Aplicatii Mosfet

[radud5]

Prima schemă este pentru protecție la descărcare (acumulatori 12V) sub o anumita tensiune reglabila din R4 dar și protecție la supratensiune reglabila din R1. Eu am testat schema cu următoare concluzii:

- tranzistorul T1(IRF4905) poate fi utilizat fără radiator până la un curent de 6A, pentru curenți mai mari se pot pune mai multe tranzistoare în paralel(cu câte o rezistență de 10k în drenă), și bineînțeles se va modifica (sau elimina) siguranța

- curentul consumate de montaj:

- când montajul este în afara limitelor reglate din R1 si R4 este de 3mA

- când montajul este în limitele reglate din R1 si R4 este de 12mA

 

A doua schemă este o punte redresoare cu cădere zero de tensiune (randament 100%) cu Mosfet, cu aceeaşi menţiune: dacă se doreşte un curent mai mare se pot folosi mai multe tranzistoare în paralel cu câte o rezistenţă în drenă

Protectie descarcare.pdf

[Mikrosha]

Deştreaptă şi simplă ideea de punte comandată din a doua poză, s-ar putea chiar să meargă. La tensiuni mari trebuie pusă ceva protecţie în poartă să nu se străpungă. La pornire, diodele drenă-sursă fac redresorul să se comporte ca un redresor normal, aşa că asigură tensiunea de alimentare a operaţionalelor pînă la pornirea propriu-zisă.

dacă se doreşte un curent mai mare se pot folosi mai multe tranzistoare în paralel cu câte o rezistenţă în drenă

Un MOS d-ăla ţine 50A, suficient pentru orice aplicaţie de joasă tensiune la care mă pot gîndi, în afară de electroliza bauxitei Nu ştiu de ce-ar fi nevoie de mai mult de-atît.Faza cu rezistenţă în colector nu-i valabilă decît la bipolari. Bipolarul cînd se încălzeşte îi scade Uce, sat, îi creşte beta şi riscă să intre-n ambalare termică, preluînd tot curentul. La MOS nu-i aşa, poţi lega liniştit 2 mosfeţi fără rezistenţe-n drenă, deoarece Rds, on creşte odată cu temperatura, deci curentul mai mare e preluat de tranzistorul mai rece. Aşa curentul se distribuie relativ egal între tranzistoare şi nu apare riscul de ambalare termică.Nah, cred că e subiect de Secţiunea începătorilor.

[radud5]

Faza cu rezistenţă în colector nu-i valabilă decît la bipolari. Bipolarul cînd se încălzeşte îi scade Uce, sat, îi creşte beta şi riscă să intre-n ambalare termică, preluînd tot curentul. La MOS nu-i aşa, poţi lega liniştit 2 mosfeţi fără rezistenţe-n drenă, deoarece Rds, on creşte odată cu temperatura, deci curentul mai mare e preluat de tranzistorul mai rece. Aşa curentul se distribuie relativ egal între tranzistoare şi nu apare riscul de ambalare termică.

Din ce am înțeles (din fișierul pdf atașat), diferă capacitatea pe poarta la fiecare tranzistor. Toate aplicațiile pe care le-am găsit au cel puțin câte o rezistenta pe poarta.

Paralel mosfet.PDF

[Mikrosha]

Poartă, da, iniţial ai zis drenă. De două ori.

[radud5]

Poartă, da, iniţial ai zis drenă. De două ori.

Mea culpa

[radud5]

Revin cu o noua schemă.Tester pentru surse de până la 1000W, acum să văd ce sursă rezistă la sarcina maximă.Atenție mare la puterea disipată. Se va folosi fie ventilator, fie răcire cu apă.

Tester ATX.pdf

[Adierea]

Chiar dac drena rezista pana la 50 de amperi nu trebue depasita puterea maxima dispata a tranzistorului in cauza iar 50A nu este mult daca eoliana are 1000w trebue pusi 2-3 tranzistori asa ca smecheria cu bauxita cade .

[radud5]

A încercat cineva folosirea MosFet-urilor în locul diodelor în alternator la fel ca aici?

 

 

 

 

Nu cred ca în alternator se folosesc diode schottky

Care ar fi câștigul MosFet faţă de diodele normale pentru 20A?

[radud5]

Am gasit ceva la 24V: