Amplificator cascoda cu tranzistor SiGe si bipolar cu Si

[kablu]

Multumesc pentru raspunsuri. Deci utilizarea in unde scurte nu este aplicatia cea mai recomandata, dar se poate(functioneaza). Iar pretul derizoriu este un atu.

Oare un montaj cu baza comuna nu ar fi mai interesant,sau chiar un amplificator Norton cu aceste tranzistoare? Astfel creste IP3-ul, iar zgomotul nu se modifica semnificativ.

Recunosc ca la inceput am citit postul tau cu superficialitate, in momentul de fata caut idei pentru un amplificator de frecventa intermediara si de aceea te-am intrebat de intermodulatii.

Sanatate si numai bine!

[VAX]

Daca studiati cu atentie datele de catalog ale acestor tranzistoare, veti observa ca merg si la curent de colector de 25mA, cu factor de zgomot de maxim 1,5dB la frecventa de 1GHz. La frecventa mai joasa factorul de zgomot se reduce. Cu siguranta se pot construi amplificatoare Norton cu tranzistoare SiGe, dar numai pe baza structurii cascoda, nu direct, ca in schemele clasice. Sunt "nervoase", amplifica la frecventa ultrainalta si nu se impaca cu sarcina inductiva (transformator de banda larga, pe miez de ferita) in colector. Oscileaza in UIF si daca le pui in montaj de trasarea caracteristicilor statice. De boala asta sufera si tranzistoarele bipolare pe Si, cele cu Ft de ordinul GHz. In montajul cascoda se linistesc si in plus al doilea tranzistor este necesar pentru polarizarea tranzistorului SiGe la tensiune mica (in intervalul 2-4V) si stabilizata.

Tranzistoarele SiGe au capacitatea colector-emitor destul de mare si nu merg stabil in conexiunea cu baza la masa (n-am vazut scheme de tipul asta). Au constructia optimizata pentru functionarea cu emitorul la masa.

Parerea mea este ca prin utilizarea de antene directive (bara de ferita + antena baston, ca la receptoarele de "vanatoare de vulpi") se reduc mult intermodulatiile.

Studiati dvs daca se poate combina o structura de amplificator Norton, cu etaje cascoda cu tranzistoare SiGe + Si, cu antena pe bara de ferita. Ganditi-va la o schema.

Moda cu amplificatoarele Norton (in general in scheme de banda larga) s-a raspandit din motive de comoditate a lucrului in timpul traficului. Nu mai sunt necesare alte butonari, decat cele ale radioreceptorului. Eu consider ca tot amplificatoarele acordate, cu filtre LC la intrare si iesire, sunt mai bune. Insa trebuie sa stai cu mana pe butonul condensatorului variabil de acord.

[gsabac]

Am cautat mai multe date despre aceste tipuri de tranzistoare si aplicatiile posibile si am constatat ca in profunzime,

acest transistor se trateaza pentru simulare in doua moduri, cu un emitor sau cu 2 emitori.

Schema reala cu un emitor.

Atunci cind se foloseste se realizeaza un subcircuit in care se inglobeaza componentele proprii capsule si dioda

rezultata din considerente constructive.

Modelul diodei:

.MODEL M_Diode_sub D(IS = 4.356E-015 N = 1.02 RS = 0.1 CJO = 4E-014 TNOM = 25)

Modelul cu doi emitori este diferit si schema este mai jos.

In datele de catalog se remarca o constructie bazata pe racirea prin intermediul emitorilor, spre deosebire de

tranzistorii clasici la care racirea se face prin terminalul de colector. In poza sunt si dimensiunile reale, care sunt

miniaturale si necesita pastille si trasee de circa 0,5mm.

Subcircuitul cu 2 terminale este descries mai jos, si este valabil pina la 10GHz.

