Amplificatoare 1,8, 3,5, 28 cu dispozitive cu carbura de siliciu

[cavit]

 DIspozitivele cu carbura de siliciu au fost dezvoltate initial pentru comutatie de mare putere, si inalata frecventa,

un astfel de dispozitiv de 20 amperi la 1200 v poate oprera in comutatie la 200 khz cu un ranadament mai bun de 99,3 % deci poate oprea destul de bine si la 1,8 sau 3,5.

 

 sunt doua feluri de astfel de dispozitive, unele cu canal initial, jfet si alta cu canal indus mosfet, zfet.

 

Jfet-ul poate fi operat identic cu o trioda cu negativare, si poate merge in regim liniar chiar si la 28 Mhz.

 

mosfetul trebuie prepolarizat.

 

O trasatura placuta a acestor dispzitive care le face utilizabile la amplificatoare de radiofrecventa este o panta rezonabila pe platoul miller, nu e plat cala cele cu siliciu, ci are o panta asemanator cu trioda, curentul poate fi controlat usor prin tensiunea de poarta, regiunea fiind liniara nu prea generaza armonice poate merge atit in clasa d cat si c, b sau ab.

 

acesta dispozitive pot fi operate comod cu tensiunea de retea redresata si filtrata, spre dosebire de triode unde sunt necesare tensiuni mai mari.

 

caracteristica termica pozitiva face sa poata fi montate in paralel fara nici o limtare, in plus se strapung la temperaturi foarte mari de peste 600 grade, temperatura de functionare fiind practic limitata de capsula.

 in plus capacitatile sunt de 5-6 ori mai mici ca la siliciu ceea ce le face usor de comndat.

 in mod practic cu un jfet sau zfet de 20 a la 1200v cu o putere disipata de caa 250w se poate scoate 1 kw in clasa d la 1,8, 300-400 w in clasa c la 3,5, si 150 200w la 28, alimentat la tensiunea retelei redresata si filtrata.

 

acum se pot si achizitiona la preturi rezonabile, 20 a la 1200 v este caa 20 dolari bucata, am luat si eu le folosesc la sursa in comutatie.