Rashad Ionita Postat Decembrie 12, 2017 Partajează Postat Decembrie 12, 2017 Buna seara, cu acordul lui @Marian deschid acest topic. Se vrea a se inlocui etajul final cu Mosfet din schema dumnealui cu etaj final cu bipolari. Ce modificari trebuiesc aduse??? Link spre comentariu
hpavictor Postat Decembrie 12, 2017 Partajează Postat Decembrie 12, 2017 Se inlocuiesc finalii MOS FET cu bipolari dedicati audio ( recomand doar MJL4281 + MJL4302 ) , dar si tranzistorul MOS FET din superdioda cu un NPN in capsula TO220 . Va trebui simulata functionarea schemei , deoarece e posibil sa fie necesara recalcularea valorilor retelei de compensare in frecventa . Link spre comentariu
Rashad Ionita Postat Decembrie 12, 2017 Autor Partajează Postat Decembrie 12, 2017 Performantele schemei raman aceleasi daca se trece la bipolari??? Link spre comentariu
hpavictor Postat Decembrie 12, 2017 Partajează Postat Decembrie 12, 2017 La masa , mananci ciorba cu paine la felul 1 . La felul 2 , mananci peste saramura cu usturoi si paine . Desi mananci paine si la felul 1 si la felul 2 , mancarea va avea gust diferit ! Oricum eu recomand mamaliga la saramura , dar asta e un simplu exemplu . Schema lui Marian este foarte OK si cu bipolari dar si cu MOS FET . Trebuie abordata altfel problema , aceasta schema fiind destul de complexa ( remarcati modestia ) ar fi necesare modificari de substanta pentru obtinerea unor performante superioare . Ar fi greu , dar nu imposibil . In mod practic nu ar avea justificare , ar deveni un alt proiect . Link spre comentariu
sesebe Postat Decembrie 12, 2017 Partajează Postat Decembrie 12, 2017 Din punctul meu de vedere la tipul exact al MOS-fetilor ar trebui lucrat putin pt ca cei utilizati nu sint complementari exacti ci numai aparent dupa nume dar la parametri sint destul de diferiti. Link spre comentariu
hpavictor Postat Decembrie 12, 2017 Partajează Postat Decembrie 12, 2017 Da da . Reactia negativa " sterge " orice diferenta intre finali , iar diferente de complementaritate exista inclusiv la bipolari . Link spre comentariu
Mircea Postat Decembrie 12, 2017 Partajează Postat Decembrie 12, 2017 Poate face cineva schema asta sa mearga cu 2N3055, 2N3773 sau cu BU708 si 808? Ca d-astia am garla din recuperari. Si se gasesc si pe eBay. Multumesc pentru efortul depus. Link spre comentariu
dark_angel Postat Decembrie 12, 2017 Partajează Postat Decembrie 12, 2017 (editat) Reactia negativa " sterge " orice diferenta intre finali , iar diferente de complementaritate exista inclusiv la bipolari . Mai sunt unii pe la sectiunea cu tuburi care au impresia ca reactia negativa le murdareste muzica (sa nu zic "empetreiu` ")... Trebuie avut in vedere la mosfeti sa fie cu Gm (aka transconductanta) apropiat si sarcina portii la fel pentru a solicita/incarca in mod simetric etajul pilot. Acuma vin si eu cu intrebarea de 100pct: de ce se vrea a se inlocui mosfetii cu bipolari? Adica exista o motivatie tehnica sau doar folclor preluat de la Bodega (satului) ? Nu cumva intrebarea defapt tinteste catre un "se vrea a se adapta/imbunatatii" schema pentru finali bipolari dar nu gasim "binevoitori"? Editat Decembrie 12, 2017 de dark_angel Link spre comentariu
sk24bpo Postat Decembrie 13, 2017 Partajează Postat Decembrie 13, 2017 Daca tot sunt mosfet finalii, nu mergea fara probleme un etaj final dublet ? Link spre comentariu
hpavictor Postat Decembrie 13, 2017 Partajează Postat Decembrie 13, 2017 Impedanta de intrare a etajului final este variabila in functie de sarcina si frecventa . De asta am optat pentru o structura hibrida ( etaj atac Darlington bipolar + finali MOS FET ) , ca sa nu influenteze sub nicio forma etajul VAS . Link spre comentariu
