pe 4 Ohm, dar cel de pe plus, s-a incalzit atat de tare, incat dupa o juma de ora de funcionat la maxim, fiind pe jos pe covor, mi-a topit covoru, si a inceput sa se topeasca corpul tranzistorului, ca am dat cu un bisturiu pe el, si a ramas metal pe varf ca la cositor usor topit cu un pistol de lipit slab.Tranzistorul il am si azi, si inca functioneaza la o sursa reglabila, de data asta cu radiator, si inca poarta pe el urmele de atunci :prayer: . Nu stiu daca ar tine atat un MOS si in astfel de conditii. :weedman:

[Vale]

In aplicatii de comutatie sunt clare avantajele MOS-urilor... aici era vorba de amplificatoare audio daca nu ma insel...Dar voiam sa va zic ceva putin off-topic - atentie mare:La politehnica in Bucuresti, facultatea de inginerie electrica(fosta electrotehnica) se preda(in anul 3, la disp semiconductoare de putere) in felul urmator: in aplicatii de comutatie, de putere evident, dezavantajul MOS-ului in fata bipolarului este ca in conductie (saturatie) caderea de tensiune drena-sursa la MOS este mai mare decat caderea de tensiune colector-emitor la bipolar!!!Inca n-am avut timp sa verificv la maxim aceasta afirmatir dar am vazut deja cel putin un document de la Philips parca, care declara exact invers...Inca o data cred ca e un curs cu o vechime de vreo 20-30 de ani...

[peshte]

Eu din titlu, am crezut ca de ce sunt mai laudate in general.Si chiar si in tehnica audio, la un amplificator cu 2n3055 de ex., finalii trebuie atacati cu niste bd-uri, altfel la putere mai mare, se pot arde tranzistorii daca sunt pusi de putere mai mica, pe cand la fet-uri, se poate ataca direct din tranzistorii de amplificare.

[Vale]

da, asa e...dar se pare ca bipolarele au fidelitate mai mare si distorsiuni mai mici...chiar azi citeam intr-o carte despre amplificatoare de instrumentatie realizate cu AO si spunea asa: pentru surse cu rezistenta interna mica se recomanda AO cu intrare pe bipolari pentru zgomot si offset si doar pentru surse cu impedanta mare se recomanda AO cu MOS-uri in etajul de intrare...problema e ca e greu sa iti permiti sa cumperi niste bipolari cu adevarat buni

[Vizitator]

In aplicatii de comutatie sunt clare avantajele MOS-urilor... aici era vorba de amplificatoare audio daca nu ma insel...La politehnica in Bucuresti, facultatea de inginerie electrica(fosta electrotehnica) se preda(in anul 3, la disp semiconductoare de putere) in felul urmator: in aplicatii de comutatie, de putere evident, dezavantajul MOS-ului in fata bipolarului este ca in conductie (saturatie) caderea de tensiune drena-sursa la MOS este mai mare decat caderea de tensiune colector-emitor la bipolar!!!Inca n-am avut timp sa verificv la maxim aceasta afirmatir dar am vazut deja cel putin un document de la Philips parca, care declara exact invers...Inca o data cred ca e un curs cu o vechime de vreo 20-30 de ani...

Cu ceva ani in urma am dat si eu de info asemanatoare...Informatia respectiva se gaseste de obicei in discutiiile comparative MOSFET / bipolare cu referire la IGBT, referitor la faptul ca IGBT ar combina avantajele de la fiecare (caracteristica de saturatie la IGBT asemanatoare cu a bipolarilor + poarta MOS). Este dificil de facut masuratori si comparat practic, uneori producatorii de semiconductori fac aceste comparatii pentru componente avand caracteristici asemanatoare din punctul de vedere al productiei, iar aceste caracteristici pot fi de exemplu aria emitorului...Intre timp tehnologia MOS a mai evoluat, astfel incat azi Rdson au ajuns la valori foarte bune.Alte avantaje MOSFET, nementionate anterior: IMD de ordin superior mai reduse, zgomot de banda larga mai mic, usurinta adaptarii la intrare si castiguri ridicate si mai uniforme la frecvente mari, viteze mari de comutatie si comanda simpla (important pentru clasele D, E, F unde MOS sunt solutia utilizata azi in cvasitotalitate).