Simulari amplificatoare

[sk24bpo]

. Pana acum ai spus numai ciudatenii, nici nu stiu de unde sa incep a te corecta. Au incercat mai sus baietii sa te ajute dar degeaba, in plus esti si agresiv. Daca ai o sursa cu condensator inseriat pe iesire, vei mai avea dcoffset de 4mv? Ce treaba are slew-rate-ul cu degenerarea emitoarelor? Nu ai auzit de rezistenta interna a tranzistorului data de curentul care-l traverseaza? Sorry, dar schemele mele sunt pe bani. Ar trebui sa fi fericit ca sare lumea sa te ajute gratis. Nu cred ca o sa se mai intample. Fa-ti amplificatorul asa cum l-ai desenat si totul e ok

[maxente]

Am gasit si eu o schema cu un design interesant zic eu facuta de apexMi s-a parut interesanta partea de intrare a amplifului cu tranzistoarele acelea puse in oglinda Q1, Q2, Q3 si Q4, Q5, Q6Imi poate spune si mie cineva ce avantaje (sau dezavantaje) ar fi cu acele tranzistoare puse in forma aia ?Si inca ceva ce rol au tranzistoarele din fata Q21, Q22, Q23 cu tot ansamblul de rezistente?

[scormonel]

: Ce treaba are slew-rate-ul cu degenerarea emitoarelor? Nu ai auzit de rezistenta interna a tranzistorului data de curentul care-l traverseaza? Sorry, dar schemele mele sunt pe bani. Ar trebui sa fi fericit ca sare lumea sa te ajute gratis. Nu cred ca o sa se mai intample. Fa-ti amplificatorul asa cum l-ai desenat si totul e ok

In toate tratatele de electronica este data ca solutie pentru marirea slew-rate-ului, micsorarea transconductantei fie prin degenerare in emitor fie prin inlocuirea tranzistorilor din etajul de intrare cu tranzistori unipolari, fie printr-un etaj de intrare nelinear sau in clasa B descris prima data de Hearn in "Solid State Circuits Vol SC6" la paginile 20-24 din februarie 1971. Dar se pare ca tu nu citesti... Scrierea ta cu rezistenta interna este o afirmatie ambigua si fara suport real. Sunt trei situatii in care se poate vorbi de rezistenta emitorului. Prima este rezistenta intrinseca a semiconductorului din care este realizat emitorul. Dar acea rezistenta depinde de tehnologie, (aliere, difuzie respectiv epitaxie sau implantare ionica care este un caz particular de difuzie) si de tipul impuritatilor si nivelul concentratiei de dopare cu impuritati. In ecuatia acestei rezistente nu se regaseste insa curentul de colector, fiind o marime ce depinde de procesul de fabricatie. Poate te-ai referit la rezistenta de iesire a primului tranzistor in conexiune colector comun. Aceasta este egala cu rezistenta de sarcina plus rezistenta de intrare a aceluiasi tranzistor in emitor comun, totul supra 1 plus beta. Poate ai vrut sa te referi la rezistenta de intrare a celuilalt tranzistor tot in conexiune colector comun. Aceasta este egala cu beta supra unu plus beta si totul supra transconductanta. Deci la care din cele trei rezistente ai incercat sa faci referire si care este legatura ?. Si chiar, cate scheme ai vandut pana acum si ce firme le au incluse in procesul de fabricatie ?. Hai sa fim seriosi ca ne sta mai bine !.

Am gasit si eu o schema cu un design interesant zic eu facuta de apexMi s-a parut interesanta partea de intrare a amplifului cu tranzistoarele acelea puse in oglinda Q1, Q2, Q3 si Q4, Q5, Q6Imi poate spune si mie cineva ce avantaje (sau dezavantaje) ar fi cu acele tranzistoare puse in forma aia ?Si inca ceva ce rol au tranzistoarele din fata Q21, Q22, Q23 cu tot ansamblul de rezistente?

Configuratia cu tranzistoarele puse in oglinda are avantajul ca fiind simetrica, toti parametrii sunt (aproape) identici pe oricare din semialternante. In felul acesta se reduc distorsiunile iar slew-rate are o valoare egala si pe alternanta pozitiva si pe cea negativa.Q21 face parte dintr-un montaj conceput pentru a semnaliza prin aprinderea unui led intrarea amplificatorului in limitare si generare de distorsiuni.Q22 si Q23 impreuna cu componentele aferente formeaza un montaj ce detecteaza depasirea curentului maxim admis prin tranzistorii finali. La depasirea curentului, Q23 se deschide si furnizeaza in colector un semnal pozitiv pentru o prelucrare externa schemei de aici. Probabil actioneaza linia "mute" a procesorului de comenzi sau decupleaza sursa in comutatie la aparitia unui scurt circuit pe iesirea de difuzoare. Dar parerea mea personala este ca aceasta schema cu condensatorii de 100 picofarazi montati baza colector la tranzistorii piloti va avea un raspuns catastrofal la frecvente inalte. Sunetul va fi estompat si fara stralucire. O eventuala simulare cu semnal dreptunghiular va confirma (cred) temerile mele.

