Totul despre...SURSE(teorie,scheme,aplicatii)

[Vizitator]

montajul anterior dar la care sarcina este cuplata printr-un trafo ATX semipunte

Lrezonant=250microH tot de la un PFC

Crezonant=110nanoF

Redresare cu dioda de pe 12v de pe infasurarea de 12v

Intrare-190vca; iesire-20v pe sarcina de 3,3 ohm

SUS-tensiunea intre mos-uri

MIJLOC-curentul printr-o dioda redresoare 12v=5a/diviziune

JOS-tensiunea iesire=10v/diviziune

Se poate incerca ptr un amplif audio de putere nu prea mare(avem aprox. +-22v nestabilizat)

Avantaj--curent sinusoidal=zgomot mic

 

scuzati calitatea,s-a descarcat acumulatorul si nu am putut face alta

[nickrvl]

Am si eu o intrebare pentru "miticamy", tinind cont de experienta dumnealui, la sursele de tipul forward cu doi "tranzistori", adica acest tip:in cazul conectarii in paralel a doua sau mai multor igbt-uri (in mod deosebit) cit de importanta este imperecherea lor, si daca e nevoie imperecherea de ce anume trebuie tinut cont? de factorul de ampificare etc etc....

[Vizitator]

sa intreb specialistul meu,pana atunci

http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-990.pdf

http://www.ixysgreen.com/Documents/AppN ... AN0058.pdf

http://www.vincotech.com/fileadmin/user ... 506-08.pdf

http://www.st.com/internet/com/TECHNICA ... 265609.pdf

link

http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-1045b.pdf

 

Dr.L: am refacut penultimul link,ca era mai ciudat si nu mergea

[Vizitator tyc]

Pacat ca documentele sant intr-o limba straina...Google(&Co) traduce aiurea.

[Vizitator]

Pune cu curaj traducerea paginii pe care am pus-o si apoi urmatoarea(din an-1045) si facem corecturile in direct

Eu am facut 9 ani de rusa dar inteleg cat de cat termenii tehnici

LE:am incercat eu ceva si nu e rau dar trebuie sa ai idee despre circuite

http://translate.google.com/translate?s ... -1045b.pdf

si am facut trasnaia asta,daca deranjeaza atasamentul sa fie sters

igbt-paralel-traducere.txt

[Vizitator]

@tyc:fac o prima analiza

 

Paralleling helps to reduce the conduction losses and the junction to ambient thermal resistance.

google:paralel ajuta la reducerea pierderilor de conducere si de jonctiune pentru rezistenta termica inconjurator

Eu cu 9 ani rusa:conectarea paralel ajuta la reducerea pierderilor prin conductie si a rezistentei termice ambient-jonctiune

***However, switching losses remain the same, or may even increase due to non-symmetrical layout or high current unbalance. The maximum utilization will only be achieved in the case of ideal static and dynamic operation. Therefore, symmetry conditions are of significant importance for parallel connections

google:Cu toate acestea pierderile de comutare raman aceleasi sau poate creste chiar din cauza non-simetric aspect sau curent mare dezechilibru.Utilizarea la maxim va fi atins numai in cazul ideal si de statica dinamica operatiune.Prin urmare conditiile de simetrie sant de o importanta semnificativa pentru conectarea in paralel

ZIC CA acest pasaj este mult mai inteligibil.Nu credeti?

*** Given several IGBTs, the VCE(on) for different current levels will be slightly different. When these IGBTs are operated in parallel, the VCE(on) across the devices is forced to be the same. Thus, for a given load current, one IGBT will carry more current than the others, creating an unbalance that at lower currents can be up to 100% (one IGBT carries all current).

 

google:Avand in vedere mai multe IGBT Vce(on) pentru diferite niveluri actuale va fi usor diferite.Cand aceste IGBT sant operate in paralel Vce-on de-a lungul dispozitive este obligat sa fie acelasi.Astfel pentru o avand in vedere curentul de sarcina,un IGBT va transporta curent mai mult decat altele,crearea unui dezechilibru curenti poate fi de pana la 100%(un IGBT desfasoara tot curent)

 

Cred inca o data ca cine se obisnuieste intai cu termenii specifici si are idee de functionarea dispozitivelor semiconductoare se poate multumi cu acesta traducere

[nickrvl]

Acum sa incercam sa vorbim "romaneste", cu toate ca lucreaza in comutatie (inchis/deschis), de aici si nedumerirea mea cu Igbt-urile, este regula generala, orice "dispozitiv" semiconductor atunci cind este folosit impreuna cu mai multe astfel de "dispozitive" in paralel trebuiesc "musai" imperecheate in functie de caracteristicile reale ale fiecaruia.

Urmatoarea provocare ar fi cum anume masuram aceste caracteristici?.......... din nou in mod deosebit la Igbt.

 

Este indeajuns o sursa stabilizata de tensiune o rezistenta de polarizare un multimetru de CC si o sarcina? sau trebuie "ceva" mai complex?

