Echivalent driver FAN7387 ,sursa Crown XLS

[Marian]

Pe bune Leco? Adica de fiecare data cand cineva te contrazice, simti nevoia sa revii la vechea ta competitie puerila intre ce ai facut tu versus restul? Chiar n-ai si tu argumentele tale de apelezi la tampeniile astea? Incep sa o iau si eu ca Maxente, in ideea ca simti nevoia sa te promovezi peste tot... In fine, n-are sens sa continui.

 

Analizam putin o eventuala inlocuire a FAN cu 2153 si nu prea o vad aplicabila, oscilatoarele sunt diferite, 2153 nu are acel control al timpului mort, posibil ca sursa asta sa se foloseasca de el in vreun fel, si sa te apuci sa faci un paianjen acolo cu pini inversati nu cred ca are sens... In caz ca achizitionarea de la magazine mai mari din afara nu este o varianta atunci incearca cu un anunt la cumparari, poate ai noroc.

[Vizitator]

Eu am spus ce am avut de spus.Vorbesc prin prisma practica aplicata cu rezultate.Apropos de IR 2153, are onchip deadtime factory set la circa 1,2 uSec.Ai cumva idee la o sursa ZCS ca aceasta ce influenta ar avea un deadtime de 200nSec la 70 kHz?Dar unul de 1,2 uSec.Vezi ca in teorie "nu scrie"!Trebuie ajustat in functie de inductanta de scapari a trafo, etc.Pacat ca nu ai experimentat o sursa ZCS, si te-ai "limitat" la IR2153 si schema din datasheet...Esti atit de sigur ca nu se poate "adapta" IR2153 aici?Dar da raspunsul TU, nu astepta interventiavlui Miticamy, Smilex, Udar...Spor la treaba!

[Marian]

Cine dracu a zis ca m-am limitat in vreun fel la IR2153? Termina naibii cu insinuarile ca ma calci pe nervi!

Ai inceput prin a propovadui ca integratul asta nu este conceput pentru IGBT-uri si ca inginerii au gresit cand l-au folosit, si ai ajuns la o analiza a experimentelor tale cu sursele rezonante... Adica manipulare tipica marca Leco, adica asa cum spuneam , ai o nevoie patologica de a te autopromova. Refuz sa-ti mai dau satisfactie si-ti voi ignora interventiile, si voi raspunde doar daca am ceva de zis la subiect.

[iop95]

E foarte adevarat ca fiecare volt conteaza pentru o comanda "buna"; adica: din ecuatia simplificata a curentului de grila ig=Cg*delta Vg/ deta t se vede ca acest curent creste cu diferenta de tensiune Vg ce apare in perioada respectiva, cu capacitatea agregata a grilei Cg si invers proportionala cu timpul de comutare. Daca ne uitam la tensiunea Vg dinspre driver se poate scrie Vg=Vd-Rg*ig, considerand Vd (teniunea data de driver) constanta (sursa ideala...) avem Vg diminuata de caderea de tensiune pe Rg, care este foarte mare in primele momente deoarece condensatorul Cg se comporta ca un scurt circuit... astfel ca Vg creste pe masura ce se incarca Cg; de aici se vede importanta impendatei cat mai mici a driverului Vd si frecventa de lucru; cu cat frecventa creste, avem un timp tot mai mic de a incarca acel condensator Cg, adica e nevoie de un curent tot mai mare pentru a face asta.

Din perspectiva practica, mai ales la frecvente mari, fiecare 10mV conteaza.

Un exemplu ar fi mai concludent; pentru un IGBT comandat cu 15V, cu Cg de 4nF si timp de comutare ton de 20ns, avem nevoie de un curent constant de 3A. Evident ca acest curent nu poate fi asigurat in mod constant. Daca Rg=10ohm, din start e limitat la 1.5A... deci nu se va asigura comutarea in 20ns. Calculul este simplificat, Cg nu e constant.. dar in mare arata importanta tensiunii si impedantei driverului.

[Vizitator]

Marian, asta este o sursa REZONANTA ZCS.Daca nu stii nu te baga aiurea.N-ai facut asa ceva.Acum o sa contrazici pe toata lumea ca de obicei...Inclusiv pe dl de mai sus care spune si dinsul ca si citeva zeci de mV conteaza.Aici nu te joci cu un amarit de buck converter de la 30Vcc pe care il face oricine si nu merge cu ideea ca 13V comanda sint totuna cu 15V comanda.Ideea de "merge si asa" nu se aplica la surse rezonante ZCS, altfel se lasa cu fum, dovada este chiar acest topic.Cauta pe net pe forumuri externe failure rate la XLS .Stii ce se intimpla daca scoti din schema C923 si L904?

Editat August 28, 2016 de Vizitator

[manolo]

Totusi FAN7387 se gaseste atit pe ali cit si pe ebay.

[Marian]

...Din perspectiva practica, mai ales la frecvente mari, fiecare 10mV conteaza...

Sa nu exageram.... Parerea mea oricum este ca schema nu-i gresita asa cum s-a sustinut, si-mi pastrez opinia.

 

...in ecuatia simplificata a curentului de grila...

Nu exista grila nici la mosfeti si nici la IGBT-uri, incercati sa folositi termenul corect "poarta" ori eventual varianta "gate" din engleza.

 

In rest de acord cu cele mentionate de Dvs.

 

PS: Manolo intr-adevar este si pe ebay, si din cate vad la pret foarte ok, de-as avea amplif cu CI_ul asta chiar as lua mai multe bucati de acolo ca sa am de rezerva. Chiar daca dureaza pana ajung, asteptarea cred ca va fi meritat.

[Vizitator]

Schema nu este gresita, implementarea este precara.

