Inca un amplificator...

[Akos]

Da pentru ca sursa urmareste poarta. Nu incarci sa zicem brusc la 10V Ciss pentru ca capatul celalalt al lui Ciss urca odata cu ea. Acest fenomen se numeste bootstrap. In cazul bjt-urilor de exemplu capacitatea de intrare in tranzistor scade aproximativ cu beta si impedanta de intrare creste cu beta. La mos-uri cred ca Ciss se divide cu o valoarea ce depinde de valoarea transconductantei.  Oricum ea este mult mai mica decit Ciss.

[Sharky]

Da, am inteles asta din prima, dar...nu stiu, tre sa experimentez dar din ce am vazut pana acum la puteri mici aveam SR spectaculos.

Ramane de vazut. Pana atunci te cred pe cuvant.

[Akos]

Pai gadestete un pic ce se intimpla daca la un Ciss de 950pF la N respectiv 1900pF la P  pui o rezistenta de 4k7 in poarta daca fenomenul de care iti spuneam nu exista ?

[Sharky]

Pai asa e, nu te contrazic, nu mi-am batut capul sa vad ce se intampla.
Intr-adevar, la mine cum ii dau cu 1k, ar fi trebuit sa raman fara SR.

Mai studiez, mai experimentez, dar nu stiu cand.

[Vizitator]

Prin amabilitatea lui Victor, (HPAVictor), va atasez urmatoarele scheme, comanda deosebita pentru Mos fet-uri.

 

Macar ca sursa de inspiratie.

Schema.jfif

 

Editat Ianuarie 24, 2019 de Vizitator

[Akos]

Multumesc. Schema o cunosc, am studiat-o. Face parte dintr-un ciclu de scheme interesante, dintre care sunt si solutii cu bootstrap. De regula am observat ca rusii sunt foarte ingeniosi inca de pe vremea cand studiam surse pentru sudura. Dar schema de mai sus este cu mos-uri verticale. Momentan fac sapaturi pe net dupa cele laterale. Deocamdata am gasit de la c audio seria 3000/4000/3600. Astea sunt cu laterale dar nu cu exicon.

[Mircea]

On 1/23/2019 at 9:07 AM, Sharky said:

... ai nevoie de protectie antioscilatie pe iesire.

Ai un exemplu? Sau macar o schema de principiu.

 

Multumesc.

Editat Ianuarie 24, 2019 de Thunderer

[Sharky]

Desigur:

 

E un proiect initiat mai demult, practic prima data cand m-am apucat de treaba.

Am comasat mai multe bucati din diverse parti, mi-au venit idei etc.

Repet, ideea de baza a schemei e cat mai simplu, dar functional!

[Mircea]

Toate link-urile dropbox sunt 404.

 

Stiam acel topic, insa nu am salvat schema. Si sincer, nu-mi aduc aminte de protectia HF.

[Sharky]

Of. Trebuie refacute.

Se rezolva. Pe vremea aia forumu avea atasamentele naspa de aia.

Iar dropbox mi a tras clapa cand au renuntat la linkuri.

 

Protectia hf: un banal filtru trece sus si redresare care armeaza bistabilul. L am tunat practic in spice.

Ordinul 1.

 

LAter edit: am actualizat subiectul am pus ultima schema. Bineinteles se poate optimiza, sunt deschis la sugestii.

Editat Ianuarie 26, 2019 de Sharky

[elektronu85]

Aici aveti un link cu un amplificator pe care l-am reparat: Adam Hall P1200, foloseste MOS-FET in finali, primii sunt laterali si urmatorii sunt verticali.