*BFP420 C B E1 E2
.SUBCKT BFP420 1 2 3 4
*
CBEPAR 22 33 5.592E-014
CBCPAR 22 11 1.143E-013
CCEPAR 11 33 1.596E-013
LB 22 20 7.42E-010
LE 33 30 1.656E-010
LC 11 10 7.7E-010
CBEPCK 20 30 4.741E-014
CBCPCK 20 10 1.135E-015
CCEPCK 10 30 4.48E-014
LBX 20 2 2.339E-010
LEX 30 35 4.189E-011
LCX 10 1 2.243E-010
*
RE1 35 3 1E-03
RE2 35 4 1E-03
RSub 55 33 176.4
*
Diode_sub 55 11 M_Diode_sub
*
Q1 11 22 33 55 M_BFP420
*
.MODEL M_Diode_sub D(
+ IS = 4.356E-015
+ N = 1.02
+ RS = 0.1
+ CJO = 4E-014
+ TNOM = 25)
*
.MODEL M_BFP420 NPN(
+ TNOM = 25
+ IS = 3.753E-017
+ BF = 140.8
+ NF = 0.9996
+ VAF = 59.18
+ IKF = 0.6604
+ ISE = 1E-014
+ NE = 2
+ BR = 13.61
+ NR = 0.9938
+ VAR = 2.685
+ IKR = 0.007013
+ ISC = 3.49E-016
+ NC = 1.5
+ RB = 11.99
+ IRB = 0
+ RBM = 1.521
+ RE = 0.3062
+ RC = 2.152
+ XTB = 0.1187
+ EG = 1.11
+ XTI = 4.162
+ CJE = 5.621E-013
+ VJE = 0.4892
+ MJE = 0.2565
+ TF = 4.83855E-012
+ XTF = 6.245
+ VTF = 10.66
+ ITF = 0.5436
+ PTF = 0
+ CJC = 1.227E-013
+ VJC = 0.8453
+ MJC = 0.6803
+ XCJC = 0.7
+ TR = 4.7E-009
+ CJS = 4.757E-013
+ MJS = 1
+ VJS = 0.5323
+ FC = 0.4148
+ KF = 65.9E-12
+ AF = 2.0)
***************************************************************
*
.ENDS BFP420

Surprinzator este ca acest subcircuit chiar functioneaza, insa reduce performantele modelului ideal pentru BFP420.

Pentru inceput o schema bazata pe subcircuitul cu un emitor, la care s-a reusit simularea.

Pe schema se remarca intrarea si iesirea in 50 de ohmi, liniile de intrare si iesire de la amplificator la sarcina

si mini liniile de cuplaj cu condensatorii, socul si rezistentele. Deasemenea au fost introduce 2 linii echivalente

trecerilor spre conexiunea de masa.

Amplificarea 20dB se obtine linear de la 1,2MHz la 1GHz spre deosebire de simularea ideala care da circa 2Ghz.

Bineinteles ca banda creste spectaculos, daca se reduce amplificarea la 10dB.

Probabil schema cascod va avea performante mai bune.

 

@gsabac

Editat Septembrie 5, 2017 de gsabac

[VAX]

Nu sunt necesare liniile de transmisie la montajul cascoda si nici la amplificatorul simplu cu sarcina acordata (de banda ingusta - circuite LC). Astea sunt aplicatii atipice, care nu au fost prevazute de fabricantii de tranzistoare SiGe. Cand le trasezi caracteristicile statice (cu montaj clasic, cu voltmetre si miliampermetre) trebuie sa fie "calmate" cu condensatoare cip (100pF sunt suficienti) lipite intre terminale (C-E, B-E, B-C), in total trei bucati. Astfel le dispare orice chef sa mai oscileze pe frecventa mare, dar in cc nu le este afectata functionarea.

Cand se construiesc amplificatoare clasice, de exemplu cu emitorul comun, cu sau fara neutrodinare, pericolul oscilatiilor pe frecventa ultrainalta (GHz) este eliminat prin conectarea unui condensator cip intre colector si emitor (colectorul este pus la masa). Acest condensator face parte din circuitul LC din colector. Trebuie sa aiba valoare suficient de mare ca sa suprime oscilatiile in UIF (de minim 10 pF). In paralel cu condensatorul cip se conecteaza si condensatorul trimer cu care se face acordul. Metoda asta suprima doar oscilatiile din afara benzii de trecerea a amplificatorului (gigahertzii), nu si pe cele obisnuite in RF, care se elimina prin metodele cunoscute de la amplificatoarele clasice.

