MOS vs JFET

[Vizitator kta]

Am si eu o nelamurire in legatura cu MOS si JFET cu canal n initial...deci canalul se 'sugruma ' la ambele intre D si S la aplicarea tensiunii ..si cand se ajunge la o tensiune egala cu Vt se inchide canalul ...dar ambele pot fi folosite in aceleasi aplicatii ..care e factorul care le diferentiaza ? Vt ul dat de producator ?

[Vizitator MirceaI]

1 tehnologia de fabricatie2 impedanta extrem de mare de intrare pentru tranzitorul MOSFET

[MifTy]

1 tehnologia de fabricatie2 impedanta extrem de mare de intrare pentru tranzitorul MOSFET

o impedanţă comparabilă cu a tuburilor electronice...

[Gerula]

[Vizitator]

Gerula, m-ai bagat in ceatza! :partyman:

[Vizitator rdh30flda]

tehnologia MOS mai are un mic avantaj: printr-un singur proces de dopare/implantare ionica e gata. Acum nu se mai foloseste metal ci polisiliciusunt mai multe regimuri de functionare pt MOS: cel in care e rezistor comandat (VDS f mic, inceputul regimului de trioda), regimul de trioda cu caracteristica neliniara si regimul de curenti de drena saturati (VDS>VGS-VT). De acolo, daca efectul de canal scurt nu e prea puternic poti aproxima tranzistorul MOS ca avand o caracteristica de iesire ID(VDS) paralela cu axa VDS.Sincer MOS-FET fiind atat de ieftine au ajuns sa aiba proprietati f bune pentru ca s-au investit multi bani in aceasta tehnologie. Desi in frecventa nu se puteau compara cu bipolarii se pare ca sunt folositi peste tot acum. VT-ul depinde de tehnologia de fabricatie, se poate jongla bine cu el intre 0.1-10V. In integrate se foloseste VT aprox 270 mV. Daca te gandesti ca in discret, in conditii de lucru normale curentii paraziti sunt de ordinul nA poti spune aproape riguros ca IG=0!!! asta e la MOS, din cauza oxidului de siliciu. La JFET nu e chiar la fel, exista totusi un curent invers de saturatie.Despre JFET ma interesez mai mult ca sa nu spun prostii, noi la DCE i-am inclus in aceleasi ecuatii de functionare... nu prea am discutat despre diferente, despre MOS mai stiu mai multe. Eventual daca vrei sa stii ecuatii de functionare, cum se deduc samd intreaba ;)@kta, canalul se sugruma la un capat, nu la ambele, geometria regiunii golite de purtatori liberi depinde de valoarea VDS!EDIT: dupa o discutie cu proful de DCE am ajuns la concluzia ca JFET e inferior MOSFET din multe puncte de vedere, exceptand situatia interferentelor electromagnetice, totusi in majoritatea situatiilor pe care le intampina un mic electronist ele pot fi evitate.