Paollo Postat Octombrie 23, 2005 Partajează Postat Octombrie 23, 2005 Am un jaf de placa de baza ECS - K7S5A, am in ea 256Mb DDRam la 266Mhz dar nu prea imi mai ajung, nu gasesc ddram la 266Mhz de vanzare si as mai avea nevoie de macar inca 256Mb, intrebarea mea e daca as putea sa ii pun DDRam la 400Mhz ? (binenteles o sa scot din slot vechii rami) Link spre comentariu
ph3e4r Postat Octombrie 23, 2005 Partajează Postat Octombrie 23, 2005 Da o sa poti pentru ca placa ta de baza o sai vada pe cei de 400mhz ca pe niste rami de 266 mhz. Dar incearca sa pui rami de la aceasi firma si cu aceasi frecventa nu o placuta de 266 si una de 400 ca sar putea sa iti faca figuri depinde de placa de baza. Link spre comentariu
Vizitator Navajo Postat Octombrie 23, 2005 Partajează Postat Octombrie 23, 2005 Poti sa pui DDR400 PC3200,dar o sa iti mearga la fel ca si vechiul DDR266 PC2100.Nu o sa iti apara conflicte in cazul asta.Ideal ar fi sa iti iei 512M RAM cu CL2 sau 2,5,lifetime si le vei folosi si cand iti vei lua un calc.nou.Bineinteles,vechiul RAM il dai afara. Link spre comentariu
Paollo Postat Octombrie 24, 2005 Autor Partajează Postat Octombrie 24, 2005 Poti sa pui DDR400 PC3200,dar o sa iti mearga la fel ca si vechiul DDR266 PC2100.Nu o sa iti apara conflicte in cazul asta. Ideal ar fi sa iti iei 512M RAM cu CL2 sau 2,5,lifetime si le vei folosi si cand iti vei lua un calc.nou.Bineinteles,vechiul RAM il dai afara. Am cam ramas in urma cu stirile, ce inseamna 512Mb RAM cu CL2 sau 2,5,lifetime ?Probabil ca o sa-mi iau 512Mb ddr400, multumesc tuturor pt raspunsuri. Link spre comentariu
Vizitator Navajo Postat Octombrie 24, 2005 Partajează Postat Octombrie 24, 2005 Memoria RAM se clasifica in SRAM (Static) si DRAM (Dynamic). " SRAM, acest tip de memorie utilizeaza in structura celulei de memorie 4 tranzistori si 2 rezistente. Schimbarea starii intre 0 si 1 se realizeaza prin comutarea starii tranzistorilor. La citirea unei celule de memorie informatia nu se pierde. Datorita utilizari matricei de tranzistori, comutarea intre cele doua stari este foarte rapida. " DRAM are ca principiu constructiv celula de memorie formata dintr-un tranzistor si un condensator de capacitate mica. Schimbarea starii se face prin incarcarea/descarcarea condensatorului. La fiecare citire a celulei, condensatorul se descarca. Aceasta metoda de citire a memoriei este denumita "citire distructiva". Din aceasta cauza celula de memorie trebuie sa fie reincarcata dupa fiecare citire. O alta problema, care micsoreaza performantele in ansamblu, este timpul de reimprospatare al memoriei, care este o procedura obligatorie si are loc la fiecare 64 ms. Reimprospatarea memoriei este o consecinta a principiului de functionare al condensatoriilor. Acestia colecteaza electroni care se afla in miscare la aplicarea unei tensiuni electrice, insa dupa o anumita perioada de timp energia inmagazinata scade in intensitate datorita pierderilor din dielectric. Aceste probleme de ordin tehnic conduc la cresterea timpul de asteptare (latency) pentru folosirea memoriei.Celula de memorie din punct de vedere logic este tratat ca fiind un bit. Cea mai mica unitate logica adresabila a memoriei este formata din opt biti si ia denumirea byte. Acesta ofera posibilitatea obtineri a 256 combinatii (caractere). Prin gruparea a opt bytes se obtine un cuvint (word). Constructiv, din motive ce tin de design, celulele de memorie sint organizate sub forma unor matrici. Pentru identificarea si accesarea celulelor de memorie, acestea dispun de o adresa unica pentru fiecare celula in parte. Identificarea celulei de memorie se face prin transmiterea adresei acesteia prin BUS-ul de adrese catre decodorul de adrese (format din decodoare pentru linie si coloana), acesta identifica celula de memorie care corespunde adresei primite si transmite continutul acesteia catre interfata de date iar aceasta mai departe, catre BUS-ul de date. Matricea de memorie este structura prin care celulele de memorie sunt ordonate pe linii si coloane. Timpul de asteptare, pentru efectuarea tuturor operatiilor ce aduc informatia in interfata pentru date este necesar un anumit timp, care este identificat sub numele "latency". Astfel ca, pentru transmiterea adreselor intre procesor, chipset si memorie se utilizeaza 2 cicluri de tact. Pentru identificarea celulei de memorie se parcurg doua operatii. Identificarea liniei din matrice, pentru care avem nevoie de 2/3 cicluri (in functie de calitatea memoriei utilizata), aceasta perioada se numeste RAS (Row Address Strobe) to CAS (Column Address Strobe) delay si identificarea coloanei (CAS latency) pentru care se consuma aproximativ acelasi timp ca si pentru prima operatie (2/3 cicluri). Pentru transmiterea informatiei catre interfata de date se consuma 1 ciclu iar pentru ultima operatie, transmiterea datelor catre chipset si apoi catre procesor, inca 2 cicluri. Dupa transmiterea informatiilor, in cazul in care cererea emisa de procesor este mai mai mare decit latimea magistralei pentru date, urmatoarele cuvinte sint transmise catre procesor in modul rafala "burst mode" la fiecare ciclu de tact, acest lucru este posibil datorita unui numarator intern care identifica urmatoarea coloana si transmite catre amplificator continutul. CL2 inseamna Cas Latency 2Lifetime inseamna ca au garantie pe viata.Cele mai bune marci sunt Geil si Corsair. Link spre comentariu
Paollo Postat Octombrie 27, 2005 Autor Partajează Postat Octombrie 27, 2005 WOOWW, mersi de explicatie, dar eu tot ddram la 400 o sa-mi iau .Numa' bine! Link spre comentariu
Postări Recomandate
Creează un cont sau autentifică-te pentru a adăuga comentariu
Trebuie să fi un membru pentru a putea lăsa un comentariu.
Creează un cont
Înregistrează-te pentru un nou cont în comunitatea nostră. Este simplu!
Înregistrează un nou contAutentificare
Ai deja un cont? Autentifică-te aici.
Autentifică-te acum