Sari la conținut
ELFORUM - Forumul electronistilor

SMPS 1 Kw pentru amplificator


Postări Recomandate

Vizitator

Marian s-a gindit ca masa de la montaj, este separata de retea prin traful mic ce alimenteaza parte de driver si PWM cu 12 sau 15V.

 

Si eu era sa o comit odata...

La mine OSC-ul si generatorul Tektronix, NU au impamintare dar sint atent pe unde pun degetele.

 

NU recomand asta, doar daca stiti ce faceti mai departe, (sa renuntati la impamintare), ma refer la colegii incepatori, oricum daca pui degetul pe partile LIVE ale SMPS, tot ti-o iei...

Editat de Vizitator
Link spre comentariu

Multumesc Leco dar am comis-o si mi-o asum, asa e cand te grabesti si vorbeste gura fara tine :rade:

Deci cu HV activ trebui traf separator la alimentarea sursei.

In cel mai rau caz 2 trafuri de retea identice legate secundar la secundar si fazate corespunzator, fac un bun traf separator.

 

Link spre comentariu
Vizitator

Exact, macar pentru perioada de probe.

 

Si eu am comis-o cindva, pe la inceputuri cind am pus mina pe OSC intiia oara, intii legasem sonda si apoi am bagat in priza si BOOM, a sarit siguranta automata.

 

Citeva secunde m-am simtit ca cel din GRESEALA ISTETILOR din revista START SPRE VIITOR si asta dupa ce am verificat de 3 ori ochiometric legaturile... :)

 

Entuziasmul de atunci m-a facut sa omit ca puntea redresoare NU separa si reteaua... :)

 

De atunci am renuntat la impamintare pentru OSC.

Link spre comentariu

Mai baieti, Marian, Leco, " Nu v-ati plictisit sa tot explicati de 10 ani aceleasi chestii legate de IR2110 ??? "  ...  ):   

...

Ma asteptam ca sa dispara acest lant ciclic la 3-4 ani ... si colegii de pe forum sa prinda schema de comanda cu IR2110. Protectiile sunt ceva delicat si acolo e de bibilit.

...

Sunt note de aplicatie ale lui IR2110 scrise , chiar exista si calculul condensatorului boostrap, care de obicei e nepolarizat. Depinde de capacitatea tranzistorului si frecventa de lucru.

Acea dioda e clar una rapida de minim 2A, scrie prin fisele tehnice ce tip sa fie si de ce. In serie cu dioda se pune cateodata o rezistenta de cativa ohmi ca sa limiteze curentul de incarcare.

Pe comanda de asemenea nu se lasa asa chior la descarcare, adica doar dioda aia inversa paralel pe rezistenta de comanda.

Se mai pune spre masa o rezistenta de 4-10k de la Poarta la Sursa sa protejeze tranzistorul.

Acele diode zener de 18V tot asa de protectie pe Poarta....

...

Scrieti in google:  IR2110 application Note

O sa gasiti o fisa care acum e sub firma Infineon : AN-978 RevD creata de International Rectifier www.IRF.com 

Este un pdf cu 30 pagini. Cititi cu atentie si vi se explica cum sa calculati circuitul.

...

link-ul acesta e spre o zona de documentatie de unde aveti ce invata. Cei de la Texas Instruments au scris cam tot ce se putea despre surse in comutatie si tranzistoare inca de pe vremea cand eu nu ma nascusem....

http://www.ti.com/sitesearch/docs/universalsearch.tsp?searchTerm=igbt vs mosfet#q=igbt vs mosfet&t=everything&numberOfResults=100&linkId=1

Editat de andreigradu
Link spre comentariu

De acord, combinatia SG+IR este de regula destul de simpla, mai ales daca nu-i cu stabilizare, totusi:

 

8 hours ago, andreigradu said:

chiar exista si calculul condensatorului boostrap, care de obicei e nepolarizat

Smilex a tot scris cam tot strictul necesar despre teoria SMPS, deci si condul de bootstrap.

Pot fi folositi si electrolitici acolo, desi prea mult nu ajuta, prezenta lor este absolut necesara pe filtrarea sursei de alimentare a partii de comanda, adica daca ai un 7812 cu care alimentezi tot, atunci dupa el este neaparat nevoie de un electrolitic de macar cateva zeci de uF care sa actioneze pe post de rezervor de energie si sa ajute pe 7812 la stabilitate.

Pe bootstrap si LO sunt necesari ceramici sau alt tip de conzi cu ESR si ESL mici, si valorile mari sunt de evitat ( mai multi uF ) pentru ca ai nevoie de o impedanta cat mai mica a decuplarii ce-o fac la frecventa de lucru, si cu cat capacitatea e mai mare, cu atat mai mare e si impedanta la o frecventa data.

Unele pdf-uri ofera grafice cu impedantele care fac foarte usoara selectia.

Scopul condului de boostrap ( la fel ca cel al celui de pe LO ) este sa suporte varful de curent tras de comanda tranzistorului/tranzistorilor.

Tot Smilex spunea ca in principiu o capacitate cam de pana la 100 de ori mai mare decat Ciss-ul total este deajuns.

 

8 hours ago, andreigradu said:

Acea dioda e clar una rapida de minim 2A, scrie prin fisele tehnice ce tip sa fie si de ce. In serie cu dioda se pune cateodata o rezistenta de cativa ohmi ca sa limiteze curentul de incarcare.

De unde cifra aia de minim 2A?
Ai masurat vreodata consumul mediu prin acea dioda ( varfurile sunt suportate de condul de dupa ea )?

Daca ai mai mult de cateva zeci de mA atunci ai o problema. 

Doar varfurile trase de comanda mosfetilor/igbt sunt mari, dar alea sunt asigurate de condensatorul de bootstrap, curentul mediu ( cc-ul ) este foarte mic.

Acea incarcare despre care vorbesti are loc doar la regimul tranzitoriu de la pornire, si pe o perioada foarte scurta, suporta atunci dioda un varf destul de mare insa pe un timp foarte scurt. Cu o dimensionare corespunzatoare a condului de bootstrap in timpul functionarii normale, dioda doar metine condul incarcat, nu-l incarca mereu de la 0 pentru ca nu se descarca mereu pana la zero, nici macar la umplere mica.

Problema la dioda de bootstrap nu-i curentul, din contra si 4148 e arhisuficienta daca ar indeplini conditia tensiunii, si aici e baiul, esential este ca dioda sa fie rapida sau ultrarapida si la o tensiune suficient de mare pentru schema la care este pusa. UF4007 este ieftina, usor de gasit si indeplineste cu rezerve generoase toate conditiile.

 

8 hours ago, andreigradu said:

Se mai pune spre masa o rezistenta de 4-10k de la Poarta la Sursa sa protejeze tranzistorul.

Protectie fata de ce?

Cu 10k poarta-sursa, un Ciss de 3n este descarcat de la 12V la 0V in 30uS ( de fapt mult mai mult deoarece descarcarea e logaritmica ), deci rezistenta aia in functionare normala e fix pix. Iar in caz de avarie... pai driverul n-are nici un motiv sa se defecteze inaintea tranzistorului, din contra de regula se defecteaza datorita pocnirii mosfetului/igbt, situatie in care rezistenta aia e din nou fix pix. 

 

8 hours ago, andreigradu said:

Acele diode zener de 18V tot asa de protectie pe Poarta....

Daca alimentarea driverului este stabilizata atunci zenerele sunt de umplutura.

 

M-am lungit mai mult decat vroiam...:rade:

Editat de Marian
Link spre comentariu

Nu zic eu, o zic fisele de aplicatii, si zic ca e bine ca cei noi in domeniu sa citeasca cu mare atentie . Eu nu am vorbit de alimentare. Ma gandesc ca e elementara si ca a pus fiecare conform fisei tehnice LM7812 condensatoare electrolitice de minim 1000uF/25V plus ceramic 100nF/50V pe intrare si iesire. Asta se presupune asimilata deja...

....

Condensatorul ala de 10-20uF plus ceramic pus local pe pinii IR2110 e pe zona de LowSide.

...

Eu am zis de condensatorul Boostrap pe care il tot promoveaza lumea la valori de 10uF - 22uF... Vezi si schema in discutie in cazul nostru concret.

Ar trebui sa fie un 470nF, sau dupa ce faceti calculele puteti pune 2-3 condensatoare in paralel in caz ca nu se gaseste valoarea.

 

....

AN-978 RevD  ---  pag 5 si pag 6 ...

( " The voltage seen by the bootstrap capacitor is the V CC supply only. Its capacitance is determined
by the following constraints:
1. Gate voltage required to enhance MGT
2. I QBS - quiescent current for the high-side driver circuitry
3. Currents within the level shifter of the control IC
4. MGT gate-source forward leakage current
5. Bootstrap capacitor leakage current

-----

Factor 5 is only relevant if the bootstrap capacitor is an electrolytic capacitor, and can be ignored
if other types of capacitor are used. Therefore it is always better to use a non-electrolytic
capacitor if possible. For more detailed information on bootstrap component selection see DT98-2a  “ Bootstrap Component Selection for Control IC’s .” ... "   )

.....

P.S.

Rezistenta aceea de 4K pana la 10K pusa intre poarta si sursa e pentru protectie, dar bine inteles ca nu e nevoie de ea..... ca noi romanii am reinventat tranzistorul mos..

Dioda aceea zene 1.5ke18ca, pusa tot intre poarta si sursa e inutila, din aceleasi motive:  ca noi romanii am inventat electronica....

( " Cate invertoare functionale dovedite cu poze sunt realizare de colegii de pe forum??? Nu cele cumparate ca si cablaj cu schema gata. Ma refer la lucrul acasa facut de pasionati... ???... " )

 

Editat de andreigradu
Link spre comentariu

Revin cu intrebarea:
Cum explici necesitatea imperioasa ca dioda de bootstrap sa fie de minim 2A?

Daca nu ai propriile tale argumente atunci e mai productiv sa nu insisti.

 

4 hours ago, andreigradu said:

LM7812 condensatoare electrolitice de minim 1000uF/25V plus ceramic 100nF/50V pe intrare si iesire.

Hai ca pe intrare as intelege 1000u daca nu mai ai alt electrolitic dupa punte, dar pe iesirea 7812 minim 1000u este enorm si imposibil de justificat.

Arati ca nu intelegi nici 7812 si nici configuratia asta de semipunte.

Rolul electroliticului de pe iesirea 7812 este sa asigure stabilitatea acestuia, cu cateva zeci de uF acest criteriu se indeplineste fara stres.

Nu ai ce sa cauti cu valori asa mari acolo pentru ca nu ai riplu pe iesirea regulatorului, deci nu ai ce sa filtrezi.

Tot condul ala trebui sa actioneze ca un rezervor local de energie, daca este dublat de inca un electrolitic pus pe LO atunci rolul condului de pe iesirea 7812 ramane doar de sarcina capacitiva pe regulator pentru stabilitate, maxim 100uF este arhisuficient acolo, iar pe LO mai mult de 10uF n-ai nici un motiv sa pui.

Este important ca pe LO capacitatea totala sa fie mai mare ( semnificativ mai mare ) decat pe HO pentru ca din ea se incarca HO.

 

4 hours ago, andreigradu said:

Ar trebui sa fie un 470nF

Din nou dai o valoare concreta fara pic de context ( la fel ca dioda de bootstrap ).

De unde cei 470n? Cum ii explici? Si sunt universal valabili sau cum?

 

4 hours ago, andreigradu said:

Rezistenta aceea de 4K pana la 10K pusa intre poarta si sursa e pentru protectie

Protectie fata de ce??

Te-am intrebat si anterior dar in loc sa-mi raspunzi imi dai o replica sarcastica.

 

4 hours ago, andreigradu said:

Dioda aceea zene 1.5ke18ca, pusa tot intre poarta si sursa

Corectie:

DIoda invocata e transil, NU zener!
Sigur, principiul lor este asemanator, insa nu-s acelasi lucru.

Apoi, protejeaza fata de ce?

Care sunt circumstantele daunatoare care ar trebui combatute cu acea dioda transil?

 

Motivul pentru care ma leg de afirmatiile tale este ca postezi recomandari explicite fara sa ai argumente proprii, si fara pic de context.

 

4 hours ago, andreigradu said:

Cate invertoare functionale dovedite cu poze sunt realizare de colegii de pe forum???

Hai sa nu insultam la gramada toti membrii elforum, ca se pot lua si masuri administrative!

 

Care invertoare? Aici discutam despre un convertor semipunte...

Si din astea sunt totusi destule expuse pe aici pe forum si executate 100% de membrii elforum.

Vrei sa enumar din ele?

Pai ai vazut poze cu sursele lui Leco?
Ai vazut sursa full bridge a lui Mircea Crisan?

Ai vazut poze cu semipuntea mea de la vanzare?

Dar semipuntea mea de 1500W? ( stiu nu e si facuta dar schema e gata si deja testata ).

Ai vazut realizarile lui Maxente?

Dar pe @FRobert?

Dar sursa lui @Akos?


Si mai sunt multe exemple si le prezint scuzele mele celor pe care i-am omis.

Editat de Marian
Link spre comentariu

Rezistenta dintre poarta si sursa se pune pentru a corecta un cablaj prost rutat cu trasee lungi de poarta. Se evita astfel inductii parazite care vor trozni mosii. IGBT- urile sunt mai insensibe. FPoate ca are dreptate cand spune ca sunt de protectie dar ....        

Editat de Mircea Crisan
Link spre comentariu
4 hours ago, The_Reaper said:

Am testat sursa,   fara sarcina am 158v, cu sarcina de 24 ohmi aprox 115v.Traful este etd 49 bobinat cu 5 fire de 0.6 in paralel.

Mi se pare cam mare caderea de tensiune, sa fie sarma prea putina, sa merg cu o densitate de curent mai mica??

Vezi ca tensiunea aia din secundar te insala din mai multe motive. Poti avea ciocuri la comutarea mosfetilor pentru ca sursa e hard sw, poate e nevoie de snuber-e la mosfeti si primarul trafului, trebuie verificat cu osciloscopul.

E posibil sa ai izolatia slaba a infasurarilor cand ai bobinat primarul si secundarul si apar capacitati parazite intre infasurari.

Tensiunea din secundar o masori, cel mai bine, cu osciloscopul pus direct pe infasurare.

Link spre comentariu

Creează un cont sau autentifică-te pentru a adăuga comentariu

Trebuie să fi un membru pentru a putea lăsa un comentariu.

Creează un cont

Înregistrează-te pentru un nou cont în comunitatea nostră. Este simplu!

Înregistrează un nou cont

Autentificare

Ai deja un cont? Autentifică-te aici.

Autentifică-te acum
×
×
  • Creează nouă...

Informații Importante

Am plasat cookie-uri pe dispozitivul tău pentru a îmbunătății navigarea pe acest site. Poți modifica setările cookie, altfel considerăm că ești de acord să continui.Termeni de Utilizare si Ghidări