Amplificator APEX 100W - Putere si Fidelitate

[Den]

E bine ca ai gasit eroarea Dupa ce reglezi curentul de mers in gol,sa il verifici si dupa ce radiatoarele sunt calde.Cat poriveste curentul de mers in gol,pentru puterea amplificatorului tau multumitor ar fi ceva intre 30 si 60ma.Te incadrezi..

[Vizitator]

Pentru doar o pereche de finali, iti recomand intre 35-si 60mA, daca ai mai multe perechi, sau radiator generos, te duci si pina la 100mA.In principiu, intre 50 si 100mA bias, nu simti diferentele, dar mai depinde si de schema.Succes.

[Vizitator Fizz]

Multumesc pentru raspunsuri. L-am reglat la 60 mA dar cred ca o sa il duc la 100 mA, abia daca se simte ca se incalzeste. O sa ii pun si a doua pereche de finali pentru o mai buna stabilitate in 4 ohmi sau mai jos.

[Vizitator]

Faptul ca nu se incalzeste in idle, decit foarte putin, pina "compenseaza" superdioda, nu tre sa te linisteasca.Daca ai sa masori,de ex dupa 30 min de solicitare, cu un ampermetru pus intre colectorul trz final(i) si borna de +vcc, vei observa de ex daca de la o putere de 80%, ai sa zicem 1,5A consun, daca brusc opresti sursa de semnal deci tehnic IDLE, curentul va scadea treptat de la citeva sute de mA, pina la valoarea stabilita initial.Astea sint chestiile de tin de inertia termica a radiatoruilui, contactul termic al superdiodei si pozitionarea ei cit mai aproape de trz finali, si de coeficientul pozitiv odata cu temperatura, al tranzistorilor bipolari.Succes!Daca intelegi engleza, niste explicatii foarte interesate:Bipolar transistors are known to possess positive temperature coefficient for current gain, implying that the current gain increases as temperature increases. This is accompanied by a decrease in base-emitter voltage at elevated temperatures. Both of these factors combine to limit the performance of bipolar transistors, both at room temperature and at high temperatures. The increase in current gain is especially problematic for the design of output amplifiers, where the transistors aredesigned to operate very close to the extreme Ic and Vce limits. In many instances, the increase in current gain at high temperature results in over-designing at room temperature. Increase in current gain accompanied by a reduction is collector-emitterbreakdown voltage BV.sub.ceo, which is approximated by the ratio of collector-base breakdown voltage divided by the current gain raised to a power. Since BV.sub.ceo is a design parameter, a certain minimum value of this quantity has to be guaranteed bydesign at all temperatures. In order to meet the minimum value of current gain at the lowest temperature, a higher value of current gain has to be tolerated at the higher temperatures. As a result, the minimum value of the BV.sub.ceo is recorded at thehighest temperature. This results in the design of the transistor with the value of BV.sub.ceo greater than the minimum required at room temperature, which leads to the sub-optimal design of the transistor at the room temperature, since BV.sub.ceo has adirect correlation with the cut off frequency of the transistor, which is the determining parameter for the high frequency performance of the transistor.

[Vizitator Fizz]

Adevarul ca si radiatorul este mare pentru o pereche si se incalzeste foarte greu, am montat super dioda langa un final si am reglat biasul la 100 mA si abia a luat cateva grade, imi place cum suna cred ca o sa il las asa.

[maxente]

Fiind vorba de aceeasi schema postez aici

Ce rol au acele doua operationale puse pe reactia negativa ?

[hpavictor]

Da, buna întrebare .

[UDAR]

Formeaza un "DC servo" pentru compensarea offsetului de curent continuu la iesire. Desi alegerea lui NE5532 in acest scop nu este chiar inspirata din cauza curentului mare pe intrari : 200...800nA x 1Mohm = 200...800 mV!

[maxente]

Multumesc pentru raspuns UDAR !

Initial asa am crezut si eu ca e un dc servo dar cele pe care eu le vazusem in alte scheme se conectau intre intrare si iesire, asta e pus doar pe iesire

[UDAR]

Nu e chiar numai pe iesire. Vorbind mai neacademic e "paralel" pe reactia negativa din banda audio; informatia se ia de la iesire , este filtrata trece jos cu integratorul realizat cu primul opamp ,R33 si C6 si inversata cu al doilea ( integratorul a inversat-o si el ) apoi se aplica prin 1kohm (R36) in acelasi punct cu reactia negativa din banda AF. Practic s-a despartit reactia negativa pe doua cai - una pentru banda audio si una pentru CC - motivul : un factor mai mare de reactie negativa in CC.

[vlasin_alin]

Am realizat si eu acest amplificator, dar am o problema cu amplificarea, nu pot sa o maresc.

Orice modificare as face pe reactie nu se intampla nimic.Eu suspectez o problema pe intrare, precizez ca off-setul si biasu se regleaza frumos.

Singurele modificari care le am in prezent fata de schema sunt pe intrare bc556/546, generatoare tot bc556/546 si piloti bd239/240.

O poza cu montajul si tensiunile pe intrare fata de masa.

Aveti careva fisierele pentru PCB-ul acesta cu 2 perechi de finali? Multumesc

[Vizitator Fizz]

Buna seara,Atasat fisierele pentru PCB.Spor la treaba,Fizz

[costyy86]

Interesant amplificator.Cam ce putere RMS scoate pe 4 ohmi si la ce tensiune trebuie alimentat acesta cu 2 perechi de finali?

[maxente]

M-am apucat sa plantez si eu doua placi la amplificatorul asta

Treaba delicata cu SMD-urile astea 

 

 

Editat Februarie 6, 2015 de maxente

[Vizitator alexandrescu72]

Vad ca acum forumul arata diferit fata de ultima data cand eu am intrat

Puteti sa imi spuneti cum se numea amplificatorul original dupa care a fost copiata aceasta schema de catre apex ? http://www.elforum.info/uploads/monthly_02_2012/post-1-139829385158.jpg

In varianta veche a forumului a posta cineva o schema service a amplificatorului original

Va multumesc !