 

Amplificatorul suna foarte placut, mai ales la volume mici , cand lucreaza lateralii. Este acolo si manualul de service, si cred ca pe undeva sunt si poze de prin arhiva mea. Ca si finali laterali am folosit exxicon-uri originali (trebuie sa aveti grija si la capitolul originalitate, clonele de la fratii chinezi oscileaza ca dracu). Am postat linkul pentru ca m-am gandit ca poate fi o sursa de inspiratie pentru amplificatorul din discutie. Este unul dintre putinele amplificatoare PRO cu MOS-FET care chiar m-au impresionat ca si sunet! Regret si acum ca am vandut acel amp, insa macar stiu ca ajuns la o persoana care apreciaza sunetul acelui amplificator la adevarata valoare. Aaaa... si inca ceva, la probe cu lateralii, puneti sarcina la bornele difuzorului... ca lasat pe liber orice lateral va oscila in draci!

[Akos]

D-le @elektronu85, multumesc pentru informatie, dar nu pot deschide link-ul.

[elektronu85]

EDIT!

Editat Ianuarie 29, 2019 de elektronu85

[Akos]

Cred ca la testari irfp-ul l a cedat din cauza cros-conductiei. Probabil ca 100 ohmi in poarta la 100kHz patrat sunt prea mari ca sa-l blocheze pe unul inainte ca celalalt sa se deschida si asa conduc o perioada simultan.

[Akos]

Avind in vedere problemele de stabilitate cu mos-urile laterale si tinind cont de sfaturile colegilor de pe acest forum am hotarit sa schimb topologia acestui amplificator in scopul de a obtine un decalaj de faza al semnalului util cat mai mic pentru o stabilitate maxima. Prima schimbare este in circuitul corector de eroare care va fi un Hawskford clasic. Spre deosebire de varianta propusa de E. Stuart, semnalul de eroare este insumat la semnalul util dupa un repetor, defazajul introdus in calea de semnal util fiind doar de cateva grade. De asemenea, pe parcursul depanarii, suprimind rezistenta R403, CE devine inactiv, putindu-se urmari evolutia amplif-ului fara CE, caz in care etajele CE sunt de fapt driverele etajului final. A doua schimbare majora este in etajul de intrare, unde am hotarit sa merg pe o schema cat mai simpla. Schema lui Stuart este eleganta dar am observat cateva neajunsuri dintre care as aminti faptul ca amplificarea este relativ mica fata de complexitatea ei dar cel mai deranjant este impedanta de iesire extrem de mare pe care daca nu-l separi suficient de bine strica toti parametrii drastic. Asa ca am ales o schema propusa de Halcro in US5892398. Este o schema relativ simpla, asimetrica, cu o amplificare in bucla deschisa de cca 120dB, suficienta zic eu. Punind totul impreuna in simulator, parametrii obtinuti mi se par ok, atit cat priveste distorsiunile (sub 1 ppm) cat in special marginea de faza obtinuta. Din cate am vazut eu, cel mai mare defazaj il introduce etajul final, deci ca intregul sa fie stabil tot ce este inainte de finali trebuie sa aiba defazaj cat mai mic. A treia schimbare majora este in etajul final care va fi lipsit de rezistentele din surse. Totodata pun finalii direct pe radiator, fara izolatie electrica asa cum recomanda "Exicon Lateral MOSFETs-apnotes". Deocamdata nu am prevazut protectie si nici un alt circuit auxiliar. Pe parcursul intocmirii schemei am verificat fiecare componenta ce defazaj (si distorsiune) introduce. De exemplu faptul ca vas-ul nu e cu repetor inainte se datoreaza tocmai acestui fapt si anume ca introduce defazaje si distorsiuni inaceptabili. Cascodele cascodate la intrare sunt pentru a nu pune tranzistoarele pe radiator. De asemenea nici CFP-ul perechii de intrare nu mi s-a parut justificat, cel putin simulatorul microcap nu mi-a aratat nici o diferenta cu ea sau fara ea, din contra baga cateva grade de defazaj.

Mai jos este schema electrica, diagrama Bode si recomandarea de la exicon.

Poate va faceti timp pentru unele observatii, sugestii, comentarii, poate chiar simulari, etc.

 

 

Exicon Lateral MOSFETs-apnotes.pdf