Flyback- cum depinde VDS de B,I, leakage

[Mondan]

Am luat o schema ca exemplu de flyback.

 

Cum depinde tensiunea Drena-Sursa de la MOS de curentul leakage, sau de B leakage?

 

Cand MOSFETul e deschis tensiunea D-S este O.

Dar cand e inchis, tensiunea D-S e Vin+Vtraf.

 

Cum depinde de leakage B sau curent. 

Editat Februarie 2, 2015 de Mondan

[UDAR]

Tensiunea drenă sursă este compusă din trei componente care se însumează :

1.Tensiunea de alimentare Vin

2.Tensiunea ”reflectată” din secundar , aproximativ Ur = N*(Uout + Uf) unde Uf este căderea pe dioda din secundar. N este , desigur, N1/N2 adică la tine N = 0,1.

3.Supratensiunea datorată inductanței de scăpări . Dacă nu este limitată explicit aceasta atinge amplitudinea determinată de rezonanța dintre Llk și Cpar unde Cpar este capacitatea drenă-sursă a MOSFET-ului + capacitatea primarului + capacitatea parazită a montajului. Ecuația este evident I²*Llk = Upk²*Cpar din conservarea energiei . I este curentul prin primar în momentul blocării MOSFET-ului. Ea va genera o oscilație amortizată . Întrucât poate atinge valori periculoase pentru MOSFET această componentă se limitează la o valoare Ucl egală aproximativ cu dublul Ur. Limitarea se face cu o diodă supresoare sau un snubber.

Deci nu depinde de curentul ”leakage” - nu știu care  e ăla în această situație - ci de curentul maxim prin primar ( cel din momentul blocării MOSFET-ului)  și inductanța de pierderi ) . Nu știu de asemenea ce vrei să spui cu B leakage ! E adevărat că vorbim de un flux de pierderi dar de  inducție de pierderi, sincer, n-am auzit și nici nu-i intuiesc utilitatea .

[Mondan]

Multumesc pentru raspuns.