Sari la conținut
ELFORUM - Forumul electronistilor

Amplificator cascoda cu tranzistor SiGe si bipolar cu Si


VAX

Postări Recomandate

@ndor

-in general toate montajele de RF care nu contin smd-uri le-am facut in aer, direct intr-o cutiuta de tabla. Asta pe placuta de test, din aia cu gauri. Am facut mai multe, inclusiv cu HEMT.

-am un receptor facut si conceput de mine, cu banda aproape continua de la 5KHz pana la 200MHz (intentionez sa-i mai fac o banda mai sus). Cu acest aparat am testat amplificatorul.

-montajul, in varianta cu bobina, are o oarecare rezonanta, prin capacitatile tranzistoarelor, puternic atenuata de T2. Am specificat banda de sus a aparatului meu, adica 150-200MHz, unde bobina are 7 spire pe diametru 3mm. Modificarea bobinei duce la modificarea benzii deci.

-deocamdata montajul e in scop experimental. Intrarea e printr-un condensator, iar la iesire am conectat direct cablul de legatura cu receptorul.

-in varianta fara bobina, amplificarea este destul de constanta, incepand de la frecventele audio pana spre 1GHz, dupa cum arata si schema 5 exemplificata de tine

-nu am masurat efectiv castigul. L-am dedus aproximtiv, atat din datele de catalog, din documentatia celor care au mai experimentat, cat si prin comparatie cu alte amplificatoare

Link spre comentariu

Referitor la '72 si '90:

Aveti date concrete privind variatia UBE cu temperatura la tranzistoarele SiGe? La jonctiunile cu Si clasice, coeficientul de temperatura scade cu cresterea densitatii de curent.

Din datele BFP740 rezulta ca ar fi fost conceput pentru polarizarea bazei dintr-o tensiune fixa si are un comportament pe masura.

Link spre comentariu

Din cate stiu, nu e absolut necesar ca T2 sa fie un tranzistor cu zgomot atat de redus. Daca T1 are amplificare in tensiune suficient de mare (si are), T2 nu mai prea conteaza la factorul de zgomot total.

Nu e o "oarecare rezonanta" , e una clasica, ca oricare alta. Chiar asa sa fie: "puternic atenuata de T2" ?

Editat de lukeme
Link spre comentariu

Referitor la '72 si '90:

Aveti date concrete privind variatia UBE cu temperatura la tranzistoarele SiGe? La jonctiunile cu Si clasice, coeficientul de temperatura scade cu cresterea densitatii de curent.

Din datele BFP740 rezulta ca ar fi fost conceput pentru polarizarea bazei dintr-o tensiune fixa si are un comportament pe masura.

Ma asteptam sa va integrati in topic, la adevarata dvs. valoare.

Asa si este in simulare. Seriile 400 si 500 au un comportament crescator al curentului de colector cu temperatura la curent constant de baza,

pe cind serii 700 si 800 usor scazator. Aceasta este o combinatie a variatiei intregului ansamblu, h21, UBE cu temperatura si curentul.

post-238209-0-54926300-1505447435_thumb.png

Se observa cum scade curentul de colector cu cresterea temperaturii de la 28mA la 22mA.

Nu am detaliat, deoarece nu era cazul, fara o postare aditionala din partea userilor, era fara relevanta in context.

 

@gsabac

Editat de gsabac
Link spre comentariu

Creează un cont sau autentifică-te pentru a adăuga comentariu

Trebuie să fi un membru pentru a putea lăsa un comentariu.

Creează un cont

Înregistrează-te pentru un nou cont în comunitatea nostră. Este simplu!

Înregistrează un nou cont

Autentificare

Ai deja un cont? Autentifică-te aici.

Autentifică-te acum
×
×
  • Creează nouă...

Informații Importante

Am plasat cookie-uri pe dispozitivul tău pentru a îmbunătății navigarea pe acest site. Poți modifica setările cookie, altfel considerăm că ești de acord să continui.Termeni de Utilizare si Ghidări