[gsabac]

Ce parere aveti despre rezultatul simularii, asa ca sa facem un dialog nu postari fara legatura ?

Interesant ca la simularea tranzitorie a rezultat o tensiune baza emitor de circa 0,8V specifica tranzistoarelor cu siliciu.

Se vede ca de fapt baza nu este din germaniu ci este un aliaj de siliciu si germaniu de tipul P

si jonctiunile sunt intre siliciu de tipul N++ si SiGe-P, de aici ar rezulta si tensiunea baza emitor de circa 0,8V.

Spre deosebire de tranzistoarele cu siliciu, temperatura maxima admisa pe jonctiuni este de 125 de grade.

Eu am tratat si voi trata ansambluri reale de amplificatoare, care sunt folosite si care impun un anumit stil de constructie

pentru veridicitatea functionarii, de la simplu la complex. Nu ma hazardez sa extrapolez functionarea la circuite pe care

nu le-am testat macar pe simulator. Am o experienta bogata si realizari importante de la sute de KHz la 22GHz.

Voi vedea daca este posibila functionarea si cu circuite cu bobine discrete, tinind bineinteles cont de toate elementele constructive necesare amplificatoarelor, unde un capat de sirma sau trasee de circuit, pot determina autooscilatii.

De fapt aceste autooscilatii sunt imposibil de depistat cu mijloace obisnuite. De exemplu o autooscilatie de 15GHz

si nivel de 100mV, cauzeaza un factor de zgomot foarte mare si amplificari necontrolate la zeci de MHz de exemplu.

 

 

@gsabac

Editat Septembrie 5, 2017 de gsabac

[VAX]

Pentru utilizatorii obisnuiti sunt putin importante detaliile constructive ale tranzistoarelor SiGe. Doar cei avansati tin seama de toate amanuntele. Important este sa stie ca la tranzistoarele obisnuite (Si sau Ge) se poate creste Ft si micsora NF prin reducerea rezistentei intrinseci a bazei, adica prin dopare puternica cu impuritati. Asta duce la reducerea eficientei emitorului, care se masoara in raportul dintre curentul de purtatori majoritari injectat de emitor in baza si cel injectat de baza in emitor. Altfel spus, scade amplificarea in curent (beta). De asta tranzistoarele cu zgomot mic si Ft mare au beta mic si tensiune de strapungere scazuta, pentru ca sunt dopate puternic cu impuritati. De exemplu la tranzistoarele rusesti cu Ge, de RF (GT329, GT341, GT362, etc), cu zgomot mic (cu litera A la sfarsit), au beta redus si tensiuni de strapungere reduse, in timp ce aceleasi tranzistoare, cu beta mai mare (litera B, ...) au zgomot mai mare. Diferenta intre ele este data de rezistivitatea semiconductorului in zona bazei. Sunt facute prin acelasi proces tehnologic si sortate ulterior.

Utilizand materiale cu largimea benzii interzise diferita (mai mica pentru baza) se poate creste doparea bazei fara sa se reduca mult eficienta emitorului. La tranzistoarele SiGe se apeleaza la aliajul cu siliciu si germaniu pentru ca baza este crescuta epitaxial pe cipul de Si si depunerea de Ge n-ar fi potrivita (are alta constanta a retelei cristaline).

 

Pentru depistarea autooscilatiilor de UIF, unde osciloscoapele nu sunt sensibile (poate ca ar merge cele cu esantionare), se poate utiliza un masurator de camp cu detector de banda larga, cu dioda punctiforma de microunde (1N23C) polarizata initial la un curent de cativa uA. Cuplajul se face printr-o bucla (o singura spira) de diamrtru de 4-5 mm legata la detector. Se apropie "antena" (bucla) de circuitul examinat si daca exista oscilatii de UIF se vede pe microampermetrul de la iesire.

O alta metoda ar fi sa masurati curentul consumat de amplificator si sa vedeti daca prin apropierea sau indepartarea mainii de circuitul studiat se pun in evidenta moditicari ale curentului. In caz ca circuitul autooscileaza la frecventa mare, prin apropierea mainii (absorbtia campului electromagnetic introdusa) se modifica regimul de functionare.

