Vizitator Postat Martie 3, 2011 Partajează Postat Martie 3, 2011 Eu l-am ajutat in ceea ce ma priveste. Diodele alea puse cap in cap, ar proteja jonctiunea unui mosfet la supratensiuni G-S, nicidecum la supracurent in caz de suprasarcina sau scurt pe iesire. Terminati cu timpenia ca daca pui o dioda zenner inseriata cu o dioda normala, ambele cu plusul comun sau 2 zennere inseriate cu + comun intre G si S, protejati la scurt pe iesire sau ceva de gen. Pentru scurt pe iesire sau suprasarcina, se folosesc limitatoarele de curent care preiau tensiunile de pe fiecare rezistenta din sursele mosurilor, deschid niste jonctiuni B=E, care la rindul lor micsoreaza curentul de atac al prefinalilor(schema clasica) sau blocheaza etajele de la intrare(schema avansata). Mai departe NU ma bag, nu-mi place schema deloc. Spor la reparat! Link spre comentariu
radu8982 Postat Martie 4, 2011 Autor Partajează Postat Martie 4, 2011 Merci Sharky ca ma ajuti ,tensiunile masurate sunt bune :R28 R29 69mV ,Vbe Q24 Q25 540 mV ,tensiune intre baze Q6 Q7 4mV aproape 0.Intre timp am gasit documentul acesta cu tensiuni pentru AV800 Link spre comentariu
ahegyes Postat Martie 4, 2011 Partajează Postat Martie 4, 2011 Nabu ubvestiti degeaba,m in o schema de 2 lei.Cu putina rautate, involuntara, ASA VA TREBUIE, puterile de sute de wati, nu se scot din scheme de 2 lei.Chiar nu inteleg de ce trebuie sa fim rai in mod gratuit !?!?!?!? Link spre comentariu
Sharky Postat Martie 4, 2011 Partajează Postat Martie 4, 2011 Eu l-am ajutat in ceea ce ma priveste. Diodele alea puse cap in cap, ar proteja jonctiunea unui mosfet la supratensiuni G-S, nicidecum la supracurent in caz de suprasarcina sau scurt pe iesire. Terminati cu timpenia ca daca pui o dioda zenner inseriata cu o dioda normala, ambele cu plusul comun sau 2 zennere inseriate cu + comun intre G si S, protejati la scurt pe iesire sau ceva de gen. Nu e tampenie. Limitand Ugs+ U Rs (Urs e tensiunea pe rezistenta de sursa) limitezi curentul de iesire.Partea proasta e ca reglajul nu e fix pt ca depinde mult de dispersia parametrului Ugs-prag si de transconductanta. Mosfetii se comanda in tensiune, nu in curent ca si bipolarii, deci se poate aplica aceasta metoda. Un experiment ar face cat o mie de posturi pe forum. Evident trebuie avut grija ca in momentul in care zenerul limiteaza etajul de dinainte sa nu fie pus in scurt, deci ori limitam in curent etajul anterior, ori introducem o rezistenta la iesirea din etaj care sa ramana ca sarcina in momentul in care zenerul sunteaza semnalul direct catre iesire. O limitare de acest gen nu strica din moment ce singura reactie negativa este cea data de rezistenta din sursa. La bipolari mai scade beta in sarcina, dar mosfeturile dau curent pana la loc comanda si crapa. Limitand curentul la o valoare rezonabila ai sanse mari sa pusti siguranta inainte sa pusti mosfetu. Radu, verifica sa iti corespunda piesele cu schema si vezi sa nu ai aceeasi problema ca si in linkul dat de mine. Link spre comentariu
radu8982 Postat Martie 4, 2011 Autor Partajează Postat Martie 4, 2011 Partea cu masa e ok la modelul meu e legata printrun rezistor de 10R 5W la masa sursei. Link spre comentariu
Vizitator Postat Martie 4, 2011 Partajează Postat Martie 4, 2011 [Nu e tampenie. Limitand Ugs+ U Rs (Urs e tensiunea pe rezistenta de sursa) limitezi curentul de iesire. Sharky, limitind tensiunea de deschidere a tranzistorului Mos-Fet, practic limitind cu zenner tensiunea dintre grila si sursa, la o valoare sub 10volti, valoare la care mosul este deschis complet si are 0,5 ohm rezistenta interna(P-Mosul, care este MULT mai slab decit Nmosul), AUTOMAT, limitezi curentul de iesire prin nedeschiderea completa a fetului, implicit neajungerea la stadiul de minim RDS-On la V-GS 10V (0,5 ohm), si deci disipatie inutila pe finali datorita R-DS On mai mare, distorsiuni mari, limitarea puterii de iesire,etc. Asta NU este o solutie de protectie impotriva supracurentilor ci o solutie pentru arderea mai usoara a mosfeturilor nefiind deschisi complet, mai multe sanse ar avea sa arda sigurantele de pe alimentare la un scurt accidental pe iesire cu un mosfet deschis complet la valoarea de minim R-DS on, decit sa-l deschizi 50% sau mai putin, chiar si cu 8 mosuri in paralel. Nu uita ca P-mosurile sint de 2,5 ori MAI SLABE la rezistenta interna (0,5 ohm P-Mos vs 0,18 ohm N-Mos) decit Nmosurile, si asta conteaza ENORM! Fara sa te superi, imi lasa impresia ca nu ai lucrat deloc cu mosfeturi... @ ahegyes , nu a fost nimic zis cu rautate, este REALITATEA! Ti-ar conveni sa investesti atit intr-o schema, care sa nu functioneze la parametrii descrisi prin simpla chestie ca este PROIECTATA prost? Nu cred. De aia am afirmat ce am afirmat. Mor pe producatorii astia de amplificatoare care scriu niste parametrii, si in realitate este cu totul altceva, uneori MULT sub specificatii, altfel Radu nu posta aici sa ceara ajutorul... O schema cit de cit BUNA cu mosfet in etajul de iesire, care ar respecta o polarizare corecta a mosurilor din final; ORICE amplificator cu mosfeturi, trebuie sa aibe tensiunea de comanda a etajului pilot si cele din spate cu minim 10-15V MAI MARE decit tensiunea de alimentare a mosurilor, ar fi asta: Link spre comentariu
Sharky Postat Martie 4, 2011 Partajează Postat Martie 4, 2011 Leco, e vorba de un amplificator, nu de o sursa in comutatie. Finalii rareori se deschid pana la 0.5ohmi DS, din motive lesne de inteles.Si da, este o protectie impotriva supracurentilor din moment ce curentii sunt limitati la o valoare anume.Evident ca nu e o solutie de top, dar nu uita ca e vorba de doua piese.Limitand curentul la 6A pe final e suficient cat sa ii protejeze de un scurt, iar intr-un numar mai mare de finali cum e acest caz curentul total este mult peste capacitatea sigurantei.O siguranta rapida de 6-7A una doua sare si sunt sanse mari sa scape mosfetul. Oricum sunt muuult mai mari decat in cazul in care iesirea sta la 30Vrms si cineva trage un scurt, iar curentul este fara numar ca nu punem limitare ca sa se deschida mosul cat poate. :sparge:Cine vrea nu are decat sa faca o protectie cu o mie de piese, dar nu vad cu ce l-ar deranja un prag superior impus de aceste diode amarate care oricum trebuie sa le pui ca sa protejezi finalii de depasirea Ugs max. Link spre comentariu
Vizitator Postat Martie 4, 2011 Partajează Postat Martie 4, 2011 Sharky, ma refeream ca un mosfet in sarcina, are sanse MULT mai mari sa CRAPE daca este prost deschis, fata de un mosfet corect deschis si CULMEA, in audio, unde semnalul pe poarta este mai pretentios decit in comutatie, fiind vorba de amplitudine si frecventa ,variabile! Degeaba il limitezi cu tensiune de deschidere mai mica (limitarea curentului condus de mos prin cresterea R-DS ON), pentru ca puterea disipata pe el CRESTE, in loc sa scada. Fa un experiment, inseriaza 2 rezistente, una de 1 ohm/2W si una de 3 ohm/2W, si alimenteaza-le la 12vcc 5A. Care disipa mai mult si care se arde prima? Aceeasi chestie este valabila si cu mosurile, cel corect deschis ar avea ca ex rezistenta de 1 ohm, cel deschis prost(sub pragul de conductie) ar avea ca ex rezistenta de 3 ohm Uite cum ar trebui sa arate iesirea la un etaj de la un amplificator de firma, in care s-a tinut cont de diferenta intre jonctiunile P si N la Fet-uri. Si vezi si protectia cum este implementata, traductoare de curent. BTW FARA diodele de "limitare"... de ce la altii se pot face schema calumea, si la noi NU? Si, la un curent sa zicem de 6A pe ramura de P-mos, dau exemplul tau, cu un mos deschis 50%, luam asa un conductie pe alternanta lui cu 1-1,5 Ohm rezistenta interna, cam cit disipa? Vreau si eu sa vad un singur OM de pe forumul asta, care spune ca, schema aceasta care face probleme, cea pusa de Robert, este o schema BUNA, calculata BINE! Sau cineva care are curajul sa critice schema, asa cum o fac eu! Hai, electronistii cu experienta, ce aveti de zis? Link spre comentariu
