Sari la conținut
ELFORUM - Forumul electronistilor

Simulari amplificatoare


Postări Recomandate

Amplificatorul, sau mai bine zis cele 2 ramuri ale etajului final functioneaza in contratimp ( push-pull ), sarcina constituita de boxa are legata una din bore permanent la masa, cealalta borna este pusa alternativ de catre etajul final la cate una din ramuri, niciodata nu vor conduce simultan ambele ramuri ( finalii ar fi primii care ar exploda ), deci pe sarcina intotdeauna se va regasi doar una din ramuri, asadar pentru calculul puterii conteaza doar una din ramuri. Acuma pentru 100W pe 8 Ohm intr-adevar este nevoie de un semnal cu valoarea efectiva de 28,3V, iar tensiunea continua de alimentare pentru acest semnal trebuie sa fie de minim 39,9V, asta insa este valabil numai in situatia ideeala in care pe etajul final nu au loc pierderile inevitabile in conductie ale tranzistorilor, pentru bipolari probabil in jur de 1V ( depinde de tensiunea de saturatie ) iar pentru mosfeti poate fi intre 4 si 6 sau 7v depinde de mosfetul folosit si de curentul de sarcina, deci tensiunea de alimentare trebuie adaptata pentru aceste pierderi, pierderi mai sunt si pe redresare si chiar traseele de forta in sine, deci pentru a fi sigur ca ai resurse la bipolari asiguri ramuri de 42-43Vcc minim, iar la mosfeti minim 45V.

Link spre comentariu
Vizitator biker1987

Amplificatorul, sau mai bine zis cele 2 ramuri ale etajului final functioneaza in contratimp ( push-pull ), sarcina constituita de boxa are legata una din bore permanent la masa, cealalta borna este pusa alternativ de catre etajul final la cate una din ramuri, niciodata nu vor conduce simultan ambele ramuri ( finalii ar fi primii care ar exploda ), deci pe sarcina intotdeauna se va regasi doar una din ramuri, asadar pentru calculul puterii conteaza doar una din ramuri. Acuma pentru 100W pe 8 Ohm intr-adevar este nevoie de un semnal cu valoarea efectiva de 28,3V, iar tensiunea continua de alimentare pentru acest semnal trebuie sa fie de minim 39,9V, asta insa este valabil numai in situatia ideeala in care pe etajul final nu au loc pierderile inevitabile in conductie ale tranzistorilor, pentru bipolari probabil in jur de 1V ( depinde de tensiunea de saturatie ) iar pentru mosfeti poate fi intre 4 si 6 sau 7v depinde de mosfetul folosit si de curentul de sarcina, deci tensiunea de alimentare trebuie adaptata pentru aceste pierderi, pierderi mai sunt si pe redresare si chiar traseele de forta in sine, deci pentru a fi sigur ca ai resurse la bipolari asiguri ramuri de 42-43Vcc minim, iar la mosfeti minim 45V.

Asta am vrut sa aud !!! Va multumesc Domnule Marian :)
Link spre comentariu
  • 2 săptămâni mai târziu...

poate sa ma lamureasca si pe mine cineva cu o chestie?...am facut o simulare la NMOS200 cu IRF540 ca finali, si mi se pare ca e cam ineficient :( ... cu 600mVrms la intrare deabia scoate 32.6W in sarcina de 8ohmi @1kHz, si cu THD 0.074% - ma asteptam sa fie ceva mai mic, mai ales ca nu scoate chiar mult.deci chestia e ca nu inteleg cum sa maresc factorul de amplificare si totodata THD-ul sa ramana mic. plus ca simularea zice ca ar consuma cam mult...am atasat si o poza cu alta simulare, un amplificator cu MOSFETuri complementare, care pare ca are performante ceva mai mari...problema cu asta e ca nu am IRF9540, trebuie sa dau comanda si nu prea vreau :d ...pareri?

post-64977-139829643145_thumb.png

post-64977-139829643151_thumb.png

Link spre comentariu

Mie mi se par foarte in regula rezultatele...sau mai bine zis aproape de adevar,atat ca putere cat si ca distorsiuni.Poate te asteptai la distorsiuni de ordinul 0,00...desi nu vad care ar fi diferenta sesizabila intre ce ai obtinut tu si 0,00...Iar ca si putere,la fel...

Link spre comentariu

nu ca ma astept la distortiuni 0, am o statie cu TDA7294 si aproape de maxim distorsiunile sunt aproape insesizabile...mai degraba ma refer la factorul de amplificare cam scazut, parerea mea.@Marian, sper sa poti s-o deshizi, eu am multisim 11, vad ca nu are alte optiuni la save...

Link spre comentariu
  • 1 lună mai târziu...

nu ca ma astept la distortiuni 0, am o statie cu TDA7294 si aproape de maxim distorsiunile sunt aproape insesizabile...mai degraba ma refer la factorul de amplificare cam scazut, parerea mea.@Marian, sper sa poti s-o deshizi, eu am multisim 11, vad ca nu are alte optiuni la save...

Schema este un exemplu de cum nu trebuie proiectat un amplificator de putere. Daca se arde siguranta de pe -, se regasesc 35V pe grile - sursa si se strapunge oxidul de grila la Mos-ul de pe -. Acelasi Mos nu se poate satura pe amplitudinea maxima. Practic din cei 35V ai sursei de -, se pierd 8,5V datorita configuratiei prost alese a etajului prefinal. IRF540 are RDS(on) de 44 miliohmi, deci in saturatie pierderea de tensiune pe el cu sarcina de 8 ohmi la o schema desteapta ar trebui sa fie de 0,195 volti si nu de 8,294 volti, iar restul sa fie pe sarcina. Pe alternanta pozitiva se pierd 5,79V, tot din cauza schemei neinspirat proiectate. Pierderea este enorma si puterea in loc sa fie transferata difuzorului, se pierde fara rost incalzind tranzistoarele si radiatoarele.

post-18126-139829667284_thumb.gif

post-18126-139829667289_thumb.gif

Link spre comentariu

Clar vor avea surprize , deoarece acolo este simulata o sarcina inductiv capacitiva pe langa cea simplu rezistiva . Ca sa va apropiati cat mai aproape de adevar setati la rezistori si condensatori toleranta !! piesele vin din fabrica cu o anumita toleranta : 0,1% ,1% ,5% ,10% ,20% ... Si in cazul asta se schimba rezultatele.. Krell a rezolvat oarecum problema asta , dar este un compromis al buzunarului..

Link spre comentariu

Am simulat acum un amplificator al meu cu sarcina sugerata de Victor, nici o surpriza, comportamentul in frecventa este cel descris in grafic iar puterea corespunde destul de bine unei sarcini de 8 Ohm, deci personal n-am fost surprins cu nimic dar astept si sugestiile voastre pentru alte teste, oricum pe mine capitolul putere si comportament in frecventa ma interesa.

Link spre comentariu

Pai ce nu este clar : in funcție de frecventa , pe o asemenea sarcina poți măsura defazajul între curent si tensiune . Pe o sarcina rezistiva chioara comportamentul SOA va fi total independent de frecventa ...Cu asemenea sarcina poți verifica si calibra protecția SOA si dimensiona corect etajul de putere .

Link spre comentariu

@Victor, pentru mine totul era clar, singurul motiv pentru care am testat totusi ideea este penca @ratza a cerut, sau mai degraba a sugerat asta in pagina anterioara, spunand ca vor fi surprize pentru cine o face, pe mine nu m-a surprins, este o sarcina mai "corecta"pentru testarea de amplificatoare dar este prea mult dependenta de frecventa, cere cu atat mai mult o simulare corecta si minutioasa. Oricum fiecare face fix cum pofteste.

Link spre comentariu

Un amplificator de audiofrecventa prins intr-o bucla de reactie negativa are o impedanta de iesire extrem de mica si caracterul sarcinii chiar nu conteaza (intre anumite limite desigur). La amplificatoarele cu lampi si transformator de iesire unde impedanta de iesire este comparabila cu impedanta sarcinii, comportamentul amplificatorului este direct influentat de caracteristicile sarcinii. Din aceasta cauza basii la acele amplificatoare au un ton specific de butoi, deoarece difuzorul nefiind tinut in frau de impedanta extrem de mica ce ar trebui sa o aiba amplificatorul, zburda in voie pe frecventa de rezonanta a incintei (care de cele mai multe ori este empiric realizata), amplificand acel ton de butoi.

Link spre comentariu

Creează un cont sau autentifică-te pentru a adăuga comentariu

Trebuie să fi un membru pentru a putea lăsa un comentariu.

Creează un cont

Înregistrează-te pentru un nou cont în comunitatea nostră. Este simplu!

Înregistrează un nou cont

Autentificare

Ai deja un cont? Autentifică-te aici.

Autentifică-te acum
×
×
  • Creează nouă...

Informații Importante

Am plasat cookie-uri pe dispozitivul tău pentru a îmbunătății navigarea pe acest site. Poți modifica setările cookie, altfel considerăm că ești de acord să continui.Termeni de Utilizare si Ghidări