[indy666]

Schema de la apex am folosit-o in multe amplif de putere, in ultimul amplif chiar am exagerat putin, i-am pus 6 perechi de mosfeti, alimentati la +-80..82Vcc si partea de atac la +-90Vcc. Isi face treaba foarte bine in 4 ohm si chiar si in 2.6 ohm insa nu am recomandat proprietarului.

[Marian]

Am gasit si eu o schema cu un design interesant zic eu facuta de apex

Mi s-a parut interesanta partea de intrare a amplifului cu tranzistoarele acelea puse in oglinda Q1, Q2, Q3 si Q4, Q5, Q6

Imi poate spune si mie cineva ce avantaje (sau dezavantaje) ar fi cu acele tranzistoare puse in forma aia ?

Si inca ceva ce rol au tranzistoarele din fata Q21, Q22, Q23 cu tot ansamblul de rezistente?

Ceea ce numesti tranzistori in oglinda reprezinta de fapt Etajul Diferential care se poate regasi in majoritatea schemelor de amplificatoare pe tranzistori, diferenta dintre aceasta schema si altele este diferentialul dublu, sau mai bine zis in punte, si se alege solutia aceasta in scopul simetriei inbunatatite, cum insa in acest fel schema devine mai complexa de cele mai multe ori se prefera diferential simplu, PNP sau NPN.

 

In schema prezentata etajele diferentiale fiind formate de Q1 si Q2 diferential PNP, respectiv Q4 si Q5 diferential NPN, fiecare in parte fiind alimentat de cate un generator de curent constant format de Q3 si respectiv Q6 fiecare livrand aproximativ 3mA diferentialului.

 

Montajele formate din Q21, Q22 si Q23 mi se par o complicatie oarecum inutila, personal nu pe indicatorul de clip ma bazez eu spre a rula ampliful in conditii de siguranta, iar celelalte 2 tranzistoare nu prea le vad rostul, schema are deja protectie la scurt formata din Q11 si Q12. Cand o sa pot am sa incerc simularea schemei.

[franzm]

Q11 si Q12 protejeaza ampliful; Q22 si Q23 protejeaza sarcina si circuitul de alimentare in cazul unui defect (scurtcircuit) al etajului final.

In schemele pe care le publica pe diyaudio.com, apex are deseori greseli, in special in ceea ce priveste valorile componentelor. In schema de fata, dupa teorie rezulta un slew rate de ca. 30V/us (3mA/100pF).

Cat despre efectul degenerarii in emitor asupra slew-rate-ului: http://users.ece.gatech.edu/mleach/ece4435/tutorial.pdf

[sk24bpo]

In toate tratatele de electronica este data ca solutie pentru marirea slew-rate-ului, micsorarea transconductantei fie prin degenerare in emitor fie prin inlocuirea tranzistorilor din etajul de intrare cu tranzistori unipolari, fie printr-un etaj de intrare nelinear sau in clasa B descris prima data de Hearn in "Solid State Circuits Vol SC6" la paginile 20-24 din februarie 1971. Dar se pare ca tu nu citesti...

 

Fals daca scrie exact asa cum prezinti tu. Dar mai degraba cred ca ai inteles gresit. Slew-rate-ul nu are de-a face cu transconductanta decat tangential. Slew-rate-ul depinde de 2 lucruri importante: de curent si de capacitatea incarcata de acel curent. Tranzistor unipolar inseamna tranzistor FET, care tranzistor nu modifica slew-rate-ul. Mai dregraba poti mari slew-rate-ul folosind tot bipolari (sau FET-uri, dupa preferinte) cu eliminarea topologiei diferentiale, pastrand doar un singur tranzistor in etajul de intrare. Clasa A sau B nu conteaza, ceea ce conteaza fiind valoarea curentului disponibil pentru a incarca capacitatea care da slew-rate-ul.Avantajul clasei B rezida din faptul ca va fi folosit tot curentul disponibil. Dar stai linistit si in etajul diferential in clasa A daca se foloseste o oglinda de curent ca sarcina, atunci slew-rate-ul va beneficia de tot curentul disponibil.Nu citesc carti din 1971, le prefer pe cele din anii 2000

 