Sharky Postat Martie 4, 2011 Partajează Postat Martie 4, 2011 Leco, tu chiar vorbesti serios?Cum adica sa aiba sau nu curajul? Crezi ca ii frica cuiva de ceva?Vin aia de la epsicom sa te caute acasa ca ai vorbit urat de schema care la randul lor au copiat-o?Kitul este cumparat, hai sa il ajutam pe om sa il faca sa mearga.Tot felul de povesti ca nu e polarizat si nu e alimentat. Se rezolva simplu: alimentezi dupa cum s-a scris de nenumarate ori pe forum.Legat de limitare, poate desenezi un circuit echivalent pt cazul in care se face scurt pe iesire si calculezi disiparea (I*I*R) pt ambele cazuri (unu la care mosul e saturat la Rds on si altul la care curentul e limitat la 6A si rds-ul este U/6A) si mai vedem cum da mai mare, ce zici?Un experiment prin care inseriezi doua rezistente e total irelevant in cazul de fata.Eu inteleg exact ce spui, dar aia se aplica inalte scenarii, nu aici.Nu ma intereseaza cum si ce au facut altii, evident ca protectii se pot face in fel si chip, ideea era ce fac acele diode. Link spre comentariu
Vizitator Postat Martie 4, 2011 Partajează Postat Martie 4, 2011 Sharky, este vorba de ideea ca desi multi stiu ca schema este o jucarie, NU au curajul sa comenteze pentru ca nu au calitatea de a o comenta, necunoscind prea multa electronica in domeniu, nu este vorba de frica. Prin ceea ce am spus, am aratat care sint deficientele schemei de la acest amplificator. Tu esti bun pe teorie, insa pune in practica la un amplificator functional (cu finali N si P-Mos, orice schema sau denumire o avea, Fet, Ipa, Mos, DiY) , ceea ce spui tu, si o sa vezi rezultatele. Prin diodele alea puse cum zici tu, limitezi V G-S max, adica sa nu depaseasca 12V, cu un zenner de 12V si o 1N4148 in antiparalel. Asa se foloseste si in audio, si in comutatie(ma refer la valoarea diodelor, unde in comutatie se ridica pe la 18V maxim, zennerul). Daca ai pus dioda zenner de 7V cum ai scris mai sus in primul post de pe pagina, limitezi la MAXIM 7V tensiunea G-S, si implicit tensiunea de deschidere a mosului, obligindu-l la rezistenta interna mai mare in conductie. De aici rezulta 2 chestii, si anume: 1: Rezistenta lui interna este mai mare si la o valoare data a tensiunii, curentul ce trece prin circuitul total serie este mai mic, exact ceea ce afirmi tu, insa are ca,,, consecinta ce urmeaza la punctul 2, si nu este tocmai OK. 2: Caderea de tensiune pe mos fiind MAI MARE, datorita rezistentei interne mai mare in acest caz,rezulta implicit disipatie MAI MARE pe mosfet si putere mai mica la iesire, prim limitarea generala a curentului total debitat pe sarcina, deoarece finalii in acest caz joaca rol de rezistenta variabila comandata in tensiune la mosfet, si in curent la bipolar. Oare asta este o solutie? Este echivalent exact ce am zis eu cu rezistentele inseriate luam 1 ohm mosfetul si 4 ohm sarcina in acest caz si dam 20 volti, cea de 4 ohm este fierbinte si se obtin 75-80% sin putere pe ea, cea de un ohm calduta si se pierd 20-25% putere pe ea. Inlocuim 1 ohm cu 2 sau 3 ohmi, ce se intimpla? Puterea pe cea de 4 ohm scade, insa creste pe cealalta. Exact asta se intimpla in realitate daca incerci limitarea de curent pe iesire prin marirea "artificiala" a rezistentei interne in conductie a mosfetilor. Un amplificator clasa AB, fie