[iop95]

Nu e nicio exagerare, chiar daca reprezinta 0.06% din 15V, se poate traduce in procente bune de reducere a pierderilor in comutatie.

Schema nu gresita, dar nici cea mai bina... vorbeam de comutatia IGBT-urile.

Daca nu ati folosit termenul "grila" nu inseamna ca nu exista.

In Romania se folosea si inca se foloseste (consultati fisierele atasate). Se poate folosi si poarta daca traducerea din engleza pare mai interesanta.

 

Bazele_Electronicii_colegiu_2005-1.pdf

[Vizitator]

Prin definitie, IGBT este Insulated GATE Bipolar Transistor.

[Marian]

Va rog nu procedati la fel ca Leco interpretandu-mi cuvintele si postarile, am zis ca nici la mosfeti si nici la igbt nu exista grila si fix asa este. Termenul grila in sine evident ca exista si este valabil la tuburile electronice ( lampi ), folosirea sa la mosfeti sau igbt este improprie si incorecta, si despre asta este vorba, sa evitam traducerile eronate si sa folosim termeni standard. Si in absolut orice dictionar "gate" inseamna "poarta".!In rest ma retrag pentru ca m-am saturat sa se despice firul in 4 ori de cate ori cineva este contrazis, parca ar fi o competitie...

[iop95]

Nu procedez ca nimeni... si nu ma intereseaza discutiile irelevante gen atac la persoana, jigniri gratuite.

Nu prea inteleg de ce se coboara la acest nivel (poate cei 26ani de 'libertate" isi arata rezultatele).

Fiecare are nivelul sau de cunostinte si nu trebuie sa-si hraneasca orgoliile ieftine cu atacuri care n-au nicio legatura cu tehnica.

Cred ca se pot purta discutii in contradictoriu si in mod civilizat, pentru a mai invata cate ceva, nu sa aratam cat de slab e celalalt sau nu stiu cum daca ne-a contrazis...

 

Poate termenul de grila nu e tocmai corect dar asa a ramas in literatura de specialitate franceza si romana.

Nici cel de poarta nu e mi se pare tocmai ok, dar e foarte larg utilizat.

[UDAR]

Am ezitat să postez dar vreau totuși să-mi prezint punctul de vedere în ”disputa” grilă-poartă ( mai veche de fapt decât acest subiect ) .

Insist asupra faptului că nu apăr pe nimeni și nici nu atac pe nimeni . E pur și simplu punctul meu de vedere .

 

1. Atât MOSFET-ul cât și IGBT-ul au fost inventate de anglofili ( nu mă refer aici la brevetul lui Lilienfeld din 1928 ci la ceea ce folosim azi ) și prezentate în limba engleză folosind termenul ”gate” . Atâta vreme cât există corespondent clar în limba română termenul de ”poartă” mi se pare corect să-l folosim pe acesta .

2. DEX-ul limbii române asociază clar termenul de ”grilă” ( în domeniul electric ) cu tubul electronic , nu și cu vreun semiconductor . Chiar și semantic termenul ”grilă” ( am întâlnit chiar și ”grătar” în literatură foarte veche ) se potrivește cu tubul electronic nu cu semiconductorul . Termenul ”poartă” la MOSFET chiar dacă nu atât de evident similar geometric ca  cel de ”grilă” se referă la ceva ce deschide canalul .

3. Dacă ne referim la alte limbi , nemții zic pur și simplu electrod ( terminal ) de control ”Steuerelektrode”  iar francezii , da , zic grilă poate pentru că în franceză ”grille d'entree”   ( scuze că nu pun accentul ascuțit ) înseamnă .... poartă ! 

4. Dacă facem trimiteri la lucrări din limba română este bine să ne referim la lucrări consacrate nu la obscure subiecte de examen de liceu industrial  ( Îmi cer scuze , nu vreau să jignesc , dar asta e exemplul de mai sus ) . Recomand în acest sens - ca exemplu - Dispozitive și circuite electronide de Dan Dascălu și alții , lucrare de referință pentru mai toți autorii români de după (și nu numai români ) . 

[iop95]

Sistemul nu permite fisiere mai mari de 512K... si n-am gasit ceva consacrat sub valoarea asta.

Oltenii se pare c-au ramas la grila...

https://www.google.ro/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=2&cad=rja&uact=8&ved=0ahUKEwjO_MK8j-TOAhXlDsAKHUPRAuYQFgghMAE&url=http%3A%2F%2Felth.ucv.ro%2Fstudent1%2FCursuri%2FConvertoare%2520statice%2FConvertoare%2520statice%2520-%2520IEC.pdf&usg=AFQjCNFfWyp2sLcm2ZZdpBrlkKpPpx4dVw&sig2=HgKiacfzOLsPnxoNEzOcJg&bvm=bv.131286987,d.bGg

 

Termenul in sine nu e asa important, ideea este ca a fost si este folosit; ca nu corespunde cu forma geometrica din structura interna a dispozitivului sau ca a fost "imprumutat" de tuburi e alta discutie. Nici termenul de poarta nu coresunde cu realitatea... dar e doar un termen care a devenit consacrat.

[UDAR]

Iertare , nu am parcurs lucrarea la care dai link decât până la cuprins , unde vorbește despre Tranzistoare bipolare cu bază izolată IGBT.

 

În rest , de acord cu tine , termenul nu e așa de important . Înțeleg ce vrea să spună cineva care vorbește de grila MOSFET-ului , înțeleg de asemenea ce vrea să spună când vorbește de o tensiune grilă-sursă suficient de mare ca MOSFET-ul să se satureze , ...

Editat August 28, 2016 de UDAR