Scrierea ta cu rezistenta interna este o afirmatie ambigua si fara suport real. Sunt trei situatii in care se poate vorbi de rezistenta emitorului. Prima este rezistenta intrinseca a semiconductorului din care este realizat emitorul. Dar acea rezistenta depinde de tehnologie, (aliere, difuzie respectiv epitaxie sau implantare ionica care este un caz particular de difuzie) si de tipul impuritatilor si nivelul concentratiei de dopare cu impuritati. In ecuatia acestei rezistente nu se regaseste insa curentul de colector, fiind o marime ce depinde de procesul de fabricatie. Poate te-ai referit la rezistenta de iesire a primului tranzistor in conexiune colector comun. Aceasta este egala cu rezistenta de sarcina plus rezistenta de intrare a aceluiasi tranzistor in emitor comun, totul supra 1 plus beta. Poate ai vrut sa te referi la rezistenta de intrare a celuilalt tranzistor tot in conexiune colector comun. Aceasta este egala cu beta supra unu plus beta si totul supra transconductanta. Deci la care din cele trei rezistente ai incercat sa faci referire si care este legatura ?

 

Mai ai un pic si apelezi la mecanica cuantica cand totul e simplu si foarte clar...... Vt=0.026mV, valoare care se imparte la curentul din emitor exprimat in mA rezultand rezistenta re.Exemplu concret: la 1mA rezulta 26 de ohm. Se imparte 26 la 1.

 

Povestile ce le scriu se bazeaza pe masuratori reale in laborator. Degenerarea in emitor se practica pentru marirea gamei de tensiuni de la intrare in care perechea cu cuplaj in emitor se comporta aproximativ ca un amplificator linear.

 

Am putea sa vedem masuratorile de laborrator ? Sau ai vazut sinusoida ca arata frumos si crezi ca e si nedistorsionata ?

 

Si chiar, cate scheme ai vandut pana acum si ce firme le au incluse in procesul de fabricatie ?. Hai sa fim seriosi ca ne sta mai bine !.

 

Cred ca apesi pe acceleratie prea mult.

[maxente]

Multumesc pentrut raspunsuri

Schema e interesanta mai ales ca are diodele acelea de protectie a grilelor in cazul in care apar tensiuni mari si tranzistoarele Q11 si Q12 in cazul scurtcircuitarii iesirii sau daca apar sarcini mai mici (probabil mai mici de 4 ohmi)

Oricum tranzistoarele acelea cu tot ansamblul de rezistente puse pe iesire nu ma intereseaza in mod special

marian as fi curios cum ar arata schema la o simulare (eu nu am experienta cu programele de simulare dar o sa incerc cat de curind) si mai ales daca face "figuri" la frecventele mari asa cum zice scormonel sau daca sunt erori la valorile componentelor

Numai bine

[Marian]

...marian as fi curios cum ar arata schema la o simulare...

Ok o sa incerc sa pun maine schema in simulator si voi veni cu date tehnice obtinute acolo.

[Marian]

Revin cu simularea promisa pentru schema postata de @maxente, sper sa nu fi omis ceva deoarece sunt unele probleme, daca se gasesc erori rog sa fiu corectat, am pus schema oarecum in graba in multisim

 

 

-U Alimentare +/-75Vcc

-Offset 8mVcc

-La curentul de bias ar fi prima problema, in sensul ca acesta este stabil la 28mA indiferent cat as misca eu din semireglabil.

-O a 2-a problema ar fi THD-ul nepermis de mare, in jur de 1,5% atat la 20Hz cat si la 1Khz, si peste 2,5% la 10 si 20Khz.

-Puterea pare a fi aproximativ 400W in 4 Ohm.

 

Iata si o unda dreptunghiulara, la 20Hz:

 

La 10Khz:

 

La 20Khz:

[radu8982]

Va rog frumos sa imi simulati si mie schema de mai jos,sunt curios ce rezultate o sa ofere simularea.

[sk24bpo]

Marian, fa R19 si R20 de cate 100 ohm. Radu8982, schema postata de tine are potential foarte mare, in mod normal trebuie sa dea distorsiuni foarte mici.

[scormonel]

marian ai pus aceiasi imagine si la 10 si la 20 Khz.

[Marian]

Marian, fa R19 si R20 de cate 100 ohm. Radu8982, schema postata de tine are potential foarte mare, in mod normal trebuie sa dea distorsiuni foarte mici.

Am facut modificarea sugerata si THD-ul a scazul cu 0,5%, totusi se mentine in jurul valorii de 1%, deci mult, am verificat schema si nu am gasit erori proprii deci nu prea inteleg de unde atat de mare THD..

 

marian ai pus aceiasi imagine si la 10 si la 20 Khz.

Ai dreptate, my bad, iata ce trebuia sa postez la 20Khz ( nu ce am pus eu, scuze )

[indy666]

Problema este la curentul de mers in gol, creste R22 la 1k...1K5 si regleaza curentul de mers in gol la aprox 100mA.Eu am obtinut 530W/4ohm la +-75Vcc la THD 0.02%.Nu pot sa atasez poze, am probleme cu coaja de calc.