el cu Bipolar sau Mosfet la iesire, FINALII, au rol de rezistenta variabila pe iesire, de aia si puterea disipata pe finali este mai mare, si implicit randamentul mai mic, unde bipolarii se comporta MULT mai liniar decit mosfetii, cistigatori in acest caz fiind bipolarii... La cele in comutatie, ideea este alta, tranzistorul lucreaza in regim on-off deci pierderile sint MULT mai mici, si peste anumite frecvente si puteri, NU se pot folosi bipolari in regim de comutatie(ma refer la amplificatoare), cistigatoarele NET fiind mosurile in acest caz. Este echivalent cum am inseria iesirea cu o rezistenta de x,x ohmi, ca sa reducem curentul prin finali... Accepta odata ca aceasta NU este o metoda de PROTECTIE la scurtcircuit pe iesire! Atunci ce dracu au mai facut altii protectie SOA si protectia cu intirziiere la scurt prelungit, atit la bipolare cit si la Mos fet? Puneau naibii 4 diode pe canal si "rezolvau" problema... Am curaj sa fac pariu, ca ,il alimentam la +/- 90Vcc, pe sarcina de 4 ohm, cu sigurante de 6A, rapide, de care vrei tu, punem zenner de 7v sau de 5V de cit vrei tu, si la 50% sau la cit vrei tu, puterea pe iesire, oricum peste 25%, facem scurt pe iesire si la revedere finali, pina crapa sigurantele? Si la sigurante de 6A nu cresti mai sus de 500W-600W la iesire/4 ohm, ca o intrerupi. Atunci la ce mai vrea omul 800W de la modul? Eu la modulele mele folosesc sigurante de 10A la +/- 95Vcc si tind spre 12A ca sa dorm linistit. Te invit sa faci testul sau pe oricine are Av sau Fet sau cum se mai numeste, schema fara protectie prin limitare de curent, sa faca modificarea pe care o spui tu, si sa faca scurt pe iesire! Pe raspunderea voastra. Cit sa stau sa ma apuc acum sa modific o schema care din start este prost gindita, pentru a o aduce la stadiul de functionare, bun, nu zic optim, nu este treaba mea. Eu i-am aratat doar modificarea ce trebuia facuta ca sa mai cistige ceva putere,prin reactia negativa, mai departe nu este treaba mea, nu stau sa corectez munca altuia, trebuiau de la bun inceput sa faca o schema buna, cu tot ce trebuie pe ea. Link spre comentariu
radu8982 Postat Martie 4, 2011 Autor Partajează Postat Martie 4, 2011 Cineva mia spus sa schim c2 c9 cu 100p ar rezolva asta problema,nu credPana repar AV800 le pot sa alimentez schema asta la +/-75 Link spre comentariu
Vizitator Postat Martie 4, 2011 Partajează Postat Martie 4, 2011 Da, daca pui radiator suficient pentru finali si inlocuiesti BC557 cu 2SA970 sau MPSA92, si evident 8 ohm. Pt 4 ohm, mai pune inca un rind de finali. Link spre comentariu
Sharky Postat Martie 4, 2011 Partajează Postat Martie 4, 2011 Daca ai pus dioda zenner de 7V cum ai scris mai sus in primul post de pe pagina, limitezi la MAXIM 7V tensiunea G-S, si implicit tensiunea de deschidere a mosului, obligindu-l la rezistenta interna mai mare in conductie. Am dat un interval, 7V fiind un minim. Valoarea este ok daca Ugs prag ar fi de 3V. Pragul e in functie de cum ti-e norocul. De aici rezulta 2 chestii, si anume: 1: Rezistenta lui interna este mai mare si la o valoare data a tensiunii, curentul ce trece prin circuitul total serie este mai mic, exact ceea ce afirmi tu, insa are ca,,, consecinta ce urmeaza la punctul 2, si nu este tocmai OK. 2: Caderea de tensiune pe mos fiind MAI MARE, datorita rezistentei interne mai mare in acest caz,rezulta implicit disipatie MAI MARE pe mosfet si putere mai mica la iesire, prim limitarea generala a curentului total debitat pe sarcina, deoarece finalii in acest caz joaca rol de rezistenta variabila comandata in tensiune la mosfet, si in curent la bipolar. Oare asta este o solutie? Este echivalent exact ce am zis eu cu rezistentele inseriate luam 1 ohm mosfetul si 4 ohm sarcina in acest caz