Ampli clasa A Hiraga

[Vizitator viobio]

Acum 6 minute, maxente a spus:

 

Dacă nu e secret, pune o schema cu modificarile alea de zici mai sus. De mult timp ma chinuie un gând sa incerc și eu un fierbător d-ăsta, să văd și eu ce audiofilism iese din el in comparație cu ce am construit eu până acuș.

Îți dau pe mess .

Dacă ii pui ventilatoare nu mai este fierbător , le subturezi un pic și nu se mai aud deloc .

Editat Martie 29, 2019 de viobio

[Mircea]

Rdson nu e definitoriu in amplifurile audio. S-au scris multe aici pe forum.

[sesebe]

Acum 36 minute, RST a spus:

 

Absolut! Schema e facuta cu ce se putea, cu ce permitea tehnologia la vremea aia. Acum exista MOSFET-uri care suporta sute de amperi, rezistenta lor interna fiind foarte mica. Implicit si puterea disipata pe tranzistor e mult scazuta....perfect ptr functionare in clasa A. MOS-rile de generatie noua sunt utrarapide, micul lor dezavantaj fiind capacitatile mari de intrare. Efectul negativ al acestora se poate compensa simplu. 

 

Poti sa-mi explici plin ceva formule unde intra Rds on in calculul puterii disipate la un amplificator audio, mai ales la cele in clasa A cum e cazul acum?

Eu n-am reusit sa ma prind.

[sesebe]

M-ai convins, e o cauza pierduta.

 

Rds-ul mic este important DOAR atunci si NUMAI atunci cind tranzistorul lucreaza in saturatie sau foarte aproape de saturatie lucru ABSOLUT INTERZIS la un amplificator audio (exceptie cele in clasa D si similare) din cauza aparitiei distorsiunilor.

Deci nu are absolut nici o legatura Rds-ul mic cu amplificatoarele audio liniare.

 

Care rezultate sa le compar? Unde anume in formula de calcul a puterii disipate de un amplificator audio intra si Rds-ul.

Bati cimpii cu gratie si mai esti si aplaudat. Clar cit a inteles lumea din ceea ce tot spui pe acolo.

Editat Martie 29, 2019 de sesebe

[franzm]

Tocmai în regim liniar (vorbim de MOSFET) e relevant RDSon, nu în regim de saturatie. Nu va agitati, este doar o diferenta de terminologie fata de bipolari (la MOS saturatia înseamna altceva decât la bipolari).

[sesebe]

Explica! 

E simplu sa susții ceva, mai complicat este sa demonstrezi ca ceea ce susții este adevărat. 

[franzm]

Întrucât nu cred ca mai am suficient de trait ca sa enumar toate cartile, cursurile, etc. de DCE care exista pe lumea asta, ma limitez la wikipedia.

Explicatia e simpla: saturatia se refera în acest caz la saturatia curentului de drena pe caracteristica de iesire. Expresia provie din domeniul tuburilor electronice.

[sesebe]

Păcat, nu m-ai convins deloc. 

[UDAR]

@sesebe  Păcat că te încăpățânezi , @franzm are dreptate . De altfel și eu am obiectat de multe ori la folosirea incorectă a termenului ”saturație” privitor la MOSFET-uri. 

 

Sigur, este puțin contraintuitiv pentru cei care am început cu bipolarele. Dar asta este, nu ne-a întrebat nimeni pe noi când a definit termenii privitori la MOSFET ! 

Totuși, termenul de satrurație în cazul MOSFET este corect folosit , poate mai corect decât în cazul bipolarelor (sic!) . Pentru că termenul de saturație trebuie să se refere la ceva intrinsec ( cum este la tuburi sau la MOSFET ) nu la ceva extrinsec cum este la bipolare . Dar în fine , astea sunt considerente mai mult sau mai puțin personale . 

 

Revenind la subiect , în cazul MOSFET regiunea de saturație este definită ( corect sau nu , vezi mai sus ) ca regiunea în care Vgs > Vth ( deci tranzistorul este în conducție ) și Vds > ( Vgs-Vth) adică Vds a ieșit din zona în care poate influența Ids , cu alte cuvinte Ids s-a saturat în raport cu Vds.

Altfel exprimat saturația la MOSFET intervine când Ids nu mai crește cu creșterea Vds ( menținând desigur Vgs constant ) .

Editat Martie 30, 2019 de UDAR
Typo correction

[UDAR]

PS Ca să nu ne rezumăm la Wikipedia - deși ce scrie acolo este corect - :

- Gray, Meyer, e.a. Analysis and Design of Integrated Circuits , John Wiley, ediția 5 , pag. 44 și următoarele

- Horowitz și Hill, The Art of Electronics , Cambridge Press , ediția 2, pag. 121 și următoarele .

