Sari la conținut
ELFORUM - Forumul electronistilor

lm317 2n3055


rares_mihai

Postări Recomandate

Vizitator tyc

Fata de tranzistori cu germaniu,mosfeturile se comanda cu o tensiune pe grila si nu cunosc decat starea blocat sau in conductie.Deci o sursa cu IRF va fi foarte zgomotoasa deoarece tensiunea va fi reglata discontinuu-numai bine pt acumulatorii cu plumb.Momentan,am o sch apropiata de ce ai nevoie,in loc de 7812pune LM317 din sch de mai sus;o sa ai un redresor pt incarcat accu reglabil in tensiune si curent.Curentul de incarcare e 1/10 din capacitatea accu(se da in Ah si scrie pe fiecare accu).Daca nu poti singur face adaptarea,vb dupa pasti.Sarbatori fericite

Link spre comentariu
  • Răspunsuri 39
  • Creat
  • Ultimul Răspuns

Top autori în acest subiect

  • rares_mihai

    7

  • miron1947

    5

  • The Stressmaker

    4

  • Dr.L

    4

Fata de tranzistori cu germaniu,mosfeturile se comanda cu o tensiune pe grila si nu cunosc decat starea blocat sau in conductie...

Gresit. Ca orice tranzistor, mosfet-urile se comporta bine-mersi in zona liniara. Daca nu ma crezi am si dovada: Am plificatoarele audio cu finali MOS-FET.
Link spre comentariu

tensiunea este 17v neschimbata trafu e toroidal tine fara probleme am alimentat de la el letconul prin alt montaj dar acum cu lm317 si darlingtonu ala apare problema asta am impresia ca nu tine la curentul de 2A totusi 2n3055 suporta 5A fara probleme

Link spre comentariu

Daca doresti sa obtii curenti mai mari la iesire (3-10A) te sfatuiesc sa folosesti schema din comutatie pentru LM317 .Eu am folosit cu succes de mai multe ori schema urmatoare .

Posted Image

Ma intereseaza schema propusa de tine dar nu stiu cum fac inductanta de 300-600uH si de ce tip este dioda dioda de linga ea.Daca vrei sa detaliez putin.

Multumesc anticipat

Link spre comentariu

aceasta este schema nu am pus rezistente sau condensatoare pe tranzistori ca si cu si fara ele tot la fel se comporta cade tensiunea la punerea in sarcina cu un letcon de 2A

Link spre comentariu

Dioda de care pomenesti poate Schottky( la peste 50V, astea sunt cam scumpe ) ori dioda rapida care sa suporte curentul cerut la iesire .De ex pentru 3A la iesire tb. o dioda care sa suporte min. 3A : de exemplu FR307 , BY396-BY399 etc .

Bobina o poti confectiona pe un mic transformator de ferita ori un miez toroidal , folosind drept sarma de bobinaj mai multe sarme de CuEm de circa 0.3mm , torsadate ( circa 5 astfel de sarme torsadate impreuna suporta lejer un curent de 3-4A , fara a se incalzi in exces ) .De mare ajutor ar fi un L-metru pentru masurarea inductantei ,care depinde de miezul disponibil si numarul de spire .

Link spre comentariu
  • 3 ani mai târziu...

La aplicatii uzuale eu zic ca se poate folosi dar cu cateva atentionari. Prima ar fi ca tensiunea inversa pe jonctiunea baza-emitor sa nu depaseasca 5V fata de 7V ca la 3055 (intra in strapungere zenner). A doua atentionare este ca, din cauza capsulei, puterea disipata este mai mica, de 75W fata de 115W. A treia atentionare (initial am crezut ca este o greseala de redactare a pdf-ului dar nu e asa, am gasit informatia in mai multe pdf-uri diferite) se refera la caderea de tensiune pe tranzistor la 10A, curent de colector, ca fiind de 8V fata de 3V la 2n3055 (capsula TO-3) ceea ce se traduce prin ambalare termica mai mare la curenti mari.La curenti mici de 1-5A nu cred ca sunt probleme in a se folosi in locul 2n3055 avand parametrii asemanatori. Peste 5A curent de colector (chiar si impuls) nu recomand inlocuirea pentru ca se ambaleaza termic mai repede limitand utilizarea acestuia.

Link spre comentariu

@Nedeianu care din schemele postate pe aici este cea pe care o folosesti? Intreb ca sa fiu sigur ce si cum... In principiu cu ceva precautii se pot inlocui 2N3055 cu MJE-urile alea, numai ca este posibil sa se modifice putin schema pentru a o adapta la capabilitatile lor ceva mai reduse, insa repet mai specific eu unul n-as putea fi pana nu vad ce schema te intereseaza.@The Stressmaker nu stiu la ce strapungere zenner te referi dar ideea este ca la depasirea pragului Vbe admis, se strapunge pur si simplu jonctiunea baza-emitor, deci tranzistorul devine inutil, insa cu toate ca 2n-ul suporta Vbe 7V nici la ala n-as admite 5V intre baza si emitor, ca sa nu mai zic de MJE... si nici nu e nevoie, bipolarul are nevoie de sub 1V ca sa se deschida, nu prea am vazut schema care sa aduca 5V pe jonctiunea baza emitor... Si nu in ultimul rand, tu ai permite 10A printr-un tranzistor care permite maxim 10A curent de colector? Eu nici in 2N n-as da 10A in nici un caz, maxim 3-4A mi-ar ajunge, nu conteaza ca se lauda cu 15, deci ideea ca Vce-sat este mare la 10A este irelevanta.

Link spre comentariu

Creează un cont sau autentifică-te pentru a adăuga comentariu

Trebuie să fi un membru pentru a putea lăsa un comentariu.

Creează un cont

Înregistrează-te pentru un nou cont în comunitatea nostră. Este simplu!

Înregistrează un nou cont

Autentificare

Ai deja un cont? Autentifică-te aici.

Autentifică-te acum



×
×
  • Creează nouă...

Informații Importante

Am plasat cookie-uri pe dispozitivul tău pentru a îmbunătății navigarea pe acest site. Poți modifica setările cookie, altfel considerăm că ești de acord să continui.Termeni de Utilizare si Ghidări