mosfet n channel cu id maxim oarecum constant ...mit sau fantezie ?

[misuraelectronic]

acest topic se vrea o continuare pentru topicul cu 2sk3850 . am ramas dator cu un raspuns , insa pina am apucat sa pritocesc tot ceea ce am avut de spus , m-am trezit ca mi-a aparut mesajul TOPIC IS LOCKED . asadar si prin urmare ...

am studiat si eu cele 14 diagrame din datasheet . este perfect adevarat ca rds -ul creste cu temperatura . este si mai adevarat ca , teoretic vorbind , id max @100 sau 110 grade trebuie sa fie strict mai mic decit id max @25 de grade . totusi , firma st microelectronics nu furnizeaza in nici o diagrama variatia id max = f [ Temp ] , iar singura informatie oferita sint cele 2 valori din tabel . recunosc ca acel 1 scris mic am omis sa-l bag in seama ... deci am fost superficial ... oarecum .

totusi , a doua oara trag nadejde ca va fi totul ok ...

http://www.kynix.com/uploadfiles/pdf8798/SPB80N06S2L-07.pdf

de data aceasta , avem o diagrama CLARA id max = f { Temp }, ANUME DIAGRAMA NR 2 , unde se poate citi clar cum ca ID max = constant , in intervalul 0 grade celsius ...110 grade celsius . diagrama 2 nu e inventata de mine , ci este editata , postata si asumata de firma SIEMENS / INFINEON , GERMANY .

acum ce mai aveti de comentat ?

daca eu , om cu facultate , considerati ca sint atit de timpit incit sa nu stiu sa citesc o diagrama , atunci de colectivul de ingineri nemti de la siemens / infineon ce parere mai aveti , stimati tovarasi ?

Editat August 19, 2017 de misuraelectronic

[UDAR]

Domnule coleg , poate nu ar trebui să-ți mai răspund .

Totuși mi-e milă de dumneata cum te zbați cu o perseverență demnă de o cauză mai nobilă .

Este fix același lucu ca în cazul precedent și scrie clar :

 

1Current limited by bondwire ; with an RthJC = 0.7K/W the chip is able to carry ID= 121A at 25°C, for detailed

information see app.-note ANPS071E available at www.infineon.com/optimos

Marcarea cu roșu îmi aparține .

Hai să-ți explic . Avem o rezistență de 10Ω care poate ( după datasheet ) disipa o putere de 10W la 70°C și de 2,5W la 150°C. Asta înseamnă că rezistența aia poate suporta 1A la 70°C și 0.5A la 150°C. Dacă firele de legătura ale rezistenței ( parte componentă a acesteia ) pot suporta doar 0.5A ce curent voi spune eu , ca producător, că suportă rezistența aia la 70°C ? Evident , 0.5A .

Toate , repet și insist toate MOSFET-urile ( și alte tranzistoare de altfel dar să nu amestecăm subiectele ) au un curent maxim admisibil ( așa cum este el definit în DS ) care scade cu temperatura . Mă refer aici la pastila de siliciu . La tranzistoarele de putere foarte mare încapsulate în capsule relativ mici (TO220 , TO251, TO 252, etc ) firele de legătură sau alte elemente de pe traseul curentului pot să limiteze la o valoare mai mică decât poate duce siliciul . Unele DS menționează ambii curenți ( limitat de siliciu și limitat de capsulă ) , altele, mai pragmatice, indică doar valoarea cea mai mică pentru că doar pe aia mă pot baza în exploatare.

Această teorie este aplicabilă doar în cazul unor tranzistoare cu o putere virtuală mult mai mare decât poate duce capsula. Spun virtuală pentru că nici puterea disipată maximă indicată pentru aceste tranzistoare nu poate fi atinsă practic .

La tranzistorul din discuția noastră și la majoritatea tranzistoarelor de altfel curentul este limitat de siliciu .

Eu m-am străduit , dacă nu a fost suficient - îmi pare rău. Chiar nu mai revin .

[sesebe]

Același tranzistor (pastila de siliciu) poate fi incapsulat în mai multe tipuri de capsule sau, la cerere, poate fi livrat chiar și fără capsula pt a fi integrat direct pe PCB-uri ceramice (în integrate hibride spre exemplu dar nu numai).

Limitarea pastilei tranzistorului este una iar limitarea capsulei este alta.

De multe ori limitarea finala este data de siliciu dar sint cazuri (ca cele amintite de @misuraelectronic) cind limitarea este data de capsula.

Ar fi bine sa nu amestecam merele cu perele.

Editat August 19, 2017 de sesebe

[gsabac]

Aceasta este diagrama 2 din pdf.

Dupa cum se vede intre 0 si 110 grade Celsius curentul este limitat de producator din diverse motive,

asa cum au precizat si predecesorii.

- capsula nu duce mai mult, mai ales terminalele sudate pe pastila de siliciu;

- jonctiunile nu pot suporta mai mult curent, se forteaza microzone supraincalzite in jonctiuni;

Poate sunt si alte considerente, dar si dupa mine este o limitare impusa de producator pentru

a se asigura o fiabilitate maxima tranzistorului si nu o variatie constanta a curentului maxim de drena

cu temperatura, adica de a fi chiar generator de curent constant?

Dupa cum se vede in toate curbele, toti parametrii oricarui transistor sunt variabili cu temperatura,

secretul ingineriei este sa folosesti optim dispozitivul pentru obtinerea performantelor dorite.

 

@gsabac

Editat August 19, 2017 de gsabac