[Vizitator tyc]

Exista documentatie pe net ,in engleza. Pt cine nu e vb de engleza,e cam greu sa asimilezi documentatia,iar pt cine traduce cuvant cu cuvant,e foarte greu. Cine o ia de la 0+ ,ei bine ...

[Vizitator]

@nick:am spus de multe ori ca fara o dotare minimala meseria asta se practica greuPtr imperechere se pot face rapid niste montaje pe care le dau chiar producatorii la capitolul testareDar fara un osciloscop performant nu poti avea rezultateEu am obosit spunand de generatorul acela simplu cu uc3842Azi am pus la test 2 tipuri de IGBT ce la aveam din recuperariAm folosit un montaj "ridicator" alimentat cu 12v din atx si folosind tot un soc atxAm variat frecv de la 10 la 100khz si se vede clar diferenta dintre cele 2 tipuri:atat Vce-on cat si raspunsul in frecventaIn documentul IRF se spune clar influenta Vce-on asupra imperecherii-asa ca se poate masura fara probleme cu montajul simpluEu am obtinut cam 12a prin tranzistor si o sa pun niste poze cu oscilogrameColegul de care spuneam nu mi-a dezvaluit mai multe lucruri decat in documentatia IRF

[Vizitator]

am facut si 2 poze

sus=tens comanda grila

jos=tens in colector,5v/div--zero pe linia de jos

prima la 10khz,a doua la 100khz

si al doilea igbt la 100khz

[nickrvl]

@nick:am spus de multe ori ca fara o dotare minimala meseria asta se practica greuPtr imperechere se pot face rapid niste montaje pe care le dau chiar producatorii la capitolul testareDar fara un osciloscop performant nu poti avea rezultateEu am obosit spunand de generatorul acela simplu cu uc3842Azi am pus la test 2 tipuri de IGBT ce la aveam din recuperariAm folosit un montaj "ridicator" alimentat cu 12v din atx si folosind tot un soc atxAm variat frecv de la 10 la 100khz si se vede clar diferenta dintre cele 2 tipuri:atat Vce-on cat si raspunsul in frecventaIn documentul IRF se spune clar influenta Vce-on asupra imperecherii-asa ca se poate masura fara probleme cu montajul simpluEu am obtinut cam 12a prin tranzistor si o sa pun niste poze cu oscilogrameColegul de care spuneam nu mi-a dezvaluit mai multe lucruri decat in documentatia IRF

Dupa cite inteleg s-au folosit doua tipuri diferite de Igbt, cind am zis "imperechere" faceam referire la Igbt de acelasi tip, la bipolare se imperecheaza in functie de factorul de amplificare (beta) la mos-fet se verifica Rds(on) rezistenta maxima în mΩ intre drena si sursa,pentru starea ON, in functie de tensiunea grila sursaVgs, adica:La IGBT? se verifica ca un Mos?Inca o data nu ma intereseaza functionarea lor "activa" intr-un montaj ci strict imperecherea lor, sortarea lor dintr-un lot de acelasi tip.

[Vizitator]

Am crezut ca se subantelege ca punand 2 componente in aceleasi conditii se poate face o comparatie intre ele.Eu neavand decat cate un exemplar din fiecare am nu aveam ce imperechea.Asa ca am pus 2 componente din aceeasi categorie (IGBT)ptr a scoate in evidenta diferenta dintre 2 clase diferiteSe pot face si masuratori in curent continuu,mai ales daca ne multumim cu diferenta intre Vce-onLE:si metoda aceea din jpg este la max 100ma,este ptr componente relativ mici.Revin cu dotarea unui electronist:trebuie sa fie acolo o sursa reglabila si un ATX de mica putere(200-350w) care in firmele de calculatoare sant aruncate.Cu ele se poate masura saturatia la 10-20a nu la 100ma.Si metoda din jpg sorteaza dupa tensiunea de deschidere din poarta la un curent de aprox 100ma,neinteresant ptr un IGBT

[Vizitator]

ce frumos se poate face o sursa

http://www.feryster.pl/polski/PDFFiles/der212.pdf

[Vizitator tyc]

Fiind destinata iluminarii stradale cu led ,banuiesc ca are si o scc. Dupa parcurgerea documentatiei am sa ma dumiresc,pana atunci pot sa-mi fac ideei(in plus).Oricum e o realizare ok,mai ales ca da si PCB-ul.

[Vizitator smilex]

@nickrvl Poti incerca imperecherea lor in curent continuu la curentul preconizat (nu conteaza ce tensiune, deci mica: 12V+Rez. de exemplu). Conteaza de asemeni sa aiba aceeasi capacitate de intrare, cea mai mare putere disipata va fi pe procesul de comutatie, nu pe conductie, dar daca sunt din acelasi lot de fabricatie, probabil ca datele sunt foarte asemanatoare iar diferentele de curent si timpi de comutatie dintre ele vor fi nesemnificative.