si dam 20 volti, cea de 4 ohm este fierbinte si se obtin 75-80% sin putere pe ea, cea de un ohm calduta si se pierd 20-25% putere pe ea. Nu e nici o echivalenta si rationamentul tau este fundamental gresit. Tranzistorul nu este o rezistenta de sine statatoare. Rezistenta lui variaza in functie de ce spune etajul de comanda. Cand pui zenerul tu limitezi comanda maxima de deschidere. Cat timp limita nu se atinge (Ugs+Ure=Uzener) circuitul functioneaza ca si fara acea dioda, adica tranzistorul se deschide fix cat trebuie asa incat rezistenta lui in combinatie cu rezistenta sarcincii sa dea tensiunea de pe intrare inmultita cu amplificarea. Cand se deschide peste aceasta limita tranzistorul se plafoneaza la un Rds limita. Nu se inseariaza nimic. Si nu uita ca in momentul in care sarcina de pe iesire este f mica atunci tot ce limiteaza curnetul este Rds on si Rs (rezistenta din sursa), iar Pd=I*I*R. O e idee buna sa limitezi curentul maxim admis, nu de alta dar influenta e mai mare, i-ul fiind la patrat. Comanda maxima (Ugs max + Urs) se alege asa incat in functionarea pe sarcini normale sa nu intervina, doar in cazul unui scurt circuit. Nu e echivalentul unei inserieri de rezistente ca sa limitezi curentul de iesire. Restul rationamentului este fundamental gresit din aceste motive, si pe langa asta scapa unele aspecte din vedere. Accepta odata ca aceasta NU este o metoda de PROTECTIE la scurtcircuit pe iesire! Atunci ce dracu au mai facut altii protectie SOA si protectia cu intirziiere la scurt prelungit, atit la bipolare cit si la Mos fet? Puneau naibii 4 diode pe canal si "rezolvau" problema... Eu te rog sa citesti ceea ce spun si sa nu mai tragi concluzii in locul meu. Eu am scris clar ca este o limitare de curent, nu o protectie impotriva iesirii din SOA. Ar putea fi o protectie la SOA daca ai limita curentul la 0.5A pe final, moment in care nu mai iesi din SOA, dar in cazul acesta nu utilizezi tranzistorul la adevarata lui valoare, doar il feresti de cel mai defavorabil caz in detrimentul celorlaltor cazuri unde ar fi rezistat cu un curent mare de drena. E a treia oara cand scriu asta dar se pare ca tii neaparat sa contrazici pe cei care ti se par ca nu sunt de acord cu tine fara sa stai sa analizezi exact ce vor sa zica. Eu pur si simplu am explicat ce fac alea doua piese si tu incepi ditamai tirada de parca as fi obligat tot forumul sa renunte la protectiile serioase si sa adopte solutia celor doua diode. Si nu e prima oara cand faci asta. Link spre comentariu
Vizitator Postat Martie 4, 2011 Partajează Postat Martie 4, 2011 Cine are un modul cu finali mosfet gen acest montaj, sa-l trimita va rog la mine sa fac teste reale, si veti vedea ca trz finali NU vor resizta unui scurt pe iesire.Ori protectie SOA, ori cu releu de suprasarcina, ori nimic.Astept daca are cineva un amplif de gen, chiar si fara finali(am eu) sa-l torturez un pic. Link spre comentariu
Murcielad Postat Martie 5, 2011 Partajează Postat Martie 5, 2011 Uite cum ar trebui sa arate iesirea la un etaj de la un amplificator de firma, in care s-a tinut cont de diferenta intre jonctiunile P si N la Fet-uri. DJLeco lasa teoria de la clasa D cand vorbim de AB ... RDS on este mult mai putin important la clasa AB ... si schema ce ai puso tu cu etaju ala final este folosita de cei de la harman carton si este pentru clasa D ... chiar tu ai facut un amplificator dupa ea ... Link spre comentariu
Postări Recomandate
Creează un cont sau autentifică-te pentru a adăuga comentariu
Trebuie să fi un membru pentru a putea lăsa un comentariu.
Creează un cont
Înregistrează-te pentru un nou cont în comunitatea nostră. Este simplu!
Înregistrează un nou contAutentificare
Ai deja un cont? Autentifică-te aici.
Autentifică-te acum