 

Și după cum a spus și @franzm , lista ar putea continua la infinit , inclusiv cu profesori pe care i-am avut în școală dar din păcate nu am referințe la îndemână. 

[sesebe]

Eu nu m-am legat de ceea ce inseamna saturatie ci de faptul ca un tranzistor MOS-FET disipa cu atit mai putin folosit ca amplificator in clasa A sau AB  cu cit are un Rds-on mai mic.

Formula care defineste saturatia la un MOS-FET cred ca o stiu fara sa mi-o arate cineva pe Wiki.

 

Nu vreau sa mai continui pt ca stric tot topicul  dar in cazul folosirii ca amplificator in clasa A un tranzistor MOS (sau bipolar) nu are voie sa ajunga la saturatie iar Rdson este definit la saturatie, deci daca tranzistorul nu ajunge sa lucreze in saturatie atunci nici Rds-on nu conteaza.

[UDAR]

1. Ai dreptate , Rdson nu este relevantă la funcționarea într-un amplificator liniar. 

2. Nu ai dreptate , Rdson nu este definită în regiunea de saturație ci în regiunea liniară ( sau ohmică sau triodă , cum vrei să-i spui ) . Dacă zici că știi formula atunci o să observi că acolo tranzistorul MOSFET este cu atât mai în saturație cu cât Vds este mai mare decât Vgs-Vth pe când Rdson este definită pentru un Vds  mult mai mic decât Vgs-Vth .

[Marian]

Uneori sunt acuzat ca simplific lucrurile prea mult, insa tot uneori pare a fi cea mai eficienta strategie pentru a explica un fenomen.

Concret, cele 2 regimuri distincte:

 

1. Regimul de comutatie in care tranzistorul este fie complet deschid fie complet inchis ( este un banal intrerupator ), la bipolari se numeste regim de saturatie, iar la mosfeti regim liniar.

 

2. Regimul de amplificator fie in tensiune ( emitor comun/sursa comuna ), fie in curent ( repetor in emitor/repetor in sursa ), la bipolari se numeste regim liniar, iar la mosfeti regim de saturatie.

 

Adica la mosfeti denumirile sunt fix pe dos, stiu ca pare derutant dar asa sunt denumirile corecte.

 

Si, intr-adevar, Rds-On n-are nici o treaba cu regimul de lucru de la amplificatoarele audio AB, sau si mai si, A...

Mosfetul la fel ca si bipolarul disipa diferenta dintre puterea livrata sarcinii si cea consumata de la sursa.

Din contra, in configuratie repetor in sursa, mosfetii disipa chiar mai mult decat bipolarii, datorita pragului de deschidere in porti, mult mai mare decat la bipolari in baze.

In exemplul de aici cu clasa A, la psf etajul final disipa fix atat cat disipa si niste bipolari, adica produsul dintre curentul de prepolarizare si tensiunea dintre ramuri, Rds-On nu intra in discutie.

 

https://www.elforum.info/topic/129153-teorie-si-generalitati-in-audio/?do=findComment&comment=1615394

 

Editat Martie 30, 2019 de Marian

[franzm]

Am vrut doar sa atrag atentia asupra unei probleme de limbaj care poate da nastere la diverse interpretari:

17 hours ago, sesebe said:

Rds-ul mic este important DOAR atunci si NUMAI atunci cind tranzistorul lucreaza in saturatie sau foarte aproape de saturatie lucru ABSOLUT INTERZIS la un amplificator audio (exceptie cele in clasa D si similare) din cauza aparitiei distorsiunilor.

Nu am pus la îndoiala esentialul:

17 hours ago, sesebe said:

Deci nu are absolut nici o legatura Rds-ul mic cu amplificatoarele audio liniare.

Dar se pare ca problema este...diabolica:

1 hour ago, sesebe said:

Formula care defineste saturatia la un MOS-FET cred ca o stiu fara sa mi-o arate cineva pe Wiki.

Nu vreau sa mai continui pt ca stric tot topicul  dar in cazul folosirii ca amplificator in clasa A un tranzistor MOS (sau bipolar) nu are voie sa ajunga la saturatie iar Rdson este definit la saturatie, deci daca tranzistorul nu ajunge sa lucreze in saturatie atunci nici Rds-on nu conteaza.

 

[Vizitator]

Ce văd în această imagine ca stea de masă nu pare a fi o soluție reușită (condensatorii de filtraj aduși prin fire de conexiune lungi la steaua de masă...).

 

 

Se putea realiza de această manieră

stea pentru masă(neagră),

stea pentru plus (roșie) direct la borna condensatorului,

stea pentru minus(albastră) direct la borna condensatorului,

portocaliu cupru,

condensatorii de filtraj grupați apropiat(armatură de cupru pentru masă, steaua de masă în centrul armătură de cupru)

 

 

Editat Iulie 17, 2019 de Vizitator