Editat Septembrie 5, 2017 de VAX

[gsabac]

De asta s-a realizat baza tranzistoarelor SiGe din Ge dopat puternic, pentru reducerea rezistentei intrinseci a bazei si implicit scaderea factorului de zgomot si cresterea Ft.

Am postat, pentru a completa postarea dvs. cu privire la cum este construita baza unui tranzistor SiGe. Vad ca ati inteles si

ati postat corespunzator. In legatura cu factorul de amplificare, acesti tranzistori au o amplificare mare, BF=84 la BF=160 si RB de 8-12 ohm

identica cu a tranzistorilor NPN de microunde, asta pentru a clarifica valorile tehnologice.

Imi plac ideile expuse pentru depistarea autooscilatiilor de microunde, acestea le folosesc si eu in privat unde nu am un analizor de spectru

pina la 20Ghz. Intradevar dioda 1N23A merge chiar mai sus de 10Ghz cu o montura adecvata. Am folosit astfel de sonde, am depistat ca

montajele autooscileaza, dar nu am gasit nici un indiciu daca este de vina intrarea sau iesirea amplificatorului, de aceea o metoda utila

este folosirea cercurilor de stabilitate, generate cu parametrii S. Pentru BFP420 avem parametrii S de la 10 MHz si am trasat aceste cercuri

pentru 10MHz si 30MHz.

Exteriorul cercurilor prezentate sunt in zona stabila. Concluzia este urmatoarea, instabilitatea ( sau autooscilatiile)

pot proveni atit de la intrare cit si din impedanta de sarcina reactiva. Cu alte cuvinte, punerea colectorului la masa

doar reduce instabilitatea, dar nu o exclude. In plus la montajul cascoda trebuie tinut seama de inductanta capsulei

etajului superior cit si a conexiunilor "bounding"

Acestea sunt la tranzistorul BFR92, LB = 0,3nH, LE = 0,4nH, LC = 5,90nH, valori care reprezinta o reactanta

importanta pentru potentialul de instabilitate. In plus datorita capacitatilor parazite ale conexiunilor si tranzistoarelor,

se formeaza un circuit rezonant paralel in colectoarul lui BFP420.

Vom vedea pe simularea cascodei ce se obtine.

 

@gsabac

Editat Septembrie 5, 2017 de gsabac

[gsabac]

Inainte de studiul cascodei propusa de @VAX sa studiem citeva caracteristici ale liniilor de transmisiune microstrip,

impedanta caracteristica, constanta dielectrica efectiva si timpul de propagare, valori necesare pentru simulari cu LTspice,

unde linia microstrip poate fi definita prin relatia: Td=0.01nS Z0=90, unde Td este timpul de intirziere iar Z0 impedanta caracteristica.

Impedanta caracteristica a unei linii microstrip se calculeaza cu relatii aproximativ complexe sau cu diverse programe ca in poza, pentru 90 de ohmi, necesari la conectarea tranzistorilor si condensatorilor SMD.

Cu valoarea de 90 de ohmi aleasa, rezulta o latime optima a microstripului pentru lipirea terminalelor.

Pentru intrare si iesire se foloseste impedanta de 50 ohmi, necesara pentru mufele de adaptare si masuratori.

Pentru calculul timpului de intirziere am folosit relatiile din poze si rezulta 6,25nS/metru pentru 50 ohmi si 6nS/metru pentru 90 de ohmi.

Deci pentru circa 1 mm de linie microstrip de 90 ohmi se obtine o intirziere de 0,006 nS si pentru 100mm de linie de 50 ohmi intirzierea este de 0,625nS.

Acete tipuri de linii vor fi introduse in circuitul de simulare, bineinteles alaturi de elementele parazite.

 

@gsabac

 

 

 

 

[VAX]

Va prezint in continuare cateva scheme de amplificatoare neutrodinate, luate de pe net (material didactic), dupa care urmeaza schema adaptata la amplificatorul cu SiGe.