sk24bpo Postat Decembrie 13, 2017 Partajează Postat Decembrie 13, 2017 Impedanta de intrare mare a mosfetilor ar putea suplini lipsa unui etaj intermediar amplificator in curent. Merita o simulare. Un etaj final dublet usureaza munca superdiodei. Link spre comentariu
hpavictor Postat Decembrie 13, 2017 Partajează Postat Decembrie 13, 2017 Nici vorba , capacitatea MOS FET urilor ingenunchiaza etajul VAS ... Etajul Darlington bipolar exceleaza . Exista si alte variante castigatoare , dar tin de inlocuirea repetorului Darlington cu alta structura asemanatoare , ce contine un etaj cu o reactie negativa locala . Uite un exemplu : Exista si alte variante , mai complicate . Link spre comentariu
franzm Postat Decembrie 13, 2017 Partajează Postat Decembrie 13, 2017 (editat) Herr Victor, interesanta abordare (injectia de curent în baza prefinalilor) ;-) La pag 196 si 236 din cartea sa, Cordell trateaza problema capacitatilor de intrare, atât pentru bipolari cât si pentru MOSFET. Din punctul meu de vedere la tipul exact al MOS-fetilor ar trebui lucrat putin pt ca cei utilizati nu sint complementari exacti ci numai aparent dupa nume dar la parametri sint destul de diferiti. 2SJ119/2SK414 sau ceva de la Fairchild (gen FQA28N15 si 35P15, dar cu UDS mai mare). Primele nu se mai produc (fericit cel care mai are ;-), au curenti de drena mai mici decât IRPF si, datorita tensiunii de prag ceva mai mari, parca cer o schema cu corectie de eroare (Pass/Macura) iar Fairchild parca a anuntat ca opreste productia. Editat Decembrie 13, 2017 de franzm Link spre comentariu
hpavictor Postat Decembrie 13, 2017 Partajează Postat Decembrie 13, 2017 Variantele prezentate mai sus sufera de anumite limitari chiar daca ofera rezultate exceptionale pentru majoritatea pretentiosilor , dar in prezent unii studiaza alte concepte , mai performante . Cu putin , dar totusi mai performante . Link spre comentariu
Sharky Postat Decembrie 13, 2017 Partajează Postat Decembrie 13, 2017 Cate bordeiuri atatea obiceiuri. Eu nu pot face modificari si nici nu ma apuc sa pun schema in spice sa vad daca-s corecte. Doar dau idei, in rest cine se pricepe poate recalcula, implementa. Vad ca etajul de intrare are o cascoda, deci se pierd si aici niste volti. Mai pierzi vreo 2V pe prefinali (nu o sa iti convina sa ii saturezi!) inca 5 pe mosfet si deja ai catre 10V pierdere. Eu as intrerupe traseul de alimentare dintre finali si prefinali si as ridica cu 10V tensiunea de alimentare. Musai niste zenere in grila. Alea vor limita curnetul maxim, plus pazi de Ugs prea mare in caz ca alimentarea finalilor cade mai repede ca a prefinalilor. Sursa pt prefinali, separata si eventual stabilizata. Atentie doar ca etajul de comanda va trage vreo 2A in impuls, poate chiar mai mult, ar trebui sa aiba de unde! Un filtraj generos ar rezolva impulsurile, media va fi oricum mica. Pt bipolari e oarecum simplu, cred, iei superdiode de la leach amp sau orice alt amp cu triplet la iesire si inlocuiesti super dioda de aici. Plus scazi la 2ohmi/elimini rezistentele din grile. La partea de cross conducntion o rezolvi cu niste simple rezistente, gen 700 la primii, 200 la al doilea set de prefinali. Dar asta la prima vedere, poate mai trebuie pus si altceva care imi scapa. Personal as face prima data proiectul original, apoi cand sa ii fac celalalt canal m-as pune pe modificari, ca sa am o referinta cu care sa compar cand ceva nu merge, sau in final, cand merge. Link spre comentariu
Postări Recomandate
Creează un cont sau autentifică-te pentru a adăuga comentariu
Trebuie să fi un membru pentru a putea lăsa un comentariu.
Creează un cont
Înregistrează-te pentru un nou cont în comunitatea nostră. Este simplu!
Înregistrează un nou contAutentificare
Ai deja un cont? Autentifică-te aici.
Autentifică-te acum