Totul despre tranzistori

[Eugen Chirila]

Deoarece, pentru si fiindca nu am reusit sa gasesc un topic numai despre tranzistori, am deschis unul cu acest subiect.

 

Recunosc ca nu am mari cunostinte despre componente electronice, de aceea va rog sa imi spuneti daca un tranzistor de tipul 13002/3/7/9  sau 2SC2625 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR, poate fi folosit in locul unui tranzistor normal ca 3055 sau TIP35 etc.

 

Am facut o punte redresoare din patru duble diode in comutatie SBL 3045PT 2x30A 45V si merge de rupe, de aceea va intreb, un tranzistor in comutatie, poate fi folosit ca un tranzistor normal?

 

Sper sa primesc cateva raspunsuri lamuritoare nu numai reprosuri, ca nu era locul topicuui aici, ba ca bat campii si multe altele, va rog fiti buni si ingaduitori, caci nimeni nu sa nascut invatat si a toate stiutor.

[validae]

Poți folosi un tranzistor rapid în locul unuia de uz general, ca 2N3055. Dar trebuie să aibă și ceilalți parametri (curent maxim, tensiune maximă de lucru) cât mai apropiați de cei ai tranzistorului substituit. O diodă ultrarapidă poate fi utilizată la redresare pe frecvența de 50 Hz, dar o diodă redresoare obișnuită nu poate înlocui una ultrarapidă. Totul ține de specificațiile schemei în care sunt folosite componentele. Întotdeauna să cauți specificațiile producătorului (datasheet) când nu știi caracteristicile unei componente. Există și cataloage de echivalențe între diverse tranzistoare, se pot găsi la secțiunea Componente electronice, documentație și scheme, ar fi bine să salvezi pe calculator și  eventual să le ai imprimate...uneori nu ai la dispoziție internetul. Mai citește și articole mai vechi de pe forum cu tutoriale despre componente, măsurări, scheme de bază...

[vera]

Mare atentie la puterea pe care o disipa la JF.

[Eugen Chirila]

Eu vreau sa le folosesc in aplicatii de CC, adica surse de tensiune, ca element regulator, de exemplu in astfel de scheme.

 

Editat Aprilie 8, 2015 de Eugen Chirila

[dan cod]

Merg linistit.

[Marian]

Bineinteles ca o dioda schottky poate redresa o tensiune transformata de la retea, frecventa fiind foarte mica, pierderile in comutatie sunt practic inexistente, scad si pierderile in conductie directa devreme ce Vf la ele este mult mai mic decat la diodele pe siliciu normale, dar cea mai importanta limitare este impusa de tensiunea inversa maxim acceptata, cu acele diode mentionate nu poti redresa decat maxim 20-22Vca, in schimb o punte redresoare ieftina pe siliciu poate redresa direct tensiunea de la retea...

 

 

Referitor la tranzistori, 2N3055 este unul lent dar are o capsula foarte buna si poate disipa destul de mult, in schimb 13007-9 sunt destul de limitati cu capsulele lor mici, trebuie sa ai grija la deriva termica a puterii disipabile, te uiti in pdf si estimezi cam cat poti disipa maxim pe el la o temperatura maxim estimata de tine de lucru, de regula 70-80*C. Mai exista o problema cu Hfe care la cei propusi este mai redus decat la 2N3055, si de multe ori asta conteaza, deci te uiti in pdf si cauti in grafice amplificarea in curent maxim estimata la un curent maxim de lucru dorit de tine, si tii cont de valoarea aia in proiectarea comenzii din baza, care trebuie sa asigure resurse suficiente care sa compenseze amplificarea in curent mai redusa.

[Eugen Chirila]

Referitor la diode,  cele mari , am facut o punte din 4 capsule, fiecare capsula reprezentand o dioda (adica doua in paralel pe fiecare capsula), am bagat in punte 26Vca si am tras din ea 4A la 24V timp de 45 de minute, iar temperatura nu cred ca a depasit 40 de grade, se comporta foarte bine.

 

Despre tranzistori, inca nu i-am testat, sunt in capsula mare, ca si TIP35, , o sa ii supun la test si o sa revin cu rezultatele obtinute.

 

Aceste componente sunt recuperate din surse de calculator si UPS-uri dezmembrate, si daca tot am o caruta  de diode si tranzistori, m-am gandit sa fac ceva cu ele, in niste aplicatii mai domestice, mai simpliste, nu de mare performanta.

 

Mai am si o caruta de MOS FET canal N, si nu stiu ce as pute face cu ele, sunt curios sa stiu daca se poate face un amplificator audio din ele.

FQP2N60C MOSFET N 1.3A

IRF630 MOSFET N 9A

IRF3205 MOSFET 80A

P2NC60FP MOSFET N 600V 1.2A

P75NF75 MOSFET N 70A

Poate imi recomandati ceva aplicatii, scheme cu ele.

Editat Aprilie 9, 2015 de Eugen Chirila

[Marian]

Poti trage din puntea aia fara probleme si dublul celor 4A, poti merge spre 15A linistit.

 

Referitor la tranzistorii bipolari, ar putea sa te ajute articolul meu de aici, eventual poti lasa comentariu acolo daca ai neclaritati:

http://www.elforum.info/blog/8/entry-249-regulatorul-liniar-de-tensiune-serie/

 

Cat despre mosfeti, eu cred ca tot in aplicatii in genul celor de pe care au fost recuperate, pot fi cel mai bine folositi, 2n60 sunt mosfeti de 600V si pot fi folositi la flyback de mica putere; 3205 si 75N75 sunt mosfeti de tensiuni mici si curent mare, de regula se folosesc la convertoare SMPS alimentare de la 12V, cel de-al 2-lea merge si de la 24V; IRF630 ar putea merge intr-un etaj final audio configurat pentru N-mos, deci cvasicomplementar ( evident ca ai nevoie de 2 exemplare ), de putere mica/medie.

[Eugen Chirila]

Imi poti recomanda o schema de amplificator audio cu IRF630?, am cautat pe net dar nu am gasit. Sunt tot felul de scheme cu MOSuri, dar daca nu am lucrat cu asa ceva, habar nu am care schema s-ar potrivi si ce modificar trebuiesc facute pentru acest tip de MOS-uri pe care le am eu.

[Marian]

Pai nici nu cred ca ai sa gasesti, sunt niste mosfeti totusi modesti pentru audio, de regula se prefera mosfeti mai puternici, in principiu cam orice schema care se foloseste de finali mosfet, se poate adapta la etajul final pentru configuratie cvasicomplementara, adica trebuie proiectara sau modificata o schema pentru ce ai tu nevoie, dar avand in vedere mosfetii slabi, nu te poti astepta la prea multe din partea lor, ma indoiesc ca ai putea pretinde mai mult de 50-60W/4R de la ei...

[ratza]

Bineinteles ca o dioda schottky poate redresa o tensiune transformata de la retea, frecventa fiind foarte mica, pierderile in comutatie sunt practic inexistente, scad si pierderile in conductie directa devreme ce Vf la ele este mult mai mic decat la diodele pe siliciu normale.

Pierderile nu sînt deloc neglijabile, chiar dacă au căderea de tensiune mai mică.

 

am bagat in punte 26Vca si am tras din ea 4A la 24V timp de 45 de minute, iar temperatura nu cred ca a depasit 40 de grade, se comporta foarte bine.

Asta fiindcă la 4A disipă în jur de 300mW, la 40A o să disipe 15W şi nu vor mai sta aşa de reci.

[Marian]

Nu am zis ca pierderile sunt neglijabile, ci doar ca sunt mai mici fata de diodele pe siliciu, ceea ce este in esenta corect. Bineinteles ca nu sunt neglijabile, si ca la curenti mari, si radiatorul necesar este mare.

[Eugen Chirila]

@marian, daca obtin cu acele MOS-uri 20W, cel mult 30W, pentru mine este arhi suficient, nici nu am nevoie, nici nu vreau mai mult.

 

Imi poti recomanda o schema?

[puriu]

Tranzistoarele bipolare de comutatie merg foarte bine ca amplificatoare liniare in limita parametrilor de catalog. Cele MOSFET de comutatie (IRF630, etc.) au portiunea liniara a caracteristicii foarte scurta si sunt instabili termic in acest regim. Merg ca amplificatoare AF numai in clasa D (comutatie PWM). Disipatia in regim liniar este o problema pentru orice tranzistor. In catalog se trece puterea maxima disipata pentru o anumita temperatura a capsulei. Un 2N3055 fara radiator nu suporta 3 W, dar in catalog apare cu 115 W pe radiator infinit. Problema este la sursele de tensiune reglabila, liniare, cand tranzistorul poate disipa in permanenta putere mare. Trebuie pus un radiator mare si adecvat. Sunt radiatoare pentru racire fortata, cele din sursele PC, si radiatoare pentru convectie libera. Cele din urma trebuie sa aiba nervurile inalte, verticale si amplasate in exteriorul carcasei.