 

 

 

 

 

 

Schema cu SiGe:

 

 

Condensatul C5 este de tip chip si este lipit pe cablaj intre colectorul si emitorul tranzistorului cu SiGe. Valoarea lui se determina experimental. Se alege valoarea minima care suprima oscilatiile de UIF. La frecventa ultrainalta se comporta ca un scurtcircuit intre colectorul si emitorul tranzistorului.

In cazul in care oscilatiile se mentin, ca aurmare a ce a spus domnul gsabac, se poate "incatusa" (in RF) tranzistorul si cu un condensator chip legat intre baza si emitor, ca in schema urmatoare (exemplu - varianta clasica).

 

 

C3 si C6 sunt condensatoarele chip care se lipesc langa tranzistor. Ultimul montaj are dezavantajul ca apare o rezonanta parazita la frecvente joase, de la circuitele oscilante alcatuite cu droselele Dr1 si Dr2 si capacitatile din montaj. Este dat doar ca exemplu de eliminare a oscilatiilor din domeniul UIF. Schema se poate imbunatati.

 

Tranzistorul Q2 are rol doar la polarizarea tranzistorului SiGe, functioneaza in curent continuu. Poate fi de orice tip de joasa frecventa, cu beta peste 100. Recomand BC-uri cu beta mare si zgomot mic.

Editat Septembrie 6, 2017 de VAX

[gsabac]

Frumoasa postare si un remember interesant despre amplificatoarele de RF cu tranzistoarele din vremea noastra.

Prima schema cu transistor SiGe imi face cu ochiul, mai ales daca va avea o infasurare pentru intrarea de 50 ohm

si iesirea adaptata in 50 ohm. O problema ar fi ca neutrodinarea va depinde de sarcina si eventualul condensator trimer

va trebui sa fie mult sub 1pF, deci o rezolvare tehnica problematica, dar pentru o schema sau o simulare merge orice.

Pentru alimentare eu as pune un LM78L05 care este si in capsula SMD SOIC-8 dar si toate bobinele SMD.

 

@gsabac

[VAX]

Trimer cu capacitate mica puteti sa improvizati din doua sarme izolate, rasucite putin. Nu este nevoie de neutrodinare in benzile de unde scurte. Cred ca este necesara la frecvente mai mari de 100 MHz. Trebuie vazut practic cum sta treaba. Se proiecteaza cablajul ca pentru circuitul cu neutrodinare si nu se monteaza condensatorul respectiv, decat daca este necesar.

 

Eu am construit (in anii '80) multe amplificatoare neutrodinate, pentru canalul 10 CCIR, televiziunea sarbeasca. Erau cu BF256 in conexiune cu sursa la masa si cu neutrodinare cu inductanta conectata intre drena si poarta tranzistorului, cu izolare galvanica prin condensator inseriat, de 470pF. Curentul injectat prin bobina (nu mai tin minte numarul de spire, dar erau multe, peste 10 - diametrul bobinei 3-4 mm) in poarta tranzistorului era in antifaza cu cel injectat prin capacitatea interna drena-poarta si il anula. Neutrodinarea era de banda ingusta, Reglajul se facea prin deformarea bobinei, trageam de ea, indepartam spirele cu o surubelnita din plastic.

Acel montaj asigura cel mai mic factor de zgomot, era superior montajului cu JFET cu poarta la masa. Neutrodinare capacitiva (montaj punte) n-am incercat.

Cei care vor sa citeasca ceva interesant despre circuitele de neutrodinare, sa cumpere de la anticariat cartea S.M. FLEISER - Noutati in tehnica radioreceptoarelor cu tuburi electronice - 1963. Are o pagina sau doua dedicata acestor circuite. Surse de informare sunt multe si pe net, dar trebuie sa le caute cei interesati ("neutralized RF amplifier").

Amplificatoarele cu sursa comuna (emitorul comun) neutrodinate au amplificarea maxima pe etaj si au factorul de zgomot minim, sunt superioare cascodelor, in privinta zgomotului. Cascodele au de fapt zgomot destul de mare (de la doua tranzistoare), dar au amplificarea mare si sunt stabile. Chiar si amplificatoarele cu MOSFET tetroda (BF960, 961, 964, 998), etc), care sunt construite pentru amplificatoare cascoda, sunt mai zgomotoase decat amplificatoarele cu un singur tranzistor. Au zgomotul mic pentru ca cele doua tranzistoare din interior (inseriate) au transconductanta mare si factor de zgomot mic.

[gsabac]

Am finisat amplificatorul cu transistor SiGe si BJT cu siliciu, propus de @VAX in postarea #1.

Bineinteles ca am tehnologizat schema, am introdus elementele parazite de circuit si am folosit surse stabilizate.

Tranzistorul SiGe este BFP420 iar tranzistorul NPN BFR92 (BFR90 in capsula SMD).

Curbele rezultate din simulare indica o crestere a benzii de frecventa la peste 2000MHz si o amplificare globala

putin peste 20 dB. Toate curbele sunt obtinute cu generator de 50 ohmi si sarcina de 50 ohmi.

Se remarca rezonanta parazita la jonctiunea celor 2 tranzistori care se reflecta si la intrare.

Primul rezultat este promitator ca amplificare,

In privinta zgomotului, nu se pot face calcule cantitative sub 900 MHz,

deoarece Siemens nu a publicat caracteristicile generatorului optim de zgomot sub aceasta frecventa.

Schema nu are intrarea sau iesirea adaptata la nici o frecventa, dar zgomotul se poate aprecia ca pentru generatorul

de intrare rezistiv de 50 ohmi care este cu putin mai mare decit zgomotul minim.

! F NFmin Gammaopt rn/50

! GHz dB MAG ANG

900 0.66 0.21 31 0.15

1800 1.05 0.09 93 0.13

2400 1.14 0.14 119 0.13

3000 1.24 0.17 165 0.11

4000 1.41 0.31 -145 0.12

5000 1.85 0.38 -119 0.21

6000 2.30 0.45 -101 0.36

La frecvente mai joase de 900MHz zgomotul este mai mic, dar nu cu mult sub 0,66dB.

Variante utilizate in aparatura profesionala ale acestei scheme sunt configuratiile SiGe-PNP (BFP420-BFT92)

si amplificator diferential de banda larga 2xBFP420 si 2*BFT92.

 

@gsabac

Editat Septembrie 7, 2017 de gsabac

[VAX]

Ce program de simulare ati folosit ? Nu puteti sa incercati si cu alte BFP-uri, cu zgomot mai mic ? Trebuie sa tineti seama si de capacitatea de la intrarea etajului urmaror (sarcina).

 

Eu am propus realizarea cascodei cu SiGe mai mult la frecvente joase (aplicatie neuzuala, montaj experimental). Nu oscileaza cu legaturi scurte intre tranzistoare (maxim 3mm - in total), am verificat . Intr-un datasheet mai vechi se dadeau curbe (punctate, extrapolate) pentru amplificare si zgomot pana la frecventa de 50 MHz. Zgomotul minim era de 0,5dB, la Ic < 1 mA. Nu are nici un motiv sa nu mearga si mai jos, chiar in audio. De fapt in audio am verifica structura cascoda, in urma cu 10 ani. Singura problema este cu posibilele oscilatii la frecventa foarte mare, care se elimina prin metodele deja discutate. Chiar si BFR-urile (Ft=5GHz) sau alte franzistoare de UIF pot sa intre in oscilatie daca montajul nu este realizat corect.

 

 

Mariti tensiunea colector-emitor la BFR pana la 8-10V. Iar curentul sa fie de 15mA, valoare la care merge cu distorsiuni de intermodulatie reduse. Incercati cu toata gama de curenti si tensiuni, sa vedeti daca se mentine tendinta la oscilatii.

Alta intrebare ar fi, cata incredere aveti in simularile astea ? Eu lucrez numai cu Circuit Maker (program mai mult de uz didactic) si practic stabilesc regimul de curent continuu, polarizarea corecta a tranzistoarelor. Simularea cu CM nu mi se pare ceva foarte serios. Am exportat fisierul SPICE realizat cu CM, l-am rulat cu B2Spice si a dat la fel. Problema cea mai mare este cu modelele pentru componente.

Editat Septembrie 7, 2017 de VAX

[gsabac]

Programul este al unei firme prestigioase Linear Technologies Corporation, modelele sunt originale luate de la Philips si Siemens,

deci ceva erori pot proveni doar din nepriceperea mea. Totusi sunt realizate si studii serioase care se bazeaza pe simulari.

Cind ajung acasa pe la inceputul lunii noiembrie am pe un calculator programele MMICAD de la Optotek si Serenade de la ANSOFT

si pot face simulari mai avansate.

Am sute de fisiere cu tranzistori SiGe si toate au date de zgomot la peste 450MHz, deoarece acesta este domeniul de folosire.

Totusi aceste tranzistoare sunt de uz general si sunt modele mult mai bune si la acelasi pret.

De exemplu ATF-551M4 tip E-pHEMT cu Ga-As costa 6lei la Mouser si are un zgomot de 0,26dB la 1000MHz.

! Freq FMIN GAMMA OPT Rn @
! (GHz) (dB) Mag Ang 50 Ohm
0.5 0.23 0.65 -4.3 0.14
0.9 0.24 0.58 7.4 0.13
1.0 0.26 0.54 10.7 0.13
1.9 0.43 0.50 36.2 0.11
2.0 0.38 0.48 40.4 0.12
2.4 0.43 0.44 49.8 0.11
3.0 0.51 0.36 69.2 0.10
3.9 0.59 0.31 99.4 0.08
5.0 0.70 0.32 139.3 0.06
5.8 0.85 0.35 160.3 0.05
6.0 0.86 0.35 162.3 0.05
7.0 0.98 0.36 -173.7 0.06
8.0 1.09 0.41 -158.6 0.07
9.0 1.23 0.45 -143.7 0.09
10.0 1.45 0.44 -126.8 0.15

Dar cum topicul este despre SiGe sa analizam in continuare aceste tranzistoare in diverse configuratii inedite.

 

Spor !

 

@gsabac

[VAX]

Tranzistoarele cu GaAs sunt zgomotoase la frecvente mici (sub 100MHz), asa am citit despre ele. Nu am lucrat decat cu SiGe (bugetul mic) luate in urma cu peste 10 ani de la Metrafo din Oradea. Am mai construit amplicatoare cu tranzistoare rusesti de UIF (GT329A, GT341B, KT371A), in afara de clasicele BFR-uri si BF-uri. Cu MOSFET-uri tetroda (BF960, etc) am experimentat in anii '80, cand construiam amplificatoare de antena. Mi s-au parut de nivelul lui BF200, in privinta zgomotului. Am multe MOSFET-uri din astea, dar sunt de la un magazin dubios (cu preturi mici, intre 1 si 1,5 lei/bucata, aproape jumatate din ele au fost defecte - peste 80 de bucati).

Dintre JFET-uri am folosit mult BF256 si BF245 (IPRS), 2N4091,2,3, 2N4416, BFW10,11, si alte cateva tipuri devenite clasice. In RF (canalul 10 TV CCIR) am testat si MOSFET-ul ROS-02 (sursa comuna, neutrodinat), care amplifica, dar nu grozav. Cu tranzistoarele mai vechi, cu tehnologie MESA, cum ar fi AF139, AF239 lucrat si mi s-au parut bune. Mai am cateva si acum.

 

Parca n-as crede ca occidentalii sunt asa de tampiti incat sa ne dea gratis instrumente de simulare atat de puternice. Probabil ca softurile ajunse la noi, chiar cele luate pe bani multi, nu sunt cele adevarate, cu care se lucreaza la firmele mari. Baiatul meu a lucrat la Intel in Bucuresti si i-au dat un laptop cu Windows pe el, dar diferit de Windows-ul de pe calculatoarele noastre. Era numai pentru comunicare securizata prin email si trebuia sa il tina inchis la loc sigur (asa i-au cerut). Nici nu l-a luat acasa, l-a tinut tot timpul in dulapul de la serviciu. Acum e in SUA, la Google, si lucreaza pe un fel de Linux facut special de cei de acolo. A trebuit sa invete programele cu care se lucreaza acolo.

Editat Septembrie 8, 2017 de VAX