corelatie curent poarta-drena la MOSFET

[XAN77]

imi cer scuze ca sunt bizon, poate imi traduceti si mie, ca nu inteleg.

[Vizitator]

si eu invat in timp ce caut documentatie

http://www.dgitsnisporeni.md/condensato ... 62,7,Slide 7

http://www.bel.utcluj.ro/dce/didactic/d ... amente.pdf

http://eprofu.ro/docs/electronica/carte ... litati.pdf

http://www.physics.pub.ro/Referate/BN11 ... aralel.pdf

[Marian]

@miticamy admit ca poate am fost prea simplist in exprimare dar la urma urmelor este sectiunea inceparetilor si nu vroiam sa complic lucrurile prea mult cu explicatii interminabile ( cum mai fac uneori ), oricum ideea de baza s-a inteles, si sa-mi fie cu iertare dar nu am specificat eu ca driverii mosilor nu s-ar incalzi, am spus doar ca de obicei nu prea se folosesc radiatoare, ceea ce nu este neaparat acelasi lucru nu crezi? m-as bucura tare mult sa nu mi se puna cuvinte in gura, nu prea se folosesc radiatoare tocmai deoarece disipatia este mica, asta am dorit sa subliniez, daca nu am fost suficient de explicit imi cer scuze si pe viitor promit sa revin la mesaje lungi cat o zi de post pentru a intelege toata lumea ce si cum

[Vizitator]

atunci poate ne spui si de ce acest driver are si capsula TO-220problema este insa alta:afirmatia ca nu se incalzesc deoarece curentul acela nu se consuma ci incarca un condensatorla o citire rapida s-ar putea intelege ca este de alta natura curentul ce incarca un condensator

[Marian]

...problema este insa alta:afirmatia ca nu se incalzesc...

Si totusi n-am zis nicaieri ca nu se incalzesc...

 

Depinde si despre ce driveri este vorba, eu am si specificat la ce am facut referire si sunt destule situatiile in care ceea ce am spus chiar se aplica dar in fine, fie cum spui tu, te respect prea mult ca sa imi permit polemici si oricum sunt constient ca iti sunt inferior asa ca nici nu voi incerca sa mai continui discutia de fata, imi cer scuze autorului temei ca am deranjat subiectul cu erorile mele!!

[Vizitator]

...

In documentatie face referire la un alt parametru Gate Charge, neprezent in datasheet-ul lui BS170 dar prezent teoretic in altele, care ar fi, cum pricep eu, timpul in care se incarca Cgs, Cgd pana la momentul in care Vgs este egala cu cea nominala a sursei cu care s-a alimentat poarta. Si da si un exemplu de calcul simplist (tare as vrea sa fie asa simplu):

For

example, a device with a gate charge of

20nC can be turned on in 20µsec if 1ma is

supplied to the gate or it can turn on in

20nsec if the gate current is increased to

1A.

De fapt e rezultatul unui calcul, nu calculul propriu-zis.

Pe cat de simplu pare, nu am inteles cum reproduc si eu la tranzistorul susmentionat pentru diversi curenti.

XAN77, prin definiţie

I = Q / t (1)

unde I este curentul (în amperi = A), Q este sarcina electrică (în culombi = C, sarcina electrică se traduce charge în engleză), iar t este timpul (in secunde = s). Q este chiar numărul de electroni * sarcina unui electron.

 

Tot prin definiţie,

C = Q / V (2)

unde C este capacitatea condensatorului (în farazi = F), Q este sarcina electrică (în culombi = C), iar V este tensiunea (în volţi = V)

 

Din formulele (1) şi (2)

Q = I * t

Q = C * V

rezultă că C * V = I * t sau, altfel scris,

V = I * t / C (3)

Dacă luăm un exemplu numeric, un condensator de 1 nF cuplat la o sursă de curent constant de 1 mA are o tensiune la borne care creşte cu 1 V la fiecare 1 μs.

 

Formula (3) este o formula trivială cu care poţi calcula tensiunea pe un condensator prin care trece un curent constant. C îl poţi aproxima ca fiind Cgs. Prin capacitatea Cgs mă refeream la capacitatea echivalentă văzută de circuitul care comandă grila (ca să fie mai simplu), nu la cea dată în cataloage.

 

În realitate, în interiorul MOSFET-ului apar şi alte componente (condensatoare, diode, tranzistoare bipolare, rezistoare - toate fiind componente parazite, care se formează fără să vrei, odată cu MOSFET-ul, în interiorul pastilei de siliciu). Schema echivalentă este destul de stufoasă şi depinde de modelul tranzistorului. Uite un exemplu:

http://www.irf.com/technical-info/appnotes/mosfet.pdf

Din fericire, unele componente au o influenţă neglijabilă. Cele care contează sunt prinse în modele echivalente, precum cel din fişierul dat de miticamy.

 

Pentru o aproximare grosieră, cum era în exemplul cu releul, poţi folosi formula (3).

 

La o sursă în comutaţie, deja nu mai merge cu (3), trebuie să foloseşti un model echivalent care să ţină cont de cât mai mulţi parametri din foaia de catalog. În plus, la viteze mari de comutare, se folosesc tehnici (scheme, montaje) speciale de scoatere a sarcinilor electrice din grilă.

 

Ca să fie mai clar, formula (3) nu este despre MOSFET-uri. Formula (3) este vlabilă pentru un circuit format dintr-un condensator legat la bornele unei surse de curent constant. Ea spune că, printr-un condensator prin care circulă un curent constant, tensiunea la borne variază liniar în timp.

[kepper]

ca sa nu deschid alt subiect, tot referitor la mosfet as avea cateva intrebari:- ce se intampla daca ii aplic mai mult de 15v in poarta la un mosfet canal n?-am vazut ca se vehiculeaza ca la 10-12v in G un mosfet conduce complet, dar in pdf-uri am vazut grafice care arata ca pentru un anumit curent de drena mosfetul are nevoie de 3-4v GS. Nu pricep aici.. sunt mosfet-uri mai smechere?

[Marian]

Poti privi poarta mos ca fiind unul din pinii unui condensator si sursa celalalt pin, ca orice condensator si acesta are o tensiune de strapungere, in cazul mosfetilor ( nu conteaza neaparat polaritatea N sau P ) de obicei este vorba despre +/-20V, adica poarta poate suporta pana la 20V maxim ( pozitiv sau negativ fata de pinul denumit sursa de la mosfet, nu intotdeauna conteaza masa ), peste care tensiune se poate produce strapungerea si deci distrugerea mosfetului. Referitor la cei 3-4V pentru un anumit curent, acela este parametrul denumit in pdfuri VgsTh, adica Vgs-Threshold, pragul de tensiune la care are loc deschiderea mosfet, acesta poate varia in functie de tipul mosfetului, sunt tranzistori care se deschid la 2V, altii la 4 sau mai mult, greficul la care faci referire arata ce tensiune Vgs ( adica tensiune masurata direct intre pinii poarta si sursa ) este necesara pentru un anume curent de drena/sarcina, numai ca pentru a se asigura un regim de saturatie ferm se comanda de obicei cu 10-12V ca sa te asiguri ca tranzistorul este maxim deschis ( saturat ).

[ratza]

Poţi distruge grila, însă există şi tranzistoare care au încorporate zener de protecţie.