Sari la conținut
ELFORUM - Forumul electronistilor

SARA-amplificator de inalta performanta


sk24bpo

Postări Recomandate

Totusi nu inteleg de ce vrei sa cuplezi termic la sange niste tranzistori in etajul de intrare.... Daca vorbeam de superdioda intelegeam dar asa... Spune-mi motivele

Link spre comentariu

In cazul cuplarii termice a tranzistorilor din etajul de  intrare , o data stabilit offset-ul ( la reglaj ) , acesta nu mai poate fi modificat in functionare ( datorita drift-ului termic ) si nu mai poate determina aparitia distorsiunilor " termice " ...

Link spre comentariu

La mine driftul e de cativa mV iar distorsiunile termice n-am auzit sa existe, ba am vazut ca prin carti subliniaza ca e vorba despre un mit. Driftul termic nu are variatii mai dese de cel mult o secunda, nu influenteaza cu nimic masurabil amplificatorul. Daca totusi dorim sa-l luam in seama, aceasta variatie fata de excursia maxima a tensiunii de la iesire este undeva la -80dB iar frecventa maxima nu trece de 1hz. In realitate din cate imi aduc aminte, variatia la SARA de ex. era undeva in jurul a 5s, deci 0,2hz. Cu gandul sa observ variatia performantelor functie de temperatura de lucru a amplificatorului, am urmarit valoarea THD-ului si spectrul FFT de la pornire timp de jumatate de ora cu semnal destul de tare si nu s-a modificat nimic.  Stiu ca nu e mult timp de cand am facut cateva teste de genul asta , pe mine interesandu-ma mai mult etajul de iesire dar nu conteaza asta, orice variatie s-ar fi vazut. Nici la ureche n-am mai simtit diferente intre rece si cald de cand am modificat schema pentru THD-uri de sub 0,001%.

 

 Ma rog, sa presupunem ca o fi adevarata sperietoarea cu distorsiunile termice, sa presupunem ca acest "semnal" VLF in conjunctie cu semnalul util da produse de intermodulatie, totusi amplitudinea acestei oscilatii este foarte joasa, -70-80dB , pentru un amplificator obisnuit , nu mai zic de unul performant, produsele rezultate se vor situa cu mult sub -100dB, adica vor fi scufundate in zgomot.

 

 Sa impingem lucrurile si mai departe , sa presupunem ca vrem neaparat sa cuplam termic acei tranzistori, pur si simplu se rasuceste un tranzistor si gata, s-a rezolvat cuplajul termic. Alexmm a avut grija sa puna unul langa altul acesti tranzistori.

 

  Sunt alte probleme cu mult mai importante si mai greu de rezolvat decat rahatul asta cu cuplajul termic din etajul de intrare. Buclele de masa, cuplarea inductiva, cuplarea capacitiva si spike-urile de curent din redresare sunt cu mult mai ingrijoratoare. La urmatoarea redesenare de cablaj, o sa am grija ca tranzistorii sa fie in pozitia fata in fata.

Link spre comentariu

Sau o arie de tranzistori cuplati termic si imperecheati ... :) !

Cat despre folosirea unor tranzistori pereche " nativi " este clar ca sunt cu mult superiori unor tranzistori cu aspect asemanator , selectionati doar dupa criteriul " beta " cu ajutorul unui multimetru care costa cat un pachet de tigari ...

 

 

 

  Sunt alte probleme cu mult mai importante si mai greu de rezolvat decat rahatul asta cu cuplajul termic din etajul de intrare. Buclele de masa, cuplarea inductiva, cuplarea capacitiva si spike-urile de curent din redresare sunt cu mult mai ingrijoratoare. La urmatoarea redesenare de cablaj, o sa am grija ca tranzistorii sa fie in pozitia fata in fata.

Asa este , proiectul poate fi unul reusit sau nu in functie de compromisul facut in cablare , PCB , selectionarea componentelor .

Conteaza orice amanunt .

Link spre comentariu

 

Cat despre folosirea unor tranzistori pereche " nativi " este clar ca sunt cu mult superiori unor tranzistori cu aspect asemanator , selectionati doar dupa criteriul " beta " cu ajutorul unui multimetru care costa cat un pachet de tigari .

 

 Este si nu este chiar asa... factorul beta este important in alegerea tranzistoarelor din etajul de intrare, iar un multimetru care costa cat un pachet de tigari este mai mult decat suficient ca sa-si faca treaba. La etajul final multimetrul este inutil , dar acolo e alta discutie. Mai departe etajul de intrare daca este gandit pe principii sanatoase nu mai depinde decat in proportie extrem de mica de fizica nativa a tranzistorului. In schimb daca etajul de intrare este proiectat rudimentar, da, incep sa conteze si caracteristice tranzistorilor folositi. Nu este cazul la SARA care are un etaj de intrare foarte performant, nivel de performanta verificat si practic prin masuratori.

Link spre comentariu

Pana una ,alta , am rezolvat si cuplarea termica si disipatia termica si o sa rezolv si cuplarea termica a celor 4 tranzistori  de pe intrare .... :)  Posted Image ,Posted Image ,Posted Image  si sa vad ce mai inventati ca nu este bine ...... :nas:

Link spre comentariu

Ar mai fi destule de modificat  ( XD crossover displacement sau un etaj de bias nonswitching ) dar unele solutii prezinta dezavantaje ( incalcarea drepturilor de autor :) ) sau sunt prea avansate pentru acest forum ...

Link spre comentariu

Toate astea sunt pe drum. Plecând de la cablajul lui Alex, cu diferentiale bazate pe arii THAT, masuri speciale pentru prevenirea distorsiunilor termice în diferentiale si un etaj final mai deochiat. Când va fi gata, sper sa-l pot masura pe echipament AP de ultima ora ;-)

Link spre comentariu
Vizitator
Acest subiect este acum închis pentru alte răspunsuri.
×
×
  • Creează nouă...

Informații Importante

Am plasat cookie-uri pe dispozitivul tău pentru a îmbunătății navigarea pe acest site. Poți modifica setările cookie, altfel considerăm că ești de acord să continui.Termeni de